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Diskette HalblerProdukte (6390)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
STWA65N60DM6 STMicroelectronics STWA65N60DM6 9.5200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ DM6 Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Stwa65 MOSFET (Metalloxid) To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 600 N-Kanal 600 V 38a (TC) - - - - - - - - - ± 25 V - - - - - -
STBR6008WY STMicroelectronics STBR6008WY 5.5700
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch Do-247-2 (Gerade-Leads) STBR6008 Standard Do-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STBR6008WY Ear99 8541.10.0080 30 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 60 a 5 µa @ 800 V -40 ° C ~ 175 ° C. 60a - - -
STB33N60M6 STMicroelectronics STB33N60M6 2.7429
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB33 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STB33N60M6TR Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 25a (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 33.4 NC @ 10 V. ± 25 V 1515 PF @ 100 V - - - 190W (TC)
STPSC2H065BY-TR STMicroelectronics STPSC2H065BY-TR 0,8336
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Stmicroelektronik Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STPSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky Dpak - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STPSC2H065BY-TR Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,55 V @ 2 a 0 ns 20 µa @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 2a 135PF @ 0V, 1MHz
STWA67N60M6 STMicroelectronics STWA67N60M6 9.2000
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M6 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Stwa67 MOSFET (Metalloxid) To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STWA67N60M6 Ear99 8541.29.0095 600 N-Kanal 600 V 52a (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 72,5 NC @ 10 V. ± 25 V 3400 PF @ 100 V - - - 330W (TC)
STBR3008G2Y-TR STMicroelectronics STBR3008G2Y-TR 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelektronik Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STBR3008 Standard D2PAK HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 30 a 2 µa @ 800 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
STTH30RQ06WL STMicroelectronics STTH30RQ06WL 2.9800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Stmicroelektronik ECOPACK®2 Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 STTH30 Standard Do-247 ll - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-Stth30RQ06WL Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2.95 V @ 30 a 55 ns 40 µa @ 600 V 175 ° C (max) 30a - - -
STGIB15CH60TS-LZ STMicroelectronics STGIB15CH60TS-LZ 17.7000
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 Stmicroelektronik SLLIMM ™ Rohr Aktiv K. Loch 26-Powerdip-Modul (1.146 ", 29,10 mm) IGBT STGIB15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STGIB15CH60TS-LZ Ear99 8542.39.0001 13 3 Phase Wechselrichter 20 a 600 V 1500 VRMs
STTH60RQ06-M2Y STMicroelectronics STTH60RQ06-M2Y 18.8900
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-smd-modul STTH60 Standard Acepack Smit Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 497-Stth60RQ06-M2YDKR Ear99 8541.10.0080 200 2.95 V @ 30 a 80 µa @ 600 V 60 a Einphase 600 V
STO67N60M6 STMicroelectronics STO67N60M6 7.3000
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn Sto67 MOSFET (Metalloxid) Maut (HV) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-Sto67N60M6TR Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 600 V 34a (TC) 10V 54mohm @ 26a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 72,5 NC @ 10 V. ± 25 V 3400 PF @ 100 V - - - 150W (TC)
STO67N60DM6 STMicroelectronics STO67N60DM6 7.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ DM6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn Sto67 MOSFET (Metalloxid) Maut (HV) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 600 V 33a (TC) 10V 59mohm @ 23.75a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 72,5 NC @ 10 V. ± 25 V 3400 PF @ 100 V - - - 150W (TC)
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG 36.5400
RFQ
 ECAD 7524 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca SCTH100 Sicfet (Silziumkarbid) H2PAK-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 650 V 95a (TC) 18V 26mohm @ 50a, 18V 5v @ 5ma 162 NC @ 18 V +22V, -10 V. 3315 PF @ 520 V. - - - 360W (TC)
SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG 22.2800
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 SCTW40 Sicfet (Silziumkarbid) HIP247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-SCTW40N120G2VAG Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 33a (TC) 18V 105mohm @ 20a, 18 V. 5v @ 1ma 63 NC @ 18 V +22V, -10 V. 1230 PF @ 800 V - - - 290W (TC)
STGWA60V60DWFAG STMicroelectronics STGWA60V60DWFAG 13.3900
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 STGWA60 Standard 375 w To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STGWA60V60DWFAG Ear99 8541.29.0095 600 400 V, 60a, 4,7ohm, 15 V. 200 ns TRABENFELD STOPP 600 V 80 a 240 a 2,3 V @ 15V, 60a 1,02MJ (EIN), 370 µJ (AUS) 314 NC 35ns/190ns
STGB30H65DFB2 STMicroelectronics STGB30H65DFB2 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelektronik Hb2 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa STGB30 Standard 167 w D2pak-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STGB30H65DFB2TR Ear99 8541.29.0095 1.000 400 V, 30a, 6,8 Ohm, 15 V. 115 ns TRABENFELD STOPP 650 V 50 a 90 a 2,1 V @ 15V, 30a 270 µJ (EIN), 310 µJ (AUS) 90 nc 18,4ns/71ns
