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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3S17005a | 25.7200 | ![]() | 1837 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1700 v | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 28a | 800PF @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | Gas06520p | 11.1000 | ![]() | 4087 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 66,5a | 1390pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G4S12020A | 33.5600 | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | - - - | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 120 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 73a | 2600pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G5S12015 UHR | 16.5000 | ![]() | 6923 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 55a | 1370pf @ 0v, 1 MHz | ||||
![]() | G5S06505CT | 4.6400 | ![]() | 7560 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24a | 395PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12003C | 4.5600 | ![]() | 8435 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 3 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 260pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G3S12015H | 20.6800 | ![]() | 8064 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 21a | 1700pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06508CT | 4.6900 | ![]() | 1563 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24a | 395PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12003H | 4.5600 | ![]() | 4100 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 3 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9a | 260pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G3S12010p | 13.9300 | ![]() | 3811 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 110 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 37a | 765PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S12010A | 12.6300 | ![]() | 5409 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 37a | - - - | |||||
![]() | G4S06506HT | 3.9000 | ![]() | 3697 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9.7a | 181pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12020BM | 21.7500 | ![]() | 2082 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 33a (DC) | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | G5S12002H | 3.0000 | ![]() | 6277 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | 170pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G3S06510p | 8.2400 | ![]() | 9429 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 32.8a | 690pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G4S06530BT | 16.1800 | ![]() | 4468 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 39a (DC) | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | G3S17020B | 48.6200 | ![]() | 1387 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1700 v | 24a (DC) | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 100 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | G3S06504A | 3.0800 | ![]() | 2311 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.5a | 181pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06503A | 2.7300 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.5a | 181pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G4S12020p | 33.5600 | ![]() | 3260 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | - - - | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 64,5a | 2600pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G51XT | 2.1900 | ![]() | 1897 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SIC (Silicon Carbide) Schottky | SOD-123FL | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 1 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1,84a | 57.5PF @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06515HT | 8.3300 | ![]() | 1776 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23.8a | 645PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G4S06510CT | 4.8600 | ![]() | 9621 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 31a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G3S12010A | 17.2000 | ![]() | 2786 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34.8a | 770PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12002H | 3.8200 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7.3a | 136PF @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12002C | 2.8400 | ![]() | 7902 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8.8a | 170pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G3S06520H | 11.9400 | ![]() | 1681 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 26a | 1170pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G5S06504at | 3.6600 | ![]() | 4724 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 4 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.6a | 181pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06540B | 30.6100 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 60A (DC) | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | G3S17010b | 33.3200 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1700 v | 29,5a (DC) | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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