Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRB1645T4G | 0,8400 | ![]() | 6192 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB1645 | Schottky | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 630 mv @ 16 a | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZNZ3F2V4T1G | - - - | ![]() | 4301 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 8,33% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | SZNZ3 | 800 MW | SOD-323FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,3 V @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 120 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffb2907a | 0,4500 | ![]() | 4208 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FFB2907 | 300 MW | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 20na (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ech8617-tl-e | 0,3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD44H11 | - - - | ![]() | 6002 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD44 | 20 w | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 75 | 80 v | 8 a | 1 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 60 @ 2a, 1V | 85 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5657 | - - - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2N5657 | 20 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 350 V | 500 mA | 100 µA | Npn | 10 V @ 100 mA, 500 mA | 30 @ 100 mA, 10mV | 10 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBV109LT1G | - - - | ![]() | 6550 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBV10 | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 32pf @ 3v, 1 MHz | Einzel | 30 v | 6.5 | C3/C25 | 200 @ 3V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMC5NT1G | 0,3500 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 50V | - - - | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMC5 | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 100 ma | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA1027PT | - - - | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VDFN-Exponiertebad | FDMA1027 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW | 6-microfet (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3a | 120 MOHM @ 3A, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | 435PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 13.5933BT1G | 0,7200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5933 | 3.2 w | PowerMite | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,25 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB45N06T4G | - - - | ![]() | 1430 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB45 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 45a (ta) | 10V | 26mohm @ 22.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 2,4W (TA), 125W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVG800A75L4DSC-Z008 | - - - | ![]() | 7871 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | Modul | IGBT | NVG800 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVG800A75L4DSC-Z008 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6 | Halbbrücke | 800 a | 750 V | 4200 VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3455-TL-H | - - - | ![]() | 1678 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CPH345 | MOSFET (Metalloxid) | 3-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 35 V | 3a (ta) | 4 V, 10V | 104mohm @ 1,5a, 10V | - - - | 4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 186 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTFS5124PLTWG | 0,7400 | ![]() | 7657 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NVTFS5124 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 60 v | 2.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 260 MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 18W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C6V8LT1G | 0,1600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onsemi | BZX84CXXXLT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C6 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1131S | 0,2400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ661PZ | 0,7800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | FDZ661 | MOSFET (Metalloxid) | 4-WLCSP (0,8x0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 20 v | 2.6a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 140MOHM @ 2a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 8,8 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 555 PF @ 10 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC214LB_J35Z | - - - | ![]() | 4666 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC214 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 500 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100 mA | 140 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1505 | - - - | ![]() | 4429 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD15 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 200 ma | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 180 v | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntd4858nat4g | - - - | ![]() | 6711 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD48 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 11,2a (TA), 73a (TC) | 6.2mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 19,2 NC @ 4,5 V. | 1563 PF @ 12 V | - - - | 1,3W (TA), 54,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF770N15A | 1.5600 | ![]() | 376 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FDPF770 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 10a (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 765 PF @ 75 V | - - - | 21W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C47_T50A | - - - | ![]() | 9488 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C47 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 35 V | 47 v | 110 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3317-TL-E | 0,1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-CPH3317-TL-E | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDMC010N08LC | - - - | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC010 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 11A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.9mohm @ 16a, 10V | 3v @ 90 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 2135 PF @ 40 V | - - - | 2,3 W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA05G | - - - | ![]() | 7576 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPSA05 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 60 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2Sc3086m | 0,5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-2SC3086m | 577 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMS4807NR2G | 1.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS4807 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6.1MOHM @ 14.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2900 PF @ 24 V | - - - | 860 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1DFA | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | RS1D | Standard | SOD-123FA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA06RLIG | 1.0000 | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVHP8H200MFDWFT3G | 0,6104 | ![]() | 9720 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NRVHP8 | Standard | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-NRVHP8H200MFDWFT3GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 200 v | 4a | 910 mv @ 8 a | 30 ns | 500 NA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus