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Diskette HalblerProdukte (6390)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) RAUSCHFIGUR Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
BUL3P5 STMicroelectronics Bul3p5 - - -
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 ECAD 6874 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Bul3p5 60 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V 3 a 100 µA PNP 500mv @ 200 Ma, 1a 18 @ 700 Ma, 5V - - -
STD37P3H6AG STMicroelectronics STD37P3H6AG - - -
RFQ
 ECAD 8113 0.00000000 Stmicroelektronik Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ H6 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD37 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 49a (TC) 10V 15mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 30.6 NC @ 10 V. ± 20 V 1630 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
STGIB15CH60TS-XZ STMicroelectronics STGIB15CH60TS-XZ 12.4920
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 Stmicroelektronik SLLIMM - 2. Schüttgut Aktiv K. Loch 26-Powerdip-Modul (1.146 ", 29,10 mm) IGBT STGIB15 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STGIB15CH60TS-XZ Ear99 8542.39.0001 156 3 Phase Wechselrichter 20 a 600 V 1600 VRMs
STD5N95K5 STMicroelectronics STD5N95K5 1.8300
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 Stmicroelektronik Supermesh5 ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD5N95 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 950 V 3,5a (TC) 10V 2,5 Ohm bei 1,5a, 10 V 5 V @ 100 µA 12,5 NC @ 10 V. ± 30 v 220 PF @ 100 V - - - 70W (TC)
STB28NM50N STMicroelectronics STB28NM50N 6.7700
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ II Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB28 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 21a (TC) 10V 158mohm @ 10,5a, 10 V 4v @ 250 ähm 50 nc @ 10 v ± 25 V 1735 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
STP40NF12 STMicroelectronics STP40NF12 - - -
RFQ
 ECAD 3409 0.00000000 Stmicroelektronik StripFet ™ II Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STP40 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-4381-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 120 v 40a (TC) 10V 32mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 1880 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
STPSC30G12WLY STMicroelectronics STPSC30G12Wly 18.0500
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv STPSC30 - - - 1 (unbegrenzt) 497-STPSC30G12Wly Ear99 8541.10.0080 30
STPS41H100CT STMicroelectronics STPS41H100CT 2.1300
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 STPS41 Schottky To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 800 mV @ 20 a 10 µa @ 100 V. 175 ° C (max)
STD2NK90ZT4 STMicroelectronics STD2NK90ZT4 1.8700
RFQ
 ECAD 715 0.00000000 Stmicroelektronik Supermesh ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Std2 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 900 V 2.1a (TC) 10V 6,5OHM @ 1,05A, 10 V 4,5 V @ 50 µA 27 NC @ 10 V ± 30 v 485 PF @ 25 V. - - - 70W (TC)
STD70N6F3 STMicroelectronics STD70N6F3 1.3733
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Stmicroelektronik StripFet ™ III Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD70 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 70a (TC) 10V 10,5 MOHM @ 35A, 10V 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 2200 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
STF27N60M2-EP STMicroelectronics STF27N60M2-EP 3.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M2-ep Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack STF27 MOSFET (Metalloxid) To-220fp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 20A (TC) 10V 163mohm @ 10a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 25 V 1320 PF @ 100 V - - - 30W (TC)
STP110N8F7 STMicroelectronics STP110N8F7 - - -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 Stmicroelektronik Stripfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STP110 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-16486-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 80 v 80A (TC) 10V 7,5 MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 46,8 NC @ 10 V. ± 20 V 3435 PF @ 40 V - - - 170W (TC)
STW48N60M2-4 STMicroelectronics STW48N60M2-4 8.5600
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M2 Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 STW48 MOSFET (Metalloxid) To-247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 42a (TC) 10V 70 MOHM @ 21A, 10V 4v @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 25 V 3060 PF @ 100 V - - - 300 W (TC)
STD10N60DM2 STMicroelectronics STD10N60DM2 1.5800
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ DM2 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD10 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-16924-2 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 8a (TC) 10V 530mohm @ 4a, 10V 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 25 V 529 PF @ 100 V - - - 109W (TC)
STF15N80K5 STMicroelectronics STF15N80K5 5.2600
