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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
ECH8652-TL-H onsemi Ech8652-tl-H - - -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei Ech8652 MOSFET (Metalloxid) 1,5W 8-Ech Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 12V 6a 28mohm @ 3a, 4,5 V. - - - 11nc @ 4,5V 1000pf @ 6v Logikpegel -tor
MBD54DWT1 onsemi MBD54DWT1 - - -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Onsemi * Band & Rollen (TR) Veraltet MBD54 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
NSTJD1155LT1G onsemi NSTJD1155LT1G - - -
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - - - - - - - NSTJD1 - - - - - - - - - - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD8444-F085 onsemi FDD8444-F085 - - -
RFQ
 ECAD 8317 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD844 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 145a (TC) 10V 5.2mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 116 nc @ 10 v ± 20 V 6195 PF @ 25 V. - - - 153W (TC)
NVMFS5832NLT1G onsemi NVMFS5832NLT1G - - -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Onsemi * Band & Rollen (TR) Veraltet NVMFS5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500
HUFA76429S3S onsemi HUFA76429S3S - - -
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Hufa76 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 47a (TC) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 47a, 10V 3v @ 250 ähm 46 NC @ 10 V ± 16 v 1480 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
FJP5021Y onsemi FJP5021y - - -
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 ECAD 9772 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FJP5021 50 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 200 500 V 5 a 10 µA (ICBO) Npn 1v @ 600 mA, 3a 30 @ 600 mA, 5V 18MHz
FJP5555TU onsemi FJP5555TU 1.1300
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FJP5555 75 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 400 V 5 a - - - Npn 1,5 V @ 1a, 3,5a 20 @ 800 mA, 3V - - -
FQD12P10TM onsemi FQD12P10TM - - -
RFQ
 ECAD 4864 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Fqd1 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 100 v 9,4a (TC) 10V 290MOHM @ 4.7a, 10V 4v @ 250 ähm 27 NC @ 10 V ± 30 v 800 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
SI9936DY onsemi Si9936dy - - -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) SI9936 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 1V @ 250 ähm 35nc @ 10v 525PF @ 15V - - -
BD243CG onsemi BD243CG 1.2300
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BD243 65 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 100 v 6 a 700 ähm Npn 1,5 V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
S3BB onsemi S3BB 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB S3B Standard Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,15 V @ 3 a 1,5 µs 10 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 18PF @ 0V, 1 MHz
MMBD2836LT1G onsemi MMBD2836LT1G 0,1700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBD2836 Standard SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 75 V 100 mA (DC) 1,2 V @ 100 mA 4 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SZBZX84C4V7LT3G onsemi SZBZX84C4V7LT3G 0,1800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, SZBZX84CXXXLT1G Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 2 V 4,7 v 80 Ohm
NRVTS10100MFST3G onsemi NRVTS10100MFST3G 0,8500
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NRVTS10100 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 720 mv @ 10 a 50 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 10a - - -
ECH8419-TL-H onsemi Ech8419-tl-H - - -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei Ech8419 MOSFET (Metalloxid) 8-Ech - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 35 V 9a (ta) 4 V, 10V 17mohm @ 5a, 10V 2,6 V @ 1ma 19 NC @ 10 V ± 20 V 960 PF @ 20 V - - - 1,5 W (TA)
SZBZX84C5V1ET3G onsemi SZBZX84C5V1ET3G 0,2400
RFQ
 ECAD 7430 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
NSBC143EF3T5G onsemi NSBC143EF3T5G 0,0986
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-1123 NSBC143 254 MW SOT-1123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 1ma, 10 mA 15 @ 5ma, 10V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FDV304P_NB8U003 onsemi Fdv304p_nb8u003 - - -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FDV30 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 25 v 460 Ma (TA) 2,7 V, 4,5 V. 1,1OHM @ 500 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 1,5 NC @ 4,5 V. -8v 63 PF @ 10 V - - - 350 MW (TA)
1N6005B_T50R onsemi 1N6005B_T50R - - -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6005 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 Ma 100 Na @ 12 V. 16 v 36 Ohm
SGS5N150UFTU onsemi SGS5N150UFTU - - -
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Sgs5n Standard 50 w To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 600 V, 5A, 10OHM, 10 V. - - - 1500 V 10 a 20 a 5,5 V @ 10V, 5a 190 µJ (EIN), 100 µJ (AUS) 30 NC 10ns/30ns
J202 onsemi J202 - - -
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) J202 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal - - - 40 v 900 µa @ 20 V 800 mv @ 10 na
FQPF6N40CT onsemi FQPF6N40CT - - -
RFQ
 ECAD 2217 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Fqpf6 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10 V 4v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 625 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
FEP16FTD onsemi Fep16ftd - - -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Fep16 Standard To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 300 V 16a 1,3 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C.
NSVBAV23CLT1G onsemi NSVBAV23CLT1G 0,5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 NSVBAV23 Standard SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 250 V 400 mA (DC) 1,25 V @ 200 Ma 150 ns 100 Na @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
2SA2125-S-TD-H onsemi 2SA2125-S-TD-H - - -
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-243aa 2SA2125 3,5 w PCP - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 50 v 3 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 2a 200 @ 100 Ma, 2V 390 MHz
SMMBTA56WT1G onsemi SMMBTA56WT1G 0,3900
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 SMMBTA56 150 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 80 v 500 mA 100na PNP 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 50 MHz
DTC124XET1G onsemi DTC124XET1G 0,1700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 DTC124 200 MW SC-75, SOT-416 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 1ma, 10 mA 80 @ 5ma, 10V 22 Kohms 47 Kohms
FQB12N50TM_AM002 onsemi FQB12N50TM_AM002 - - -
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Fqb1 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 500 V 12.1a (TC) 10V 490MOHM @ 6.05A, 10V 5 V @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 30 v 2020 PF @ 25 V - - - 3.13W (TA), 179W (TC)
1N4738A onsemi 1N4738a 0,3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4738 1 w Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 10 µa @ 6 V 8.2 v 4,5 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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