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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPS2907Arlra | - - - | ![]() | 9335 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | MPS290 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS4201RTA | - - - | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns42 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2125-S-TD-E | - - - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SA2125 | 3,5 w | PCP | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 390 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVB30H100MFST3G | 1.6800 | ![]() | 2529 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NRVB30 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 30 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5367BG | 0,4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5367 | 5 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 32.7 V. | 43 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njl3281d | - - - | ![]() | 7988 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-5 | NJL3281 | 200 w | To-264 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NJL3281DOS | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 260 V | 15 a | 50 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 1a, 10a | 75 @ 5a, 5v | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smbd1058t | 0,0200 | ![]() | 213 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP15N65 | - - - | ![]() | 2820 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 440MOHM @ 7.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 3095 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3LN01S-TL-E | - - - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 3LN01 | MOSFET (Metalloxid) | SMCP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 150 mA (TA) | 1,5 V, 4V | 3,7OHM @ 80 mA, 4V | - - - | 1,58 NC @ 10 V. | ± 10 V | 7 PF @ 10 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTH4L020N120SC1 | 43.4100 | ![]() | 8479 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | NTH4L020 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NTH4L020N120SC1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 102a (TC) | 20V | 28mohm @ 60a, 20V | 4,3 V @ 20 mA | 220 NC @ 20 V | +25 V, -15 V | 2943 PF @ 800 V | - - - | 510W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE18008 | - - - | ![]() | 6492 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MJE18 | 125 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MJE18008OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 8 a | 100 µA | Npn | 700 MV @ 900 mA, 4,5 V. | 14 @ 1a, 5v | 13MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5336BRLG | 0,4700 | ![]() | 5833 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Axial | 1N5336 | 5 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1100 | - - - | ![]() | 7812 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MBR1100 | Schottky | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR1100OS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 1 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4002GP | - - - | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4002 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njvmjd148t4g | 0,4408 | ![]() | 8994 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD148 | 1,75 w | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 45 V | 4 a | 20 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5232CT1G | 0,5000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Onsemi | MMSZ52XXXT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ523 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 13.5933BT1G | 0,7200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5933 | 3.2 w | PowerMite | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,25 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS4841NWFT1G | - - - | ![]() | 7605 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1436 PF @ 12 V. | - - - | 3.7W (TA), 112W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMUN2130LT1G | 0,1800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMun2130 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250mv @ 5ma, 10 mA | 3 @ 5ma, 10V | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD3P20TF | - - - | ![]() | 3319 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 200 v | 2.4a (TC) | 10V | 2,7OHM @ 1,2a, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 30 v | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB52N10T4G | - - - | ![]() | 4680 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB52 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 52a (TC) | 10V | 30mohm @ 26a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 3150 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 178W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV4107RMTF | - - - | ![]() | 2253 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB986T | 0,1100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.664 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6990A | - - - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS6990 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 7.5a | 18Mohm @ 7.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17nc @ 5v | 1235PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATP405-TL-HX | - - - | ![]() | 4829 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ATP405 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 40a (TJ) | 10V | ± 20 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW68GLT1 | 0,0200 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | BCW68 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur460ffg | - - - | ![]() | 9315 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Standard | Axial | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99_L99Z | - - - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BAV99 | Standard | SOT-563 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 200 ma | 1,25 V @ 150 mA | 60 ns | 2,5 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdll4448-d87z | 0,1500 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Fdll4448 | Standard | SOD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8674 | - - - | ![]() | 2185 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS86 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta), 21a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 17a, 10V | 3v @ 250 ähm | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2320 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 78 W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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