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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G5S06506at | 4.8300 | ![]() | 2979 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24,5a | 395PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12015L | 20.6800 | ![]() | 6979 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 55a | 1700pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06510a | 5.3000 | ![]() | 8307 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 35a | 690pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G5S06504QT | 3.0800 | ![]() | 4440 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 4-DFN (8x8) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 4 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 14a | 181pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G3S12050p | 44.0600 | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 150 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 117a | 7500PF @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G4S6508Z | 4.8300 | ![]() | 4284 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 8-DFN (4,9x5,75) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30,5a | 395PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S12020A | 21.4100 | ![]() | 2977 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 63,5a | 1320pf @ 0v, 1 MHz | ||||
![]() | G3S12005D | 7.6200 | ![]() | 3385 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-263 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34a | 475PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S06508B | 5.1600 | ![]() | 4452 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 14a (DC) | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | G3S06505a | 4.8600 | ![]() | 3839 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 22.6a | 424pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12008a | 8.0700 | ![]() | 5697 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24.8a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06520B | 12.7000 | ![]() | 5244 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40a | 690pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G3S06530p | 15.4900 | ![]() | 3036 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 30 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 95a | 2150pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12040PP | 43.3800 | ![]() | 8307 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 1200 V | 115a (DC) | 1,7 V @ 40 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | G5S12008C | 8.0700 | ![]() | 3987 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 28.9a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06502at | 2.4300 | ![]() | 9761 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9.6a | 124pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G3S12006B | 9.7600 | ![]() | 5148 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 14a (DC) | 1,7 V @ 3 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | G3S12002A | 3.8200 | ![]() | 3116 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7a | 136PF @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12040BM | 43,4000 | ![]() | 7005 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 62a (DC) | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | G3S12010m | 15.1400 | ![]() | 7383 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23.5a | 765PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G4S06510JT | 4.8600 | ![]() | 8183 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Isolierte RegisterKarte | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220iso | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 31.2a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12005C | 7.4500 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20.95a | 424pf @ 0V, 1 MHz | ||||
![]() | G5S12020pm | 21.7500 | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 62a | 1320pf @ 0v, 1 MHz | ||||
![]() | G3S06506H | 4.0700 | ![]() | 2999 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15,4a | 424pf @ 0V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06510qt | 6.1800 | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 4-DFN (8x8) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 53a | 645PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G52YT | 2.7300 | ![]() | 3166 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SIC (Silicon Carbide) Schottky | SMA | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5.8a | 116.75PF @ 0V, 1 MHz | ||||
![]() | G5S12040B | 48.2100 | ![]() | 4119 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 62a (DC) | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | G5S12010 UHR | 13.9300 | ![]() | 4807 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Herunterladen | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 33a | 825PF @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | G3S06502A | 2.2800 | ![]() | 2507 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9a | 123pf @ 0v, 1 MHz | |||
![]() | G3S06520A | 11.9400 | ![]() | 1774 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 56,5a | 1170pf @ 0v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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