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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | MMBT4126LT1 | - - - | ![]() | 9177 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | MMBT4126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRA4005T3 | - - - | ![]() | 6153 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | MRA40 | Standard | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N25TM | - - - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 9,4a (TC) | 10V | 420mohm @ 4.7a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC183_D27Z | - - - | ![]() | 4747 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC183 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 40 @ 10 µA, 5 V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5951BT3G | 0,3800 | ![]() | 7614 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5951 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 91,2 V. | 120 v | 380 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7000-D26Z | 0,4100 | ![]() | 442 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N7000 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 200 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 400 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
2Sc4486t-an | - - - | ![]() | 9626 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | SC-71 | 2SC4486 | 3-nmp | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD24N06LT4G | 1.6400 | ![]() | 5168 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD24 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 24a (ta) | 5v | 45mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 32 NC @ 5 V. | ± 15 V | 1140 PF @ 25 V. | - - - | 1,36W (TA), 62,5W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVBA1H100T3G | - - - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | NRVBA1 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 760 mv @ 1 a | 40 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16WT1 | - - - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Standard | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 6 ns | 1 µA @ 1,25 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MURS150T3 | 0,0500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2535CTL | - - - | ![]() | 1708 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR2535 | Schottky | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR2535CTLOS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 12,5a | 470 mv @ 12.5 a | 5 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBCP56T3G | 0,4200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SBCP56 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murd310t4 | - - - | ![]() | 6874 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Murd31 | Standard | Dpak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFD5489NLT3G | - - - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD5483 | MOSFET (Metalloxid) | 3W | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 4,5a | 65mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12.4nc @ 10v | 330pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH041N60F-F085 | 14.4700 | ![]() | 1306 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Superfet® II | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FCH041 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 347 NC @ 10 V. | ± 20 V | 10900 PF @ 25 V. | - - - | 595W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8586 | - - - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD858 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 2480 PF @ 10 V. | - - - | 77W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5373BRLG | 0,4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5373 | 5 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 51,7 V. | 68 v | 44 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733CYTA | - - - | ![]() | 5340 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mun5236DW1T1 | - - - | ![]() | 8117 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mun52 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 100kohm | 100kohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF170LT3 | - - - | ![]() | 4036 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBF17 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 500 mA (TA) | 10V | 5ohm @ 200 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 10 V | - - - | 225 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4410 | - - - | ![]() | 6762 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N4410 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 80 v | 200 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 200 mv @ 100 ua, 1 mA | 60 @ 10 ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP030N06B-F102 | 2.5200 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP030 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 3,1 MOHM @ 100A, 10V | 4v @ 250 ähm | 99 NC @ 10 V | ± 20 V | 8030 PF @ 30 V | - - - | 205W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3457DV | - - - | ![]() | 4702 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | Si345 | MOSFET (Metalloxid) | Supersot ™ -6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8.1 NC @ 5 V | ± 25 V | 470 PF @ 25 V. | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD3N60TM | - - - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 2.4a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 450 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5670 | - - - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD567 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 52a (ta) | 6 V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 73 NC @ 10 V | ± 20 V | 2739 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ5261BT1 | - - - | ![]() | 9629 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 36 v | 47 v | 105 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2672 | 2.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMS26 | MOSFET (Metalloxid) | 8-mlp (5x6), Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.7a (TA), 20a (TC) | 6 V, 10V | 77mohm @ 3.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2315 PF @ 100 V | - - - | 2,5 W (TA), 78 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
FDW2511NZ | - - - | ![]() | 3232 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | FDW25 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 7.1a | 20mohm @ 7.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17.3nc @ 4,5V | 1000pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C4V3 | - - - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C4 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 mA | 1 µa @ 1 V | 4.3 v | 75 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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