STH10N80K5-2AG STMicroelectronics STH10N80K5-2AG 4.4100
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STH10 MOSFET (Metalloxid) H2PAK-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STH10N80K5-2AGTR Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 800 V 8a (TC) 10V 680Mohm @ 4a, 10V 5 V @ 100 µA 17.3 NC @ 10 V. ± 30 v 426 PF @ 100 V - - - 121W (TC)
T835H-8T STMicroelectronics T835H-8t 1.2100
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 Stmicroelektronik Snubberless ™ Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 T835 To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-T835H-8t Ear99 8541.30.0080 50 Einzel 35 Ma Alternistor - Schubberlos 600 V 8 a 1 v 80a, 84a 35 Ma
T1235H-8T STMicroelectronics T1235H-8t 1.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelektronik H Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 T1235 To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-T1235H-8t Ear99 8541.30.0080 50 Einzel 35 Ma Alternistor - Schubberlos 800 V 12 a 1,3 v 120a, 126a 35 Ma
STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics STPSC10H12B2-TR 6.0700
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Stmicroelektronik ECOPACK®2 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STPSC10 SIC (Silicon Carbide) Schottky Dpak hv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,5 V @ 10 a 0 ns 60 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a 725PF @ 0V, 1MHz
STTH1002CSF STMicroelectronics STTH1002CSF 0,8900
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 Stmicroelektronik ECOPACK®2 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn STTH1002 Standard To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 5a 1,05 V @ 5 a 35 ns 4 µA @ 200 V. 175 ° C.
T2535T-8T STMicroelectronics T2535T-8t 1.6600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Stmicroelektronik ECOPACK®2 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 T2535 To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-T2535T-8t Ear99 8541.30.0080 50 Einzel 35 Ma Standard 800 V 25 a 1 v 200a, 210a 35 Ma
STPS630CSFY STMicroelectronics STPS630CSFY 0,7300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn STPS630 Schottky To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STPS630CSFYCT Ear99 8541.10.0080 6.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 450 mV @ 3 a 95 µa @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
STGIPQ4C60T-HZ STMicroelectronics STGIPQ4C60T-Hz 9.7100
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 Stmicroelektronik SLLIMM NANO - 2. Rohr Aktiv K. Loch 26-Powerdip-Modul (0,846 ", 21,48 mm) IGBT Stgipq4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STGIPQ4C60T-Hz Ear99 8542.39.0001 360 3 Phase Wechselrichter 6 a 600 V 1500 VRMs
STPST10H100SF STMicroelectronics STPST10H100SF 0,9200
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 Stmicroelektronik ECOPACK®2 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn Schottky To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 700 mv @ 10 a 26 µa @ 100 V 175 ° C. 10a - - -
SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7 20.2800
RFQ
 ECAD 6222 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SCTH40 Sicfet (Silziumkarbid) H2PAK-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-SCTH40N120G2V-7TR Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 1200 V 36a (TC) 18V 100mohm @ 20a, 18 V. 4,9 V @ 1ma 61 NC @ 18 V +22V, -10 V. 1233 PF @ 800 V - - - 238W (TC)
STSJ100NH3LL STMicroelectronics STSJ100NH3ll - - -
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Stmicroelektronik StripFet ™ III Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad STSJ100N MOSFET (Metalloxid) 8-soic-ep Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 3,5 MOHM @ 12,5A, 10V 1V @ 250 ähm 40 NC @ 4,5 V. ± 16 v 4450 PF @ 25 V. - - - 3W (TA), 70 W (TC)
STD155N3LH6 STMicroelectronics STD155N3LH6 2.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelektronik Deepgate ™, Stripfet ™ vi Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD155 MOSFET (Metalloxid) D-Pak (to-252) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 80A (TC) 5v, 10V 3mohm @ 40a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 80 NC @ 5 V ± 20 V 3800 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
STP30NM30N STMicroelectronics STP30NM30N - - -
RFQ
 ECAD 4961 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ II Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STP30N MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 300 V 30a (TC) 10V 90 MOHM @ 15a, 10V 4v @ 250 ähm 75 NC @ 10 V ± 20 V 2500 PF @ 50 V - - - 160W (TC)
STB36N60M6 STMicroelectronics STB36N60M6 6.0400
RFQ
 ECAD 4766 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB36 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 30a (TC) 10V 99mohm @ 15a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 44,3 NC @ 10 V. ± 25 V 1960 PF @ 100 V - - - 208W (TC)
STD6N90K5 STMicroelectronics STD6N90K5 2.6900
RFQ
 ECAD 3471 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ K5 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD6N90 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-17072-2 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 900 V 6a (TC) 10V 1,1OHM @ 3a, 10V 5 V @ 100 µA ± 30 v - - - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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