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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PCFFS30120AF | 15.2300 | ![]() | 6091 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | PCFFS30120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-PCFFS30120AF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,75 V @ 30 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 46a | 1740pf @ 1V, 100 kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD60N02RG | - - - | ![]() | 7262 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD60 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 8,5a (TA), 32A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 20A, 10V | 2v @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1330 PF @ 20 V | - - - | 1,25W (TA), 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rurg80100-F085 | - - - | ![]() | 4413 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-2 | Rurg80100 | Standard | To-247-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,9 V @ 80 a | 200 ns | 250 µa @ 80 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6347-TL-HX | - - - | ![]() | 5191 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | CPH634 | MOSFET (Metalloxid) | 6-cph | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,4 V @ 1ma | 10,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 860 PF @ 10 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntljd4116nt1g | 0,8500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | Ntljd41 | MOSFET (Metalloxid) | 710 MW | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 2.5a | 70 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | 427PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GFA007T-L058-PRD | - - - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-GFA007T-L058-PRD | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6662-TL-W | - - - | ![]() | 7160 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MCH6662 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | SC-88FL/MCPH6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 2a | 160 MOHM @ 1A, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 1,8nc @ 4,5V | 128PF @ 10V | Logikpegel -Tor, 1,8 V Auftwerk | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK543-4-TB-E | 1.0000 | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS4212RTA | - - - | ![]() | 3593 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns42 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS3D0P04M8LT1G | 2.9700 | ![]() | 8213 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | P-Kanal | 40 v | 28a (ta), 183a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 30a, 10V | 2,4 V @ 2MA | 124 NC @ 10 V | ± 20 V | 5827 PF @ 20 V | - - - | 3,9W (TA), 171W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK1421 | 1.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PC-GFA00JG-L09F | - - - | ![]() | 8596 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-PC-GFA00JG-L09F | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ5253BT1 | 0,0500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVR0520V2T1G | 0,4500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | NSVR0520 | Schottky | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 480 mv @ 500 mA | 12 ns | 75 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 35PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BLT1 | 0,0500 | ![]() | 545 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fw217-nmm-tl-e | 0,5500 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | FW217 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SURS8105T3G-VF01 | - - - | ![]() | 4085 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SURS8105 | Standard | SMB | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 875 mv @ 1 a | 35 ns | 2 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6008B_T50R | - - - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6008 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmsz3v3t1h | - - - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGF1M | 0,5400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RGF1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTZD5110NN1G | 0,3900 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NTZD5110 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 294ma | 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 0,7nc @ 4,5 v | 24.5PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2N80 | - - - | ![]() | 8758 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP2 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 2.4a (TC) | 10V | 6,3OHM @ 1,2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 550 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5388BRLG | 0,4900 | ![]() | 5766 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5388 | 5 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 152 V. | 200 v | 480 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4523S-TL-E-on | 0,7300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EMG2DXV5T5 | - - - | ![]() | 9405 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-553 | EMG2DX | 230 MW | SOT-553 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76409D3 | - - - | ![]() | 7322 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Hufa76 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 63mohm @ 18a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 16 v | 485 PF @ 25 V. | - - - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTS1245MFST3G | - - - | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTS1245 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 12 a | 120 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5237elt3g | - - - | ![]() | 6117 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCF010-TL-E | - - - | ![]() | 4224 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 3-smd, Möwenflügel | DCF010 | Standard | 3-MCP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5486_D74Z | - - - | ![]() | 2349 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 25 v | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5486 | 400 MHz | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | 20 ma | - - - | - - - | 4db | 15 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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