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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FDD850N10L onsemi FDD850N10L 1.1800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD850 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 15,7a (TC) 5v, 10V 75mohm @ 12a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 28.9 NC @ 10 V. ± 20 V 1465 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
NGTB40N65FL2WG onsemi NGTB40N65FL2WG 5.7000
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 NGTB40 Standard 366 w To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. 72 ns TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 160 a 2v @ 15V, 40a 970 µJ (EIN), 440 µJ (AUS) 170 nc 84ns/177ns
NXH450B100H4Q2F2PG onsemi NXH450B100H4Q2F2PG 225.0600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 234 w Standard 56-Pim (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH450B100H4Q2F2PG Ear99 8541.29.0095 12 2 Unabhängig - - - 1000 v 101 a 2,25 V @ 15V, 150a 600 µA Ja 9.342 NF @ 20 V
FDMS9410-F085 onsemi FDMS9410-F085 - - -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn FDMS94 MOSFET (Metalloxid) Power56 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 50a (TC) 10V 4.4mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 36 NC @ 10 V ± 20 V 1790 PF @ 20 V - - - 75W (TJ)
FQU20N06TU onsemi Fqu20n06TU - - -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Fqu2 MOSFET (Metalloxid) I-Pak - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.040 N-Kanal 60 v 16,8a (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 25 V 590 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 38W (TC)
FAM65CR51DZ2 onsemi FAM65CR51DZ2 - - -
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 12-Ssip-Exponierte-Pad, Gebildete-Leads Fam65 160 w Standard APMCD-B16 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 12 2 Unabhängig - - - 650 V 33 a - - - NEIN 4.86 NF @ 400 V
NFA50460R47 onsemi NFA50460R47 7.4000
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Onsemi Bewegung SPM® 5 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung IGBT Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 450 3 Phase Wechselrichter 4 a 600 V 1500 VRMs
NTLGF3501NT2G onsemi Ntlgf3501nt2g - - -
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 Onsemi Fetky ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-VDFN-Exponiertebad NTLGF3501 MOSFET (Metalloxid) 6-dfn (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 2.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 90 MOHM @ 3,4a, 4,5 V. 2v @ 250 ähm 10 NC @ 4,5 V. ± 12 V 275 PF @ 10 V - - - 1.14W (TA)
FFPF12UP20DNTU onsemi FFPF12UP20DNTU - - -
RFQ
 ECAD 8681 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack FFPF12 Standard To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 6a 1,15 V @ 6 a 12 ns 100 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
NXV65HR82DZ2 onsemi NXV65HR82DZ2 28.8349
RFQ
 ECAD 8179 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch 16-Ssip-Exponierte-Pad, Gebildete-Leads Mosfet Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXV65HR82DZ2 Ear99 8542.39.0001 72 H-Brückke 26 a 650 V 5000 VRMs
NVTFS5C673NLWFTAG onsemi NVTFS5C673NLWFTAG 1.6500
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn NVTFS5 MOSFET (Metalloxid) 8-WDFN (3,3x3,3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 60 v 13a (ta), 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,8 MOHM @ 25a, 10V 2v @ 250 ähm 9,5 NC @ 10 V. ± 20 V 880 PF @ 25 V. - - - 3.1W (TA), 46W (TC)
ISL9V5036S3ST_SB82170 onsemi ISL9V5036S3ST_SB82170 - - -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Onsemi ECOSPARK® Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Isl9 Logik 250 w D²pak (to-263) - - - Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V, 1kohm, 5V - - - 390 v 46 a 1,6 V @ 4V, 10a - - - 32 NC -/10,8 µs
NVTFS5C471NLWFTAG onsemi NVTFS5C471NLWFTAG 1.6200
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn NVTFS5 MOSFET (Metalloxid) 8-WDFN (3,3x3,3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 40 v 41a (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 10a, 10V 2,2 V @ 20 ähm 5,5 NC @ 4,5 V ± 20 V 660 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
NTMFS4849NT3G onsemi NTMFS4849NT3G - - -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS4 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 10.2a (TA), 71a (TC) 4,5 V, 11,5 V. 5.1MOHM @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 22 NC @ 4,5 V. ± 16 v 2040 PF @ 12 V - - - 870 MW (TA), 42,4W (TC)
