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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Hold (ih) (max) | Testedingung | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | BC557BTFR | - - - | ![]() | 5140 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC557 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC144TF3T5G | 0,0598 | ![]() | 8542 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBC144 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 120 @ 5ma, 10 V. | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5550LT3G | 0,2100 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT5550 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 140 v | 600 mA | 100na | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4837NHT3G | - - - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 30 v | 10.2a (TA), 75A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 5mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23,8 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3016 PF @ 12 V | - - - | 880 MW (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPN530 | - - - | ![]() | 6489 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | FPN5 | 1 w | To-226 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 30 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907A_J18Z | - - - | ![]() | 6271 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN290 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 60 v | 800 mA | 20na (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRA4005T1G | 0,4100 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | MRA4005 | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMSD3P102R2SG | - - - | ![]() | 1389 | 0.00000000 | Onsemi | Fetky ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMSD3 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 2.34a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 85mohm @ 3.05a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 750 PF @ 16 V | Schottky Diode (Isolier) | 730 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH5518-TL-H | - - - | ![]() | 7098 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | CPH5518 | 1.2W | 5-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80V, 50V | 1a | 100NA (ICBO) | NPN, PNP (Emitter Gekoppelt) | 190mv @ 10ma, 500 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 420 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAC15SM | - - - | ![]() | 2485 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MAC15 | To-220 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 15 a | 1,5 v | 120a @ 60Hz | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858CLT3G | 0,1300 | ![]() | 113 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVBA114EDXV6T1G | 0,1154 | ![]() | 4108 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVBA114 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | - - - | 10kohm | 10kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SURS8205T3G-VF01 | - - - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SURS8205 | Standard | SMB | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 940 mv @ 2 a | 30 ns | 2 µa @ 50 V | -60 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVBC143TPDXV6T1G | 0,1154 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVBC143 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK03E2DNS-00#J5 | - - - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-Hwson (3,3x3,3) | - - - | 2156-RJK03E2DNS-00#J5 | 1 | N-Kanal | 30 v | 16a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 1,8 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 10 V | - - - | 12,5 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD50N03R-35G | - - - | ![]() | 6077 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | NTD50 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 7,8a (TA), 45A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 12mohm @ 30a, 11,5 V. | 2v @ 250 ähm | 15 NC @ 11,5 V. | ± 20 V | 750 PF @ 12 V | - - - | 1,5 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ11015g | 8.8200 | ![]() | 438 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MJ11015 | 200 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | MJ11015GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 120 v | 30 a | 1ma | PNP - Darlington | 4v @ 300 mA, 30a | 1000 @ 20a, 5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fyp1045dntu | - - - | ![]() | 6667 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Fyp10 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 700 mv @ 10 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZ9F22VT5G | 0,0687 | ![]() | 9835 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-923 | NZ9F22 | 250 MW | SOD-923 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 16,8 V. | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FBR130 | - - - | ![]() | 9232 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123F | FBR130 | Schottky | SOD-123F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC2501 | 6.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC25 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 100 V. | 25 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5953BT3G | 0,6600 | ![]() | 9298 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SZ1SMB5953 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 114 V | 150 v | 600 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4118 | - - - | ![]() | 6437 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN4118 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 80 µa @ 10 V | 1 V @ 1 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA3060ADF | 2.8800 | ![]() | 179 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA3060 | Standard | 176 w | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 30a, 6OHM, 15 V. | 26 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 60 a | 90 a | 2,3 V @ 15V, 30a | 960 µj (EIN), 165 µJ (AUS) | 37,4 NC | 12ns/42.4ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv3101rmtf | - - - | ![]() | 6273 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV310 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB45N06L | - - - | ![]() | 7994 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | NTB45 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNB40560 | 15.7400 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Onsemi | Bewegung SPM® 45 | Rohr | Nicht für Designs | K. Loch | 26-Powerdip-Modul (1.024 ", 26,00 mm) | IGBT | Fnb40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | 3 Phase | 5 a | 600 V | 2000VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTBV5605T4G | 1.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTBV56 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 18,5a (TA) | 5v | 140 MOHM @ 8.5A, 5V | 2v @ 250 ähm | 22 NC @ 5 V | ± 20 V | 1190 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRA160T3G | 0,4400 | ![]() | 4984 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | MBRA160 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBRA160T3GOStr | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 510 mv @ 1 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551RLRP | - - - | ![]() | 8326 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N5551 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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