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Diskette HalblerProdukte (6390)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
STGP12NB60HD STMicroelectronics STGP12NB60HD - - -
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 Stmicroelektronik PowerMesh ™ Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STGP12 Standard 125 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 480 V, 12a, 10ohm, 15 V. 80 ns - - - 600 V 30 a 60 a 2,8 V @ 15V, 12a 210 µj (AUS) 68 NC 5ns/91ns
BD140-16 STMicroelectronics BD140-16 0,4200
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 BD140 1,25 w SOT-32 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 80 v 1,5 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 2v, 150 mA - - -
STD3NM60N STMicroelectronics STD3NM60N 1.2200
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ II Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Std3 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 3.3a (TC) 10V 1,8OHM @ 1,65A, 10V 4v @ 250 ähm 9,5 NC @ 10 V. ± 25 V 188 PF @ 50 V. - - - 50W (TC)
STP3NK50Z STMicroelectronics STP3NK50Z 0,8100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Stmicroelektronik Supermesh ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STP3NK50 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 2.3a (TC) 10V 3,3OHM @ 1,15A, 10 V. 4,5 V @ 50 µA 15 NC @ 10 V ± 30 v 280 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
STGWT20V60F STMicroelectronics STGWT20V60F 3.1300
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 STGWT20 Standard 167 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 20a, 15 V TRABENFELD STOPP 600 V 40 a 80 a 2,2 V @ 15V, 20a 200 µJ (Ein), 130 µJ (AUS) 116 NC 38ns/149ns
TIP42C STMicroelectronics TIP42C 0,9100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP42 65 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 100 v 6 a 700 ähm PNP 1,5 V @ 600 Ma, 6a 15 @ 3a, 4V - - -
TYN412RG STMicroelectronics Tyn412rg 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch To-220-3 Tyn412 To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 50 30 ma 400 V 12 a 1,3 v 140a, 145a 15 Ma 1,6 v 8 a 5 µA Standardwiederherherster
STPS3030CG STMicroelectronics STPS3030CG - - -
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STPS3030 Schottky D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 15a 490 mv @ 15 a 1 ma @ 30 v 150 ° C (max)
STP26N60DM6 STMicroelectronics STP26N60DM6 4.0100
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ DM6 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STP26 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-18499 Ear99 8541.29.0095 350 N-Kanal 600 V 18a (TC) 10V 195mohm @ 9a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 24 nc @ 10 v ± 25 V 940 PF @ 100 V - - - 130W (TC)
STB3N62K3 STMicroelectronics STB3N62K3 1,8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelektronik Supermesh3 ™ Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB3N MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 620 v 2.7a (TC) 10V 2,5OHM @ 1,4a, 10 V. 4,5 V @ 50 µA 13 NC @ 10 V ± 30 v 385 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
STIPNS1M50SDT-H STMicroelectronics Stipns1m50Sdt-H 8.8500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Stmicroelektronik SLLIMM ™ Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung 26-Leistungs-Modul, Möwenflügel Mosfet Stipns1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 400 3 Phase Wechselrichter 1 a 500 V 1000 VRMs
STP50NE08 STMicroelectronics STP50NE08 - - -
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STP50N MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-2787-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 80 v 50a (TC) 10V 24MOHM @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V 5100 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
Z0110DN 5AA4 STMicroelectronics Z0110DN 5AA4 - - -
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa Z0110 SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1.000 Einzel 25 ma Standard 400 V 1 a 1,3 v 8a, 8,5a 25 ma
STB200NF04T4 STMicroelectronics STB200NF04T4 - - -
RFQ
 ECAD 3344 0.00000000 Stmicroelektronik StripFet ™ II Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB200N MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 40 v 120a (TC) 10V 3,7 MOHM @ 90A, 10V 4v @ 250 ähm 210 nc @ 10 v ± 20 V 5100 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
STPS40M100CR STMicroelectronics STPS40M100CR 2.6300
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa STPS40 Schottky I2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 780 mv @ 20 a 70 µa @ 100 V 150 ° C (max)