NGTG50N60FLWG onsemi NGTG50N60FLWG - - -
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 NGTG50 Standard 223 w To-247-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. Graben 600 V 100 a 200 a 1,9 V @ 15V, 50a 1,1MJ (EIN), 600 µJ (AUS) 310 NC 116ns/292ns
NTMFS4D8N02HT1G onsemi NTMFS4D8N02HT1G - - -
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-NTMFS4D8N02HT1GTR Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 25 v 21A (TA), 75A (TC) 4,5 V, 10 V. 4.2mohm @ 20a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 13.4 NC @ 10 V. ± 20 V 780 PF @ 12 V - - - 3.2W (TA), 41W (TC)
ATP101-V-TL-H onsemi ATP101-V-TL-H - - -
RFQ
 ECAD 7760 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung ATPAK (2 Leads+Tab) ATP101 - - - Atpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 25a (TJ) - - - - - - - - - - - -
NVMFS5C468NLAFT3G onsemi NVMFS5C468NLAFT3G 0,4424
RFQ
 ECAD 4579 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NVMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 13a (ta), 37a (TC) 4,5 V, 10 V. 10.3mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 7.3 NC @ 10 V ± 20 V 570 PF @ 25 V. - - - 3,5 W (TA), 28W (TC)
FGPF70N30TDTU onsemi FGPF70N30TDTU - - -
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FGPF7 Standard 49,2 w To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 - - - 21 ns Graben 300 V 160 a 1,5 V @ 15V, 20a - - - 125 NC - - -
FDP047N08-F102 onsemi FDP047N08-F102 1.7431
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FDP047 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 75 V 164a (TC) 10V 4.7OHM @ 80A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 152 NC @ 10 V ± 20 V 9415 PF @ 25 V. - - - 268W (TC)
NTMFS4846NT1G onsemi NTMFS4846NT1G - - -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS4 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 30 v 12,7a (TA), 100A (TC) 4,5 V, 11,5 V. 3.4mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 53 NC @ 11.5 V. ± 20 V 3250 PF @ 12 V - - - 890 MW (TA), 55,5W (TC)
NXH50M65L4Q1PTG onsemi NXH50M65L4Q1PTG - - -
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 86 w Standard 53-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH50M65L4Q1PTG Ear99 8541.29.0095 21 Volle Brucke TRABENFELD STOPP 650 V 48 a 2,22 V @ 15V, 50a 300 µA Ja 3.137 NF @ 20 V
5185-2N4392 onsemi 5185-2N4392 - - -
RFQ
 ECAD 8520 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N4392 - - - - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 N-Kanal - - - 40 v 60 Ohm
FGA6560WDF onsemi FGA6560WDF 4.8600
RFQ
 ECAD 421 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FGA6560 Standard 306 w To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 60A, 6OHM, 15 V. 110 ns TRABENFELD STOPP 650 V 120 a 180 a 2,3 V @ 15V, 60a 2,46MJ (EIN), 520 µJ (AUS) 84 NC 25,6ns/71ns
FDMT800152DC onsemi FDMT800152DC 3.4450
RFQ
 ECAD 4985 0.00000000 Onsemi Dual Cool ™, Powertrench® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn FDMT800152 MOSFET (Metalloxid) 8-Dual Cool ™ 88 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 150 v 13a (ta), 72a (TC) 6 V, 10V 9mohm @ 13a, 10V 4v @ 250 ähm 83 NC @ 10 V ± 20 V 5875 PF @ 75 V - - - 3.2W (TA), 113W (TC)
BC850BLT1 onsemi BC850BLT1 - - -
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC850 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
BFL4001-1E onsemi BFL4001-1e - - -
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack BFL40 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Fullpack/to-220F-3SG - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 900 V 4.1a (TC) 10V 2,7OHM @ 3,25A, 10V - - - 44 NC @ 10 V. ± 30 v 850 PF @ 30 V - - - 2W (TA), 37W (TC)
MZP4735ARL onsemi MZP4735Arl - - -
RFQ
 ECAD 1602 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial MZP47 3 w Axial Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,5 V @ 200 Ma 10 µa @ 3 V 6.2 v 2 Ohm
FDD5614P onsemi FDD5614p - - -
RFQ
 ECAD 5259 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD5614 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 15a (ta) 4,5 V, 10 V. 100mohm @ 4,5a, 10 V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 10 v ± 20 V 759 PF @ 30 V - - - 3,8 W (TA), 42W (TC)
SBC846BDW1T1G-M01 onsemi SBC846BDW1T1G-M01 - - -
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SBC846 380 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 - - - UnberÜHrt Ereichen 488-SBC846BDW1T1G-M01 Ear99 8541.21.0095 1 65 V 100 ma 15NA (ICBO) 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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