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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FJNS4210RBU onsemi FJNS4210RBU - - -
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns42 300 MW To-92s Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 10 Kohms
SBT350-06J onsemi SBT350-06J - - -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack SBT350 Schottky To-220ml Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 35a 600 mv @ 15 a 500 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX84B18LT1G onsemi BZX84B18LT1G 0,2100
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 12,6 V. 18 v 45 Ohm
1N4002 onsemi 1N4002 - - -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4002 Standard Do-41 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
BZG03C150G onsemi BZG03C150G 0,4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG03C15 1,5 w SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 500 mA 1 µa @ 110 V 150 v 300 Ohm
1N5338BRLG onsemi 1N5338BRLG 0,4900
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5338 5 w Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4.000 1,2 V @ 1 a 1 µa @ 1 V 5.1 v 1,5 Ohm
NTLUS4C16NTBG onsemi Ntlus4c16ntbg - - -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Onsemi µCool ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerufdfn Ntlus4 MOSFET (Metalloxid) 6-udfn (1,6x1,6) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 6.1a (ta) 1,8 V, 10 V. 11.4mohm @ 8a, 10V 1,1 V @ 250 ähm 7,5 NC @ 4,5 V ± 12 V 690 PF @ 15 V - - - 650 MW (TA)
FCPF11N65 onsemi FCPF11N65 - - -
RFQ
 ECAD 6263 0.00000000 Onsemi Superfet ™ Rohr Aktiv - - - K. Loch To-220-3 Full Pack FCPF11 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 11a (TC) 380MOHM @ 5.5A, 10V 5 V @ 250 ähm 52 NC @ 10 V 1490 PF @ 25 V. - - - 36W (TC)
BZX84C13 onsemi BZX84C13 - - -
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C13 350 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 13 v 30 Ohm
1N6010B onsemi 1N6010b - - -
RFQ
 ECAD 4701 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6010 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 v 70 Ohm
KSD560RTSTU onsemi KSD560RTSTU 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 KSD560 1,5 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 1 µA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 3ma, 3a 2000 @ 3a, 2v - - -
FCMT199N60 onsemi Fcmt199n60 5.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi Superfet® II Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-Powertsfn Fcmt199 MOSFET (Metalloxid) Power88 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 600 V 20,2a (TC) 10V 199mohm @ 10a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 20 V 2950 PF @ 100 V - - - 208W (TC)
BZX55C10_T50R onsemi BZX55C10_T50R - - -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX55C10 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,3 V @ 100 mA 100 Na @ 7,5 V. 10 v 15 Ohm
FDMS2572 onsemi FDMS2572 2.5500
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn FDMS25 MOSFET (Metalloxid) 8-mlp (5x6), Power56 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 150 v 4,5a (TA), 27a (TC) 6 V, 10V 47mohm @ 4,5a, 10V 4v @ 250 ähm 43 NC @ 10 V ± 20 V 2610 PF @ 75 V - - - 2,5 W (TA), 78 W (TC)
BZX85C27 onsemi BZX85C27 - - -
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial BZX85C27 1 w Do-41 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 19 V. 27 v 30 Ohm
HUF75842S3S onsemi HUF75842S3S - - -
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab HUF75 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 150 v 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10V 4v @ 250 ähm 175 NC @ 20 V ± 20 V 2730 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
1N5820G onsemi 1n5820g 0,6100
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-201aa, Do-27, axial 1N5820 Schottky Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 475 mv @ 3 a 2 ma @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C. 3a - - -
NTHD4P02FT1G onsemi NTHD4P02FT1G 1.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei Nthd4 MOSFET (Metalloxid) Chipfet ™ - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 2.2a (TJ) 2,5 V, 4,5 V. 155mohm @ 2,2a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 300 PF @ 10 V. Schottky Diode (Isolier) 1.1W (TJ)
SMUN5115DW1T1G onsemi SMUN5115DW1T1G 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Smun5115 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 160 @ 5ma, 10V - - - 10kohm - - -
MM5Z4694T5G onsemi MM5Z4694T5G 0,0583
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 Onsemi MM5Z4XXXTXG Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 500 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-mm5z4694t5gtr Ear99 8541.10.0050 8.000 900 mv @ 10 mA 1 µA @ 6,2 V. 8.2 v
HUF75545P3 onsemi HUF75545p3 3.0000
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 HUF75545 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 80 v 75a (TC) 10V 10MOHM @ 75A, 10V 4v @ 250 ähm 235 NC @ 20 V ± 20 V 3750 PF @ 25 V. - - - 270W (TC)
1N5254BTR onsemi 1N5254BTR 0,1300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5254 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 v 41 Ohm
SBAS40LT3G onsemi Sbas40lt3g 0,4100
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SBAS40 Schottky SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 1 V @ 40 mA 1 µa @ 25 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 120 Ma 5PF @ 1V, 1MHz
NTB125N02RT4G onsemi NTB125N02RT4G - - -
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab NTB12 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen NTB125N02RT4GOS Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 24 v 95A (TA), 120,5a (TC) 4,5 V, 10 V. 4.6mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 28 NC @ 4,5 V. ± 20 V 3440 PF @ 20 V - - - 1,98W (TA), 113,6W (TC)
NTD4809NH-35G onsemi NTD4809NH-35G - - -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak NTD48 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 30 v 9,6a (TA), 58A (TC) 4,5 V, 11,5 V. 9mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 15 NC @ 4,5 V ± 20 V 2155 PF @ 12 V - - - 1,3W (TA), 52W (TC)
NSVDTC144TM3T5G onsemi NSVDTC144TM3T5G 0,0575
RFQ
 ECAD 3301 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 NSVDTC144 260 MW SOT-723 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 1ma, 10 mA 120 @ 5ma, 10 V. 47 Kohms
BC183C onsemi BC183C - - -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) BC183 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 120 @ 2MA, 5V 150 MHz
NRVUD320W1T4G onsemi NRVUD320W1T4G - - -
RFQ
 ECAD 8640 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NRVUD320 Standard Dpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-NRVUD320W1T4GTR Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 950 mv @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
1SMB5923BT3 onsemi 1SMB5923BT3 - - -
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5923 3 w SMB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 5 µA @ 6,5 V. 8.2 v 3,5 Ohm
NTA4001NT1G onsemi Nta4001nt1g 0,3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 NTA4001 MOSFET (Metalloxid) SC-75, SOT-416 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 238 Ma (TJ) 2,5 V, 4,5 V. 3OHM @ 10ma, 4,5 V. 1,5 V @ 100 µA ± 10 V 20 PF @ 5 V - - - 300 MW (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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