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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5226ET1G | - - - | ![]() | 9750 | 0.00000000 | Onsemi | MMSZ52XXXT1G | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ522 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBAS116LT1G | 0,4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBAS116 | Standard | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD12N06RLESM9A | 1.1000 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RFD12N06 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 63mohm @ 18a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 16 v | 485 PF @ 25 V. | - - - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm5z5v1 | - - - | ![]() | 9681 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523F | MM5Z5 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA539OTA | - - - | ![]() | 4208 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA539 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 45 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 15ma, 150 mA | 70 @ 50 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123TET1G | 0,0229 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta123 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMMBTA14LT3G | 0,0653 | ![]() | 5003 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SMMBTA14 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB3N30TM | - - - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fqb3 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 300 V | 3.2a (TC) | 10V | 2,2OHM @ 1,6a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 7 NC @ 10 V | ± 30 v | 230 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5231Ctr | 0,2400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5231 | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP44BU | 0,4800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSP44 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 400 V | 300 ma | 500NA | Npn | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733CYBU | - - - | ![]() | 8109 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4841NHT1G | 0,8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4841 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 8.6a (TA), 59a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 11.5 V. | ± 20 V | 2113 PF @ 12 V | - - - | 870 MW (TA), 41,7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu13n06ltu | 0,9000 | ![]() | 877 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Fqu13n06 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 5v, 10V | 115mohm @ 5,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6.4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 28 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMM5Z20VT1G | 0,4300 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | SZMM5 | 500 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56TT1G | 0,1700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BAW56 | Standard | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 6 ns | 2,5 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD6N50CTM_F080 | - - - | ![]() | 8570 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,25A, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 30 v | 700 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 61W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB649 | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FSB649 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 1a, 2v | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC3953CSTU | - - - | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSC3953 | 1,3 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.920 | 120 v | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 3ma, 30 mA | 40 @ 10 ma, 10V | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222ARLRAG | - - - | ![]() | 3572 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | PN2222 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nvd5c464nt4g | 1.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVD5C464 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 16A (TA), 59a (TC) | 10V | 5.8mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907A_J61Z | - - - | ![]() | 7343 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN290 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.500 | 60 v | 800 mA | 20na (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC547CTF | - - - | ![]() | 8603 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC547 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRB2545CTG | 1,8000 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBRB2545 | Schottky | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 620 mv @ 15 a | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327-016G | - - - | ![]() | 6514 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC327 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 260 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
KSH127TF | - - - | ![]() | 8100 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | KSH12 | 1,75 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 100 v | 8 a | 10 µA | PNP - Darlington | 4v @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 4a, 4V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA539YBU | - - - | ![]() | 4283 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSA539 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 45 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 15ma, 150 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbth24 | - - - | ![]() | 3079 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mmbth24 | 225 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 30V | 50 ma | Npn | 30 @ 8ma, 10V | 400 MHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVB460MFST3G | 0,6400 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NRVB460 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 740 mv @ 4 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP127 | - - - | ![]() | 1937 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP127 | 2 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 5 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 4v @ 20 mA, 5a | 1000 @ 3a, 3v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA473Ytu | 0,8800 | ![]() | 692 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSA473 | 10 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-kSA473Ytu | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 30 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 2V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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