STTH30W03CW STMicroelectronics STTH30W03CW - - -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet K. Loch To-247-3 STTH30 Standard To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 300 V 15a 1,4 V @ 15 a 20 ns 10 µA @ 300 V 175 ° C (max)
STF12NK80Z STMicroelectronics STF12NK80Z 1.9175
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 Stmicroelektronik Supermesh ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack STF12 MOSFET (Metalloxid) To-220fp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 800 V 10.5a (TC) 10V 750 MOHM @ 5.25A, 10V 4,5 V @ 100 µA 87 NC @ 10 V ± 30 v 2620 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
BTA26-600BW STMicroelectronics Bta26-600bw - - -
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 Stmicroelektronik Snubberless ™ Rohr Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch Top-3 Isolier Bta26 Top3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 120 Einzel 75 Ma Alternistor - Schubberlos 600 V 25 a 1,3 v 250a, 260a 50 ma
STI42N65M5 STMicroelectronics STI42N65M5 - - -
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ v Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa STI42N MOSFET (Metalloxid) I2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 33a (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10V 5 V @ 250 ähm 100 nc @ 10 v ± 25 V 4650 PF @ 100 V - - - 190W (TC)
STP6NB90 STMicroelectronics STP6NB90 - - -
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Stmicroelektronik PowerMesh ™ Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STP6N MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 900 V 5.8a (TC) 10V 2OHM @ 3a, 10V 5 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 30 v 1400 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
STTH61R04TV1 STMicroelectronics STTH61R04TV1 - - -
RFQ
 ECAD 4588 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet Chassis -berg Isotop Stth61 Standard ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 400 V 30a 1,45 V @ 30 a 65 ns 15 µa @ 400 V
STTH1302CT STMicroelectronics STTH1302CT - - -
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 STTH1302 Standard To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 6.5a 1,1 V @ 6,5 a 25 ns 6 µa @ 200 V. 175 ° C (max)
STH260N6F6-2 STMicroelectronics STH260N6F6-2 4.7200
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Stmicroelektronik Deepgate ™, Stripfet ™ vi Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STH260 MOSFET (Metalloxid) H2PAK-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 180a (TC) 10V 2,4 MOHM @ 60A, 10V 4v @ 250 ähm 183 NC @ 10 V. ± 20 V 11800 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
STI100N10F7 STMicroelectronics STI100N10F7 - - -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 Stmicroelektronik Stripfet ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa STI100 MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) - - - Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 100 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 61 NC @ 10 V ± 20 V - - - 150W (TC)
STPS3060CW STMicroelectronics STPS3060CW 2.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 STPS3060 Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 15a 850 mv @ 15 a 150 µa @ 60 V 150 ° C (max)
STH185N10F3-6 STMicroelectronics STH185N10F3-6 - - -
RFQ
 ECAD 6218 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101, Stripfet ™ F3 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) STH185 MOSFET (Metalloxid) H2PAK-6 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 100 v 180a (TC) 10V 4,5 MOHM @ 60A, 10V 4v @ 250 ähm 114.6 NC @ 10 V. ± 20 V 6665 PF @ 25 V. - - - 315W (TC)
STGIF7CH60TS-L STMicroelectronics STGIF7CH60TS-L - - -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 Stmicroelektronik SLLIMM ™ Rohr Aktiv K. Loch 26-Powerdip-Modul (1.134 ", 28.80 mm) IGBT Stgif7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 13 3 Phase 10 a 600 V 1500 VRMs
STPS30SM60SR STMicroelectronics STPS30SM60SR - - -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa STPS30 Schottky I2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 615 mv @ 30 a 135 µa @ 60 V 150 ° C (max) 30a - - -
STB11NM60N-1 STMicroelectronics STB11NM60N-1 - - -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ II Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Stb11n MOSFET (Metalloxid) I2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 10a (TC) 10V 450Mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 31 NC @ 10 V ± 25 V 850 PF @ 50 V - - - 90W (TC)
STTH30AC06CPF STMicroelectronics STTH30AC06CPF 2.9200
RFQ
 ECAD 580 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv K. Loch To-3Pf STTH30 Standard To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 15a 1,95 V @ 15 a 55 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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