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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Testedingung | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | STPS20L15G-TR | 2.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STPS20 | Schottky | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 410 mv @ 19 a | 6 ma @ 15 V | 125 ° C (max) | 20a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIpl10C60 | - - - | ![]() | 9721 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | * | Rohr | Aktiv | STGIpl10 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 120 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1R06AF | 0,4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Stth1 | Standard | SOD128flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 1 a | 45 ns | 1 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STIPQ5M60T-Hz | 11.6000 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | SLLIMM ™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | 26-Powerdip-Modul (0,846 ", 21,48 mm) | Mosfet | Stipq5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-17573 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3 Phase Wechselrichter | 80 Ma | 600 V | 1500 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30M60DJF-TR | 1.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | STPS30 | Schottky | Powerflat ™ (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 720 mv @ 30 a | 90 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 30a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP43N60DM2 | 6.4700 | ![]() | 5595 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ DM2 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP43 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-16342-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 93mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 25 V | 2500 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD20N20T4 | - - - | ![]() | 1630 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | StripFet ™ II | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STD20N | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 125mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 940 PF @ 25 V. | - - - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA312B | - - - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | TurboSwitch ™ | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STTA312 | Standard | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 3 a | 115 ns | 20 µA @ 1200 V | 125 ° C (max) | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ST5027 | - - - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | ST5027 | 90 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 800 V | 3 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1235T-6i | 1.8117 | ![]() | 1519 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | T1235 | To-220ab Isolier | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | Einzel | 30 ma | Alternistor - Schubberlos | 600 V | 12 a | 1,3 v | 90a, 95a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL10N3llH5 | 1.0900 | ![]() | 4576 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Stripfet ™ v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl10 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 22 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW28NM50N | 8.0100 | ![]() | 579 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW28 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-10718-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 21a (TC) | 10V | 158mohm @ 10,5a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 25 V | 1735 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPSC4H065DLF | 2.8000 | ![]() | 2529 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | ECOPACK®2 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | STPSC4 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Powerflat ™ (8x8) HV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 4 a | 0 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 245PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1210DY | 2.7600 | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | STTH1210 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-13444 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 2 V @ 12 a | 90 ns | 10 µa @ 1000 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF10N60M2 | 1.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II Plus | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 7.5a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 400 PF @ 100 V | - - - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF12NM50N | - - - | ![]() | 1721 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-4804-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 380MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 25 V | 940 PF @ 50 V | - - - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX616-AP | 0,6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | STX616 | 2,8 w | To-92AP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 500 V | 1,5 a | 50 µA | Npn | 1v @ 200 Ma, 1a | 12 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Let9045 | - - - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 80 v | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Gebildete-Leads) | Let9045 | 960 MHz | Ldmos | PowerSo-10RF (Gebildete Blei) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 9a | 300 ma | 59W | 17.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH8R04FP | - - - | ![]() | 1903 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | STTH8R04 | Standard | To-220fpac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFU13N65M2 | 2.2500 | ![]() | 983 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ M2 | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STFU13 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 10a (TC) | 10V | 430mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 25 V | 590 PF @ 100 V | - - - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF2L27025CG2 | 36.3000 | ![]() | 8685 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Aktiv | 65 V | Oberflächenhalterung | E2 | RF2L27025 | 700 MHz ~ 2,7 GHz | Ldmos | E2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 497-RF2L27025CG2 | 300 | - - - | 1 µA | 25W | 18db | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS110-8UF | 0,9000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | TS110 | Smbflat-3l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15486-2 | Ear99 | 8541.30.0080 | 5.000 | 12 Ma | 800 V | 1,25 a | 800 mV | 20a, 21a | 100 µA | 1,6 v | 800 mA | Sensibler tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD56120 | - - - | ![]() | 3613 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Kasten | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | M246 | SD56120 | 860 MHz | Ldmos | M246 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 14a | 400 ma | 100W | 16 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF5L051K4CB4 | 180.0000 | ![]() | 5585 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Aktiv | 110 v | Chassis -berg | D4e | RF5L051K4 | 500 MHz | Ldmos | D4e | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 497-RF5L051K4CB4 | 100 | - - - | 1 µA | 200 ma | 1400W | 20,5 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TN2010H-6T | 1.2300 | ![]() | 878 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TN2010 | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-17751 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 ma | 600 V | 20 a | 1,3 v | 197a, 180a | 10 ma | 1,6 v | 12.7 a | 5 µA | Sensibler tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTB12-800BRG | - - - | ![]() | 2086 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BTB12 | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | Einzel | 50 ma | Standard | 800 V | 12 a | 1,3 v | 120a, 126a | 50 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS30L60CT | 1.6000 | ![]() | 3365 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | STPS30 | Schottky | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 600 mv @ 15 a | 480 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T810-800b-tr | 1.7700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | T810 | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.500 | Einzel | 15 Ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 8 a | 1,3 v | 80a, 84a | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB22NS25ZT4 | - - - | ![]() | 4675 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mesh Overlay ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB22N | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 22a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 151 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB8NC60KDT4 | 1.7400 | ![]() | 4501 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STGB8 | Standard | 65 w | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 390 V, 3a, 10ohm, 15 V. | 23.5 ns | - - - | 600 V | 15 a | 30 a | 2,75 V @ 15V, 3a | 55 µJ (EIN), 85 µJ (AUS) | 19 NC | 17ns/72ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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