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Diskette HalblerProdukte (26937)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD50N03R | - - - |  | 2808 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD50 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 7,8a (TA), 45A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 12mohm @ 30a, 11,5 V. | 2v @ 250 ähm | 15 NC @ 11,5 V. | ± 20 V | 750 PF @ 12 V | - - - | 1,5 W (TA), 50 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NRVHP260SFT3G | 0,1460 | | 4209 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | NRVHP260 | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NRVHP260SFT3GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 4,2 V @ 2 a | 50 ns | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8880-G | - - - | | 4373 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2832-FDD8880-GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta), 58a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 35a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 1260 PF @ 15 V | - - - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Mv2109g | - - - | | 4583 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-2, to-92-2 (to-226ac) | Mv210 | To-92 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MV2109GOS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | 36.3PF @ 4V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 3.2 | C2/C30 | 200 @ 4V, 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDWS9420-F085 | - - - | | 9591 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDWS9 | MOSFET (Metalloxid) | 75W | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20A (TC) | 5.8mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43nc @ 10v | 2100pf @ 20V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVMFS5C430NLWFAFT1G | 2.6400 | | 9551 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 38a (TA), 200A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,4mohm @ 50a, 10V | 2v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 4300 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 110 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C9V1LT1G | 0,1600 | | 5821 | 0.00000000 | Onsemi | BZX84CXXXLT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C9 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5998B_T50R | - - - | | 5008 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5998 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6,5 V. | 8.2 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Nthd5904nt1g | - - - | | 2264 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | NTHD59 | MOSFET (Metalloxid) | Chipfet ™ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3,3a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 465 PF @ 16 V. | - - - | 640 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
| NTHS5441T1G | 1.2000 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | NTHS5441 | MOSFET (Metalloxid) | Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.9a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 22 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 710 PF @ 5 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | KSH117TM | - - - | | 2666 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | KSH11 | 1,75 w | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 2 a | 20 µA | PNP - Darlington | 3v @ 40 mA, 4a | 1000 @ 2a, 3v | 25 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FCD7N60TM-WS | 2.2500 | | 10 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet ™ | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FCD7N60 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 920 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| NRVHPM260T3G | 0,1803 | | 7044 | 0.00000000 | Onsemi | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-216aa | NRVHPM260 | Standard | PowerMite | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3,8 V @ 2 a | 30 ns | 500 NA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFD6H840NLT1G | 1.3008 | | 4006 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NTMFD6 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W (TA), 90W (TC) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 14a (ta), 74a (TC) | 6,9 MOHM @ 20A, 10V | 2v @ 96 ähm | 32nc @ 10v | 2022pf @ 40V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSA1175YBU | - - - | | 5487 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | KSA1175 | 250 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSVMMBD354LT1G | 0,6400 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD354 | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 300 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Common Cathode | 7v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fqa11n90 | - - - | | 5275 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa1 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 900 V | 11.4a (TC) | 10V | 960MOHM @ 5.7A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 94 NC @ 10 V | ± 30 v | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| FDD9411L-F085 | - - - | | 8849 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD9411 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 1210 PF @ 20 V | - - - | 48,4W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BS170RLRMG | - - - | | 1711 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BS170 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 (to-226) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 500 mA (TA) | 10V | 5ohm @ 200 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 10 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT1232LT1G | 0,0200 | | 280 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMC8884-F126 | - - - | | 5636 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC88 | MOSFET (Metalloxid) | 8-MLP (3,3x3,3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9A (TA), 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 685 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 18W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FQP19N20L | - - - | | 1068 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 21a (TC) | 5v, 10V | 140 MOHM @ 10,5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDH44N50 | 8.0200 | | 1231 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FDH44 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 44a (TC) | 10V | 120MOHM @ 22A, 10V | 4v @ 250 ähm | 108 NC @ 10 V | ± 30 v | 5335 PF @ 25 V. | - - - | 750 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA75329D3S | - - - | | 4976 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Hufa75 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 55 v | 20A (TC) | 10V | 26mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 65 NC @ 20 V | ± 20 V | 1060 PF @ 25 V. | - - - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1203S-FTT-TL-E | 0,3300 | | 13 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTTFS5C453NLTAG | 2.7000 | | 9709 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NTTFS5C453NLTAGOSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 23a (TA), 107a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 40a, 10V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 3,3 W (TA), 68 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | 2.8900 | | 5500 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 22A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 50a, 10V | 2v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2200 PF @ 50 V | - - - | 3.7W (TA), 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS6986AS_SN00192 | - - - | | 1507 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench®, SyncFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS69 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW | 8-so | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6,5a, 7,9a | 29MOHM @ 6,5A, 10V, 20MOHM @ 7,9a, 10 V. | 3v @ 250 µA, 3V @ 1ma | 9nc @ 5v, 8nc @ 5v | 720pf @ 10v, 550pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDP15N50 | - - - | | 9198 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 500 V | 15a (TC) | 10V | 380MOHM @ 7,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 30 v | 1850 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75345G3 | 4.4500 | | 5346 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | HUF75345 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 275 NC @ 20 V | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 325W (TC) |
2000+
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