SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
G5S06506AT Global Power Technology-GPT G5S06506at 4.8300
RFQ
ECAD 2979 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,5 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24,5a 395PF @ 0V, 1MHz
G3S12015L Global Power Technology-GPT G3S12015L 20.6800
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 55a 1700pf @ 0V, 1 MHz
G3S06510A Global Power Technology-GPT G3S06510a 5.3000
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 35a 690pf @ 0v, 1 MHz
G5S06504QT Global Power Technology-GPT G5S06504QT 3.0800
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung 4-Powertsfn SIC (Silicon Carbide) Schottky 4-DFN (8x8) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,55 V @ 4 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 14a 181pf @ 0V, 1 MHz
G3S12050P Global Power Technology-GPT G3S12050p 44.0600
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 150 a 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 117a 7500PF @ 0V, 1 MHz
G4S6508Z Global Power Technology-GPT G4S6508Z 4.8300
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung 8-Powertdfn SIC (Silicon Carbide) Schottky 8-DFN (4,9x5,75) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30,5a 395PF @ 0V, 1MHz
G5S12020A Global Power Technology-GPT G5S12020A 21.4100
RFQ
ECAD 2977 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 63,5a 1320pf @ 0v, 1 MHz
G3S12005D Global Power Technology-GPT G3S12005D 7.6200
RFQ
ECAD 3385 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SIC (Silicon Carbide) Schottky To-263 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 34a 475PF @ 0V, 1MHz
G3S06508B Global Power Technology-GPT G3S06508B 5.1600
RFQ
ECAD 4452 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 14a (DC) 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S06505A Global Power Technology-GPT G3S06505a 4.8600
RFQ
ECAD 3839 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 22.6a 424pf @ 0V, 1 MHz
G5S12008A Global Power Technology-GPT G5S12008a 8.0700
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24.8a 550pf @ 0V, 1 MHz
G3S06520B Global Power Technology-GPT G3S06520B 12.7000
RFQ
ECAD 5244 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 40a 690pf @ 0v, 1 MHz
G3S06530P Global Power Technology-GPT G3S06530p 15.4900
RFQ
ECAD 3036 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 30 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 95a 2150pf @ 0V, 1 MHz
G5S12040PP Global Power Technology-GPT G5S12040PP 43.3800
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 1200 V 115a (DC) 1,7 V @ 40 a 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G5S12008C Global Power Technology-GPT G5S12008C 8.0700
RFQ
ECAD 3987 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 28.9a 550pf @ 0V, 1 MHz
G5S06502AT Global Power Technology-GPT G5S06502at 2.4300
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,5 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9.6a 124pf @ 0v, 1 MHz
G3S12006B Global Power Technology-GPT G3S12006B 9.7600
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 14a (DC) 1,7 V @ 3 a 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S12002A Global Power Technology-GPT G3S12002A 3.8200
RFQ
ECAD 3116 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 7a 136PF @ 0V, 1 MHz
G5S12040BM Global Power Technology-GPT G5S12040BM 43,4000
RFQ
ECAD 7005 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ab Herunterladen Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 62a (DC) 1,7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S12010M Global Power Technology-GPT G3S12010m 15.1400
RFQ
ECAD 7383 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220f Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 23.5a 765PF @ 0V, 1MHz
G4S06510JT Global Power Technology-GPT G4S06510JT 4.8600
RFQ
ECAD 8183 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 Isolierte RegisterKarte SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220iso Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 31.2a 550pf @ 0V, 1 MHz
G5S12005C Global Power Technology-GPT G5S12005C 7.4500
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252 Herunterladen Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20.95a 424pf @ 0V, 1 MHz
G5S12020PM Global Power Technology-GPT G5S12020pm 21.7500
RFQ
ECAD 1796 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ac Herunterladen Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 62a 1320pf @ 0v, 1 MHz
G3S06506H Global Power Technology-GPT G3S06506H 4.0700
RFQ
ECAD 2999 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220f Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15,4a 424pf @ 0V, 1 MHz
G5S06510QT Global Power Technology-GPT G5S06510qt 6.1800
RFQ
ECAD 2141 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung 4-Powertsfn SIC (Silicon Carbide) Schottky 4-DFN (8x8) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,5 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 53a 645PF @ 0V, 1MHz
G52YT Global Power Technology-GPT G52YT 2.7300
RFQ
ECAD 3166 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SIC (Silicon Carbide) Schottky SMA Herunterladen Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5.8a 116.75PF @ 0V, 1 MHz
G5S12040B Global Power Technology-GPT G5S12040B 48.2100
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 62a (DC) 1,7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G5S12010PM Global Power Technology-GPT G5S12010 UHR 13.9300
RFQ
ECAD 4807 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ac Herunterladen Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 33a 825PF @ 0V, 1MHz
G3S06502A Global Power Technology-GPT G3S06502A 2.2800
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 123pf @ 0v, 1 MHz
G3S06520A Global Power Technology-GPT G3S06520A 11.9400
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 56,5a 1170pf @ 0v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus