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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | MPSA42_J18Z | - - - | ![]() | 2826 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPSA42 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1016KG-AA | 0,1200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD0504T-H | - - - | ![]() | 3107 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | RD050 | Standard | Tp | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 5 a | 50 ns | 20 µA @ 400 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N973B | - - - | ![]() | 4124 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N973 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA @ 25,1 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4734A-T50A | 0,4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4734 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C43 | - - - | ![]() | 5313 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C43 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 v | 43 v | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZBZX84C43ET1G | 0,0358 | ![]() | 7639 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP61N20 | 2.8600 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP61 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2156-FDP61N20-Os | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 61a (TC) | 10V | 41mohm @ 30.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 3380 PF @ 25 V. | - - - | 417W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1205T-TL-E | - - - | ![]() | 9876 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SB1205 | 1 w | Tp-fa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-2SB1205T-TL-E-488 | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 60 mA, 3a | 200 @ 500 Ma, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSRD620CTT4RG | 1.1700 | ![]() | 1958 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MSRD620 | Standard | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 3a | 1,15 V @ 3 a | 75 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB10-04A3-AT1 | - - - | ![]() | 1954 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SB10 | Schottky | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 800 µa @ 40 V | 125 ° C (max) | 1a | 45PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF20UP20DNTU | 1.5100 | ![]() | 712 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FFPF20 | Standard | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 1,15 V @ 10 a | 45 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSD0665A | 2.9000 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FFSD0665 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | D-Pak (to-252) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,75 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11a | 361pf @ 1v, 100 kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm3z5v6b | 0,2500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Mm3z5v6 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 2 V. | 5.6 v | 37 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP58N08 | - - - | ![]() | 3113 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 80 v | 57,5a (TC) | 10V | 24MOHM @ 28.75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 25 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 146W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5245CT1G | 0,5000 | ![]() | 5483 | 0.00000000 | Onsemi | MMSZ52XXXT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ524 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS140T3H | - - - | ![]() | 1696 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | MBRS140 | Schottky | SMB | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSR01L30P2T5G | 0,4000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-923 | NSR01 | Schottky | SOD-923 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 530 mv @ 100 mA | 3 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 100 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C15LT1G | 0,1600 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Onsemi | BZX84CXXXLT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C15 | 250 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4091 | - - - | ![]() | 5519 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN409 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 16PF @ 20V | 40 v | 30 mA @ 20 v | 5 V @ 1 na | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FLZ18VC | - - - | ![]() | 3423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | FLz18 | 500 MW | SOD-80 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 133 na @ 13 v | 17,9 v | 19,4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA12_D26Z | - - - | ![]() | 4779 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA12 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 20 v | 1.2 a | 100na | NPN - Darlington | 1 V @ 10 µA, 10 mA | 20000 @ 10ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmsz6v8t1g | 0,2400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Mmsz6v8 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAL99LT1G | 0,2200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAL99 | Standard | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 50 Ma | 6 ns | 2,5 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100 ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5250BLT3 | 1.0000 | ![]() | 1075 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 15 V | 20 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4003RL | - - - | ![]() | 6785 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4003 | Standard | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7696 | 1.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC76 | MOSFET (Metalloxid) | 8-MLP (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta), 20a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 12A, 10V | 3v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1430 PF @ 15 V | - - - | 2,4 W (TA), 25 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZNZ3F75VT1G | - - - | ![]() | 8196 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | SZNZ3 | 800 MW | SOD-323FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,3 V @ 10 mA | 50 NA @ 52,5 V. | 75 V | 155 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
NVATS68301PZT4G | - - - | ![]() | 8331 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVATS68301 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 31a (ta) | 10V | 75mohm @ 14a, 10V | 3,5 V @ 1ma | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2850 PF @ 20 V | - - - | 84W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C5v6 | 0,1500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79C5 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus