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Diskette HalblerProdukte (184)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S06520H | 11.9400 |  | 1681 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 26a | 1170pf @ 0v, 1 MHz | |||
 | G5S12002C | 2.8400 | | 7902 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8.8a | 170pf @ 0v, 1 MHz | |||
 | G5S06504at | 3.6600 | | 4724 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 4 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.6a | 181pf @ 0V, 1 MHz | |||
 | G3S06540B | 30.6100 | | 9682 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 60A (DC) | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. |
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