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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Hold (ih) (max) | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | TE02196T | 0,1900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMF5075 | 2.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 25-Powerwfqfn | Mosfet | FDMF5075 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1 Phase | 20 a | 30 v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBD1013LT3 | 0,2900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSV60601MZ4T1G | 0,6300 | ![]() | 3947 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NSV60601 | 800 MW | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 60 v | 6 a | 100NA (ICBO) | Npn | 300 MV @ 600 Ma, 6a | 120 @ 1a, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS4213RBU | - - - | ![]() | 9745 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns42 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2631-TL-E-on | 0,8200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | 2SK2631 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 700 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N25TM | - - - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 9,4a (TC) | 10V | 420mohm @ 4.7a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG316p | - - - | ![]() | 9163 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG316 | MOSFET (Metalloxid) | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 190mohm @ 1,6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5 NC @ 10 V | ± 20 V | 165 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA55RLRA | - - - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | MPSA55 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6442-TL-W. | - - - | ![]() | 4788 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | CPH6442 | MOSFET (Metalloxid) | 6-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta) | 4 V, 10V | 43mohm @ 3a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1040 PF @ 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB18N06LT4G | - - - | ![]() | 1721 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB18 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 15a (TC) | 5v | 100mohm @ 7,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 20 NC @ 5 V | ± 10 V | 440 PF @ 25 V. | - - - | 48,4W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVM1MA152WKT1G | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVM1 | Standard | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 100 mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 10 ns | 100 na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAC212A10 | - - - | ![]() | 7798 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MAC212 | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MAC212A10OS | Ear99 | 8541.30.0080 | 500 | Einzel | 50 ma | Standard | 800 V | 12 a | 2 v | 100a @ 60Hz | 50 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJE200 | - - - | ![]() | 2648 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE200 | 15 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 v | 5 a | - - - | Npn | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjy3003r | - - - | ![]() | 5344 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Fjy300 | 200 MW | SC-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC489AZL1G | - - - | ![]() | 7317 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC489 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS330pt3G | - - - | ![]() | 6266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | MBRS330 | Schottky | SMC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 2 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5931BT3 | - - - | ![]() | 7793 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5931 | 3 w | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1403A | - - - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD14 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 175 v | 200 ma | 1 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 175 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BS170RLRPG | - - - | ![]() | 7901 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BS170 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 (to-226) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 500 mA (TA) | 10V | 5ohm @ 200 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 10 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURP1560-F085 | - - - | ![]() | 1072 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | RURP1560 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 15 a | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBC846BWT1G-M02 | - - - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 310 MW | SC-70-3 (SOT323) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fep16gta | - - - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Fep16 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 400 V | 16a | 1,3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSM0465A | 3.8100 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | FFSM0465 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 4-pqfn (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,75 V @ 4 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 247pf @ 1v, 100 kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC945YTA | 0,4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC945 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 6v | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1816S-TL-H | 0,8400 | ![]() | 691 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1816 | 1 w | Tp-fa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 100 v | 4 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 200 Ma, 2a | 140 @ 500 mA, 5V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW93CPWD | - - - | ![]() | 5210 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | Bdw93 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRD8350RLG-VF01 | 0,4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Dpak | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-SBRD8350RLG-VF01 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 600 mv @ 3 a | 200 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB17P06TM | - - - | ![]() | 8772 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fqb1 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 120 MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 25 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC549B_J35Z | - - - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC549 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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