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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUFA76619D3S | - - - | ![]() | 5578 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Hufa76 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 85mohm @ 18a, 10V | 3v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 16 v | 767 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3476-TL-H | - - - | ![]() | 4371 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | MCH3476 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70FL/MCPH3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 125mohm @ 1a, 4,5 V. | - - - | 1,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 128 PF @ 10 V | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744a | 0,2900 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4744 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB3040Cs | - - - | ![]() | 2453 | 0.00000000 | Onsemi | ECOSPARK® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB | FGB3040 | Logik | 150 w | D²pak-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 300 V, 1kohm, 5V | - - - | 430 v | 21 a | 1,6 V @ 4V, 6a | - - - | 15 NC | -/4,7 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD6N50CTM | - - - | ![]() | 4710 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD6N50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,25A, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 30 v | 700 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 61W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD3817N-35G | - - - | ![]() | 1011 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | Ntd38 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 16 v | 7,6A (TA), 34,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,9 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10,5 NC @ 4,5 V | ± 16 v | 702 PF @ 12 V | - - - | 1,2 W (TA), 25,9 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP110N65F | 6.8600 | ![]() | 3605 | 0.00000000 | Onsemi | FRFET®, Superfet® II | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FCP110 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 35a (TC) | 10V | 110MOHM @ 17.5a, 10V | 5v @ 3,5 mA | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4895 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C410NAFT3G | 2.2143 | ![]() | 6931 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 46A (TA), 300A (TC) | 10V | 0,92 MOHM @ 50A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 6100 PF @ 25 V. | - - - | 3,9W (TA), 166W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVE4153NT1G | 0,5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | NVE4153 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 915 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 230mohm @ 600 mA, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 1,82 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 110 PF @ 16 V | - - - | 300 MW (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDCTR05120A | 3.4450 | ![]() | 7259 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | NDCTR05120 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NDCTR05120ATR | 3.000 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4141-F085 | - - - | ![]() | 5586 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS41 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 10.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2005 PF @ 20 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN4302RBU | - - - | ![]() | 1192 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | FJN430 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5400RLRP | - - - | ![]() | 8058 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2n5400 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 120 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 40 @ 10ma, 5V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS6N548 | - - - | ![]() | 3537 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ4690T3G | 0,3700 | ![]() | 2673 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ4690 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 4 V. | 5.6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA16N50-F109 | - - - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA16 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA708OBU | - - - | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSA708 | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 70 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3327-TL-E | 1.0000 | ![]() | 3546 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | MOSFET (Metalloxid) | 3-cph | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 600 mA (TA) | 1,45 Ohm @ 300 mA, 10 V. | - - - | 7 NC @ 10 V | 245 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4420dy | - - - | ![]() | 1141 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI442 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SI4420DYFS | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 12.5a, 10V | 1V @ 250 ähm | 53 NC @ 5 V. | ± 20 V | 2180 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD32N06-1G | - - - | ![]() | 7897 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Ntd32 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 32a (ta) | 10V | 26mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 1,5W (TA), 93,75W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ5238BT1G | 0,3700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2582 | 1.2700 | ![]() | 1019 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS25 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 4.1a (ta) | 6 V, 10V | 66mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1290 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGHL75T65LQDT | 6.6600 | ![]() | 8493 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 469 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-fghl75t65lqdt | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 75A, 4,7OHM, 15 V. | 152 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 300 a | 1,35 V @ 15V, 75A | 1,88MJ (EIN), 2,38 MJ (AUS) | 793 NC | 48ns/568ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB110N15A | 5.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB110 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 92a (TC) | 10V | 11Mohm @ 92a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 4510 PF @ 75 V | - - - | 234W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3S | - - - | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HUF75 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 100 v | 56a (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 NC @ 20 V | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3040D3ST-F085C | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | ECOSPARK® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ISL9V3040 | Logik | 150 w | D-Pak (to-252) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300 V, 1000 Ohm, 5 V. | 7 µs | - - - | 430 v | 21 a | 1,6 V @ 4V, 6a | - - - | 17 NC | -/4 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBD110DWT1G | - - - | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MBD11 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 120 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 7v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2_D87Z | - - - | ![]() | 5372 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C8 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DLE30C | - - - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | DLE30 | Standard | Axial | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | 150 ° C (max) | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTNS2K1P021ZTCG | 0,6000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | Ntns2 | MOSFET (Metalloxid) | 3-XDFN (0,42 x 0,62) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 20 v | 127 mA (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 5ohm @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 8 v | 12800 PF @ 15 V | - - - | 125 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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