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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Hold (ih) (max) | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | SMBT1570LT3 | 0,0200 | ![]() | 9008 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 12.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6401G | 0,6600 | ![]() | 710 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 452 | 40 ma | 100 v | 16 a | 1,5 v | 160a @ 60Hz | 30 ma | 1,7 v | 10 a | 10 µA | Standardwiederherherster | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sbs804-tl-e | 0,2200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | SBS804 | Schottky | 5-cph | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 15 v | 1a | 400 mV @ 1 a | 15 ns | 500 µa @ 6 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mura120t3h | - - - | ![]() | 7629 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Mura120 | Standard | SMA | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 875 mv @ 1 a | 35 ns | 2 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRK360R2G | 0,4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPS9565RLRA | - - - | ![]() | 2703 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBD1490LT3 | 0,0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMS4801NR2G | - - - | ![]() | 5329 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS4801 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 7.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 2201 PF @ 25 V. | - - - | 800 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2044-e | 0,4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv1845umtf | - - - | ![]() | 6221 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV184 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 600 @ 1ma, 6v | 110 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K1560G3 | - - - | ![]() | 1085 | 0.00000000 | Onsemi | Stealth ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | ISL9K1560 | Standard | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 15a | 2,2 V @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD16N15TF | - - - | ![]() | 4861 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 11,8a (TC) | 10V | 160MOHM @ 5.9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 25 V | 910 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 55 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5346B | - - - | ![]() | 8172 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5346 | 5 w | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N5346BOS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 7,5 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVUS240VT3G | 0,5300 | ![]() | 7747 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | NRVUS240 | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 a | 65 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VEC2402-TL-E | 0,2800 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXH010P90MNF1PG | - - - | ![]() | 3288 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | NXH010 | Silziumkarbid (sic) | 328W (TJ) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH010P90MNF1PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 900V | 154a (TC) | 14mohm @ 100a, 15 V | 4,3 V @ 40 mA | 546.4nc @ 15V | 7007PF @ 450V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTP13N10G | - - - | ![]() | 5826 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | NTP13N | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NTP13N10GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 13a (ta) | 10V | 165mohm @ 6.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 550 PF @ 25 V. | - - - | 64.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 12a01m-tl-e | - - - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-12A01M-TL-E-488 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF2045CTG | 1.3600 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MBRF2045 | Schottky | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 570 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSA12TC | 0,0900 | ![]() | 4246 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 70 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu2N60TU | - - - | ![]() | 6821 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Fqu2 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.7ohm @ 1a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVS2B | 0,4900 | ![]() | 5958 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,15 V @ 2 a | 2 µs | 1 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSAM10SH60 | - - - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | Onsemi | SPM® | Rohr | Veraltet | K. Loch | 32-Powerdip-Modul (1,370 ", 34,80 mm) | IGBT | FSAM10 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 3 Phase | 10 a | 600 V | 2500 VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZBZX84C9V1ET3G | 0,2400 | ![]() | 1357 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCR218-8FP | 0,3400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC012N03 | 2.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC012 | MOSFET (Metalloxid) | Power33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35A (TA), 185A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,23MOHM @ 35A, 10V | 2v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 12 V | 8183 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 64W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C460NLT3G | - - - | ![]() | 9683 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 78a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 35A, 10V | 2v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.6W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA5936BT3 | - - - | ![]() | 1658 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5936 | 1,5 w | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 22,8 V. | 30 v | 26 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS2369Arlrp | - - - | ![]() | 4774 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS236 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 15 v | 200 ma | 400na | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6025CRL | 0,0500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | 500 MW | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 84 v | 110 v | 650 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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