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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | MBRS360BT3G | 0,5200 | ![]() | 6896 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | MBRS360 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 630 mv @ 3 a | 30 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD6050 | - - - | ![]() | 8831 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD60 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1,1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842S3S | - - - | ![]() | 1044 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HUF75 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 43a (TC) | 10V | 42mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 175 NC @ 20 V | ± 20 V | 2730 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
1n5820g | 0,6100 | ![]() | 3345 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | 1N5820 | Schottky | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 475 mv @ 3 a | 2 ma @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nta4001nt1g | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | NTA4001 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 238 Ma (TJ) | 2,5 V, 4,5 V. | 3OHM @ 10ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 100 µA | ± 10 V | 20 PF @ 5 V | - - - | 300 MW (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4072N7 | - - - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad | FDS40 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SO FLMP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 12,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 13.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 46 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 4299 PF @ 20 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6680As | - - - | ![]() | 8885 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench®, SyncFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS6680 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 11.5a, 10V | 3V @ 1ma | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1240 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW32LT1 | 0,0200 | ![]() | 423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | BCW32 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJE170G | 0,9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE170 | 1,5 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2127-AE | - - - | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2SA2127 | 1 w | 3-mp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 1a | 200 @ 100 Ma, 2V | 420 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK669K-AC | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C33_T50A | - - - | ![]() | 6904 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C33 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 v | 33 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC2383YTF | - - - | ![]() | 7386 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC23 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 160 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA | 160 @ 200 Ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C5V1_T50R | - - - | ![]() | 3578 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C5 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 2 V. | 5.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fep16jtd | - - - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Fep16 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 600 V | 16a | 1,5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVUD320W1T4G | - - - | ![]() | 8640 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NRVUD320 | Standard | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NRVUD320W1T4GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntlus4c16ntbg | - - - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | Onsemi | µCool ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerufdfn | Ntlus4 | MOSFET (Metalloxid) | 6-udfn (1,6x1,6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.1a (ta) | 1,8 V, 10 V. | 11.4mohm @ 8a, 10V | 1,1 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 690 PF @ 15 V | - - - | 650 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4134S-e | - - - | ![]() | 8345 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SC4134 | 800 MW | Tp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 40 mA, 400 mA | 140 @ 100 mA, 5V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C6V2_T50R | - - - | ![]() | 3158 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C6 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5486RLRP | - - - | ![]() | 1965 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N5486 | - - - | Jfet | To-92 (to-226) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVH4L060N090SC1 | 20.3300 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | NVH4L060 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVH4L060N090SC1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 900 V | 46a (TC) | 15 V, 18 V. | 84mohm @ 20a, 15V | 4,3 V @ 5ma | 87 NC @ 15 V | +22V, -8v | 1770 PF @ 450 V | - - - | 221W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BDW1T1G | 0,2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545p3 | 3.0000 | ![]() | 8503 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | HUF75545 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 75a (TC) | 10V | 10MOHM @ 75A, 10V | 4v @ 250 ähm | 235 NC @ 20 V | ± 20 V | 3750 PF @ 25 V. | - - - | 270W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF11N65 | - - - | ![]() | 6263 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet ™ | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FCPF11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 11a (TC) | 380MOHM @ 5.5A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | 1490 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD2N60TF | - - - | ![]() | 2369 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd2 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.7ohm @ 1a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHD4P02FT1G | 1.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | Nthd4 | MOSFET (Metalloxid) | Chipfet ™ | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.2a (TJ) | 2,5 V, 4,5 V. | 155mohm @ 2,2a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 300 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1.1W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C56 | - - - | ![]() | 1101 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C56 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 39 V | 56 v | 120 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6B03NLWFT1G | - - - | ![]() | 5651 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 100 v | 145a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9.4 NC @ 10 V. | ± 16 v | 5320 PF @ 25 V. | - - - | 3,9W (TA), 198W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS360T3G | 0,5400 | ![]() | 2291 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | MBRS360 | Schottky | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 740 mv @ 3 a | 150 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdll400 | 0,3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Fdll400 | Standard | SOD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 150 v | 1,1 V @ 300 mA | 50 ns | 100 NA @ 150 V | 175 ° C (max) | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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