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Stmicroelektronik Supermesh5 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack STF15 MOSFET (Metalloxid) To-220fp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-13437 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 14a (TC) 10V 375mohm @ 7a, 10V 5 V @ 100 µA 32 NC @ 10 V ± 30 v 1100 PF @ 100 V - - - 35W (TC)
BYT03-400RL STMicroelectronics Byt03-400rl - - -
RFQ
 ECAD 1814 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial Byt03 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.900 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,5 V @ 3 a 55 ns 20 µA @ 400 V 150 ° C (max) 3a - - -
STB70NF3LLT4 STMicroelectronics STB70NF3llt4 - - -
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 Stmicroelektronik StripFet ™ II Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB70N MOSFET (Metalloxid) D2pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 30 v 70a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,5 MOHM @ 35A, 10V 1V @ 250 ähm 33 NC @ 4,5 V. ± 16 v 1650 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
E-L6221AD STMicroelectronics E-L6221AD - - -
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 20-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) L6221 1W 20-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 40 50V 1.8a - - - 4 NPN Darlington (Quad) 1,6 V @ 1,8a - - - - - -
STAC2932F STMicroelectronics STAC2932F 85.2500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Tablett Veraltet 125 v STAC244F STAC293 175MHz Mosfet STAC244F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 N-Kanal 40a 250 Ma 390W 20db - - - 50 v
ACST2-8SB-TR STMicroelectronics ACST2-8SB-TR - - -
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ACST2 Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2.500 Einzel 10 ma Logik - Sensitive Gate 800 V 2 a 1.1 V 8a, 8,4a 10 ma
SD2931-12MR STMicroelectronics SD2931-12MR 76.2300
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Kasten Aktiv 125 v M174MR SD2931 175MHz Mosfet M174MR Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 20a 250 Ma 150W 15 dB - - - 50 v
A2C50S65M2 STMicroelectronics A2C50S65M2 69.8400
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul A2C50 208 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Acepack ™ 2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 14 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse TRABENFELD STOPP 650 V 50 a 2,3 V @ 15V, 50a 100 µA Ja 4.15 NF @ 25 V.
STB100NF04T4 STMicroelectronics STB100NF04T4 1.8919
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 Stmicroelektronik Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ II Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB100 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-5951-2 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 40 v 120a (TC) 10V 4.6mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 150 NC @ 10 V. ± 20 V 5100 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
STPS10L45CG STMicroelectronics STPS10L45CG - - -
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STPS10 Schottky D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 5a 530 mv @ 5 a 150 µa @ 45 V 150 ° C (max)
STTA1212D STMicroelectronics STTA1212D - - -
RFQ
 ECAD 3070 0.00000000 Stmicroelektronik TurboSwitch ™ Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 STTA121 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,2 V @ 12 a 100 ns 100 µA @ 1200 V 150 ° C (max) 12a - - -
STGB10NB60ST4 STMicroelectronics STGB10NB60ST4 - - -
RFQ
 ECAD 2588 0.00000000 Stmicroelektronik PowerMesh ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STGB10 Standard 80 w D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 480 V, 10a, 1kohm, 15 V. - - - 600 V 29 a 80 a 1,75 V @ 15V, 10a 600 µJ (EIN), 5MJ (AUS) 33 NC 700 ns/1,2 µs
STGB10NB40LZT4 STMicroelectronics STGB10NB40LZT4 2.8900
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 Stmicroelektronik Automobile, AEC-Q101, PowerMesh ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STGB10 Standard 150 w D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 328 V, 10a, 1kohm, 5V - - - 440 v 20 a 40 a 1,8 V @ 4,5 V, 10a 2,4 MJ (EINS), 5MJ (AUS) 28 NC 1,3 µs/8 µs
STB12NM50ND STMicroelectronics STB12NM50nd - - -
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 Stmicroelektronik Fdmesh ™ II Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB12N MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 11a (TC) 10V 380MOHM @ 5.5A, 10V 5 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 25 V 850 PF @ 50 V - - - 100 W (TC)
PD85035-E STMicroelectronics PD85035-e - - -
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv 40 v PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Gebildete-Leads) PD85035 870 MHz Ldmos PowerSo-10RF (Gebildete Blei) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 8a 350 Ma 15W 17db - - - 13,6 v
T810-600G STMicroelectronics T810-600G - - -
RFQ
 ECAD 8718 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab T810 D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1.000 Einzel 15 Ma Logik - Sensitive Gate 600 V 8 a 1,3 v 80a, 84a 10 ma
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