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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Hold (ih) (max) | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | MPSA63RLRMG | - - - | ![]() | 9989 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA63 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntljd3181pztag | - - - | ![]() | 7416 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | Ntljd31 | MOSFET (Metalloxid) | 710 MW | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.2a | 100mohm @ 2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7.8nc @ 4.5V | 450pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5HN01M-TL-H | - - - | ![]() | 1524 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 5HN01 | MOSFET (Metalloxid) | MCP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 100 mA (ta) | 4 V, 10V | 7.5OHM @ 50 mA, 10V | - - - | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6.2 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C13 | - - - | ![]() | 6832 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C13 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 10 v | 13 v | 26 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVB055N60S5F | 4.6942 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Onsemi | FRFET®, Superfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NVB055 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak-3 (to-263-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVB055N60S5FTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 45a (TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a, 10V | 4,8 V @ 5,2 mA | 85.2 NC @ 10 V. | ± 30 v | 4603 PF @ 400 V | - - - | 278W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njvmjd31t4g | 0,6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD31 | 1,56 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 40 v | 3 a | 50 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3416LT3 | 0,0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | MMBT3416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5930BT3G | 0,5000 | ![]() | 5700 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5930 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 12,2 V. | 16 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0107Marlrfg | - - - | ![]() | 7649 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | Z010 | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 1 a | 1,3 v | 8a @ 60Hz | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB75N03L09G | - - - | ![]() | 1540 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB75 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 75a (TC) | 5v | 8mohm @ 37,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 75 NC @ 5 V. | ± 20 V | 5635 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5223B_T50R | - - - | ![]() | 6665 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5223 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW66GLT1G | 0,2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW66 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 20na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH5818-tl-e | - - - | ![]() | 2233 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ech8305-tl-e | 0,2300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | MOSFET (Metalloxid) | 8-Ech | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 4a (ta) | 85mohm @ 2a, 10V | - - - | 34 NC @ 10 V. | 1680 PF @ 20 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4177-DL-1E | - - - | ![]() | 9948 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 2SK4177 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 1500 V | 2a (ta) | 10V | 13ohm @ 1a, 10V | - - - | 37,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 380 PF @ 30 V | - - - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fep16htd | - - - | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Fep16 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 500 V | 16a | 1,5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SURS360DBT3G | - - - | ![]() | 2798 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | SURS360 | - - - | 488-surs360DBT3G | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4747A_T50R | - - - | ![]() | 1295 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4747 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5248DRL | - - - | ![]() | 7285 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTLJD2104PTBG | - - - | ![]() | 6864 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | Ntljd21 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 2.4a | 90 MOHM @ 3a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 8nc @ 4,5 V | 467PF @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP17N08 | - - - | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 80 v | 16,5a (TC) | 10V | 115mohm @ 8.25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 25 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5919BT3G | 0,8300 | ![]() | 7259 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SZ1SMB5919 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MR852 | - - - | ![]() | 6921 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | MR85 | Standard | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 3 a | 300 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm3z9v1t3g | - - - | ![]() | 5649 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MM3Z9 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 9.1 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm3z4v7st1g | 0,1500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Mm3z4 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVBB60H100CTT4G | 3.3600 | ![]() | 1920 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NRVBB60 | Schottky | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 840 mv @ 30 a | 10 µa @ 100 V. | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBT150-06J | - - - | ![]() | 7659 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SBT150 | Schottky | To-220ml | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 580 mv @ 6 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BWT1G | 0,1600 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N30TF | - - - | ![]() | 6634 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD5 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 300 V | 4.4a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.2a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 430 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EFC3C001NUZTCG | - - - | ![]() | 8068 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | EFC3C001 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | 4-WLCSP (1,26x1.26) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-efc3c001nuztcg-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | - - - | - - - | - - - | 1,3 V @ 1ma | 15nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -Tor, 2,5 V. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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