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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSP13TF | - - - | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSP13 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVMBD54DWT1G | 0,1988 | ![]() | 6444 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSVMBD54 | Schottky | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 30 v | 200 ma | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SURS8210T3G-VF01 | - - - | ![]() | 7438 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SURS8210 | Standard | SMB | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 940 mv @ 2 a | 30 ns | 2 µa @ 100 V | -60 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD6100LT1G | 0,1700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD6100 | Standard | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 70 V | 200 Ma (DC) | 1,1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2484LT3G | 0,3000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2484 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 60 v | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 350 mV @ 100 µA, 1 mA | 250 @ 1ma, 5v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD227YBU | - - - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSD227 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 25 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1628F-TD-H | - - - | ![]() | 7610 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD1628 | 500 MW | PCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 20 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 60 mA, 3a | 120 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002ET1G | 0,2500 | ![]() | 651 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 260 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 Ohm @ 240 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 0,81 NC @ 5 V. | ± 20 V | 26.7 PF @ 25 V. | - - - | 300 MW (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nthd3101ft1g | 1.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | NTHD3101 | MOSFET (Metalloxid) | Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.2a (TJ) | 1,8 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 3,2A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7,4 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 680 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551 | - - - | ![]() | 9948 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2N5551 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2N5551OS | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56_D87Z | - - - | ![]() | 3721 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 85 V | 200 ma | 1,25 V @ 150 mA | 6 ns | 2,5 µa @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta114yet1 | - - - | ![]() | 3233 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1381ESTSTU | - - - | ![]() | 8120 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSA1381 | 7 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.880 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 2MA, 20 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MR750RL | - - - | ![]() | 3526 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Geschmack, axial | MR75 | Standard | Mikrode -taste | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 900 mv @ 6 a | 25 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906_D11z | - - - | ![]() | 9759 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N3906 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3305RBU | - - - | ![]() | 1697 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn330 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS5352 | 2.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS53 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 13,6a (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.7mohm @ 13.6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 131 NC @ 10 V | ± 20 V | 6940 PF @ 30 V | - - - | 2,5 W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2906 | - - - | ![]() | 3671 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2906 | 400 MW | To-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2n2906fs | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5231BLT1G | 0,1600 | ![]() | 945 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5231 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 55GN01MA-TL-E | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 55GN01 | 400 MW | 3-MCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10db @ 1ghz | 10V | 70 Ma | Npn | 100 @ 10ma, 5V | 4,5 GHz ~ 5,5 GHz | 1,9 dB @ 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5247B | - - - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ524 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murd530t4g | - - - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Murd530 | Standard | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,05 V @ 5 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6HN04MH-TL-E | 0,0700 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP54 | 0,5200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP54 | 1,5 w | SOT-223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 45 V | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC182L | - - - | ![]() | 6807 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC182 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 120 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BD135G | 0,8500 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD135 | 1,25 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 V | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC212LB_J35Z | - - - | ![]() | 2882 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC212 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100 mA | 60 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBC807-40LT3G | 0,2800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBC807 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS5C670NLTWG | 0,8737 | ![]() | 8022 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 16A (TA), 70A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 35A, 10V | 2v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3,2 W (TA), 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB40-05J | 0,6200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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