SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Gewinnen Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
IRL3715Z Infineon Technologies IRL3715Z - - -
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRL3715Z Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 20 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 15a, 10V 2,55 V @ 250 ähm 11 NC @ 4,5 V. ± 20 V 870 PF @ 10 V - - - 45W (TC)
IPD220N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1 - - -
RFQ
ECAD 1293 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD220 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 30a, 10V 2,2 V @ 11 µA 10 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1600 PF @ 30 V - - - 36W (TC)
BC 807-40 E6327 Infineon Technologies BC 807-40 E6327 - - -
RFQ
ECAD 7009 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC 807 330 MW Pg-SOT23 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 1V 200 MHz
IRF6691TR1PBF Infineon Technologies IRF6691TR1PBF - - -
RFQ
ECAD 3684 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrischer MT MOSFET (Metalloxid) DirectFet ™ Mt Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 20 v 32a (TA), 180a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,8 MOHM @ 15a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 71 NC @ 4,5 V. ± 12 V 6580 PF @ 10 V - - - 2,8 W (TA), 89W (TC)
IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R280P7ATMA1 3.4700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd80r MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 800 V 17a (TC) 10V 280 MOHM @ 7.2A, 10V 3,5 V @ 360 ähm 36 NC @ 10 V ± 20 V 1200 PF @ 500 V - - - 101W (TC)
IRL3714ZL Infineon Technologies IRL3714ZL - - -
RFQ
ECAD 6021 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRL3714ZL Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 20 v 36a (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 15a, 10V 2,55 V @ 250 ähm 7,2 NC @ 4,5 V. ± 20 V 550 PF @ 10 V - - - 35W (TC)
IRFZ24NSTRRPBF Infineon Technologies IRFZ24NSTRRPBF - - -
RFQ
ECAD 8716 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 17a (TC) 10V 70 Mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 370 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 45W (TC)
D1230N18TXPSA1 Infineon Technologies D1230N18TXPSA1 127.6300
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Klemmen DO-200AA, A-Puk D1230N18 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 12 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1800 v 1.063 V @ 800 a 50 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 1230a - - -
BCX5616H6433XTMA1 Infineon Technologies BCX5616H6433XTMA1 0,1920
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX5616 2 w Pg-sot89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 100 MHz
BFP 640 H6433 Infineon Technologies BFP 640 H6433 - - -
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFP 640 200 MW Pg-sot343-3d Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 24 dB 4,5 v 50 ma Npn 110 @ 30 mA, 3V 40 GHz 0,65 db ~ 1,2 db bei 1,8 GHz ~ 6 GHz
IRFZ44VSTRR Infineon Technologies Irfz44vstrr - - -
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 55a (TC) 10V 16,5 MOHM @ 31A, 10V 4v @ 250 ähm 67 NC @ 10 V ± 20 V 1812 PF @ 25 V. - - - 115W (TC)
BSC240N12NS3 G Infineon Technologies BSC240N12NS3 G - - -
RFQ
ECAD 8862 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) Pg-tdson-8-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 120 v 37a (TC) 10V 24MOHM @ 31A, 10V 4V @ 35 ähm 27 NC @ 10 V ± 20 V 1900 PF @ 60 V - - - 66W (TC)
IRF2807L Infineon Technologies IRF2807L - - -
RFQ
ECAD 6834 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF2807L Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 82a (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4v @ 250 ähm 160 nc @ 10 v ± 20 V 3820 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
DR11242732NDSA1 Infineon Technologies DR11242732NDSA1 - - -
RFQ
ECAD 1703 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 1
IPI80P04P4L08AKSA1 Infineon Technologies IPI80P04P4L08AKSA1 - - -
RFQ
ECAD 7272 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa IPI80p MOSFET (Metalloxid) PG-TO262-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000840210 Ear99 8541.29.0095 500 P-Kanal 40 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 8.2mohm @ 80A, 10V 2,2 V @ 120 ähm 92 NC @ 10 V +5V, -16v 5430 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
BFP196WNH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP196WNH6327XTSA1 0,4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFP196 700 MW PG-SOT343-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 9.7db 12V 150 Ma Npn 70 @ 50 Ma, 8 V 7,5 GHz 1,3 dB bei 900 MHz
IRL8113S Infineon Technologies IRL8113S - - -
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRL8113S Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 105a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 21a, 10V 2,25 V @ 250 ähm 35 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2840 PF @ 15 V - - - 110W (TC)
IRG4PSC71KPBF Infineon Technologies IRG4PSC71KPBF - - -
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tasche Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-274aa IRG4PSC71 Standard 350 w Super-247 ™ (to-274aa) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 480 V, 60a, 5ohm, 15 V. - - - 600 V 85 a 200 a 2,3 V @ 15V, 60a 790 µj (EIN), 1.98MJ (AUS) 340 NC 34ns/54ns
SGB10N60AATMA1 Infineon Technologies SGB10N60AATMA1 - - -
RFQ
ECAD 1775 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SGB10N Standard 92 w PG-to263-3-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 400 V, 10a, 25 Ohm, 15 V Npt 600 V 20 a 40 a 2,4 V @ 15V, 10a 320 µj 52 NC 28ns/178ns
IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies IRFS3107TRL7PP 5.0200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB IRFS3107 MOSFET (Metalloxid) D2pak (7-Lead) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 75 V 240a (TC) 10V 2,6 MOHM @ 160A, 10V 4v @ 250 ähm 240 nc @ 10 v ± 20 V 9200 PF @ 50 V - - - 370W (TC)
IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R199CPXKSA1 3.9200
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP50R199 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 550 V 17a (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3,5 V @ 660 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 1800 PF @ 100 V - - - 139W (TC)
ICA32V08X1SA1 Infineon Technologies ICA32V08X1SA1 - - -
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Veraltet Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000966884 Veraltet 0000.00.0000 1
IQE022N06LM5SCATMA1 Infineon Technologies IQE022N06LM5SCATMA1 2.8500
RFQ
ECAD 3218 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 5 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn IQE022 MOSFET (Metalloxid) PG-whson-8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 24A (TA), 151a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,2 MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 48 ähm 53 NC @ 10 V ± 20 V 4420 PF @ 30 V - - - 2,5 W (TA), 100 W (TC)
IRAMS12UP60A Infineon Technologies IRAMS12UP60A - - -
RFQ
ECAD 1051 0.00000000 Infineon -technologien IMotion ™ Rohr Veraltet K. Loch 23-Powersip-Modul, 19 Hinweise, Gebildete-Leads IGBT Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001537108 Ear99 8542.39.0001 80 3 Phase 12 a 600 V 2000VRMs
IRF6802SDTR1PBF Infineon Technologies IRF6802SDTR1PBF - - -
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrische SA IRF6802 MOSFET (Metalloxid) 1.7W DirectFet ™ SA Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 2 n-kanal (dual) 25 v 16a 4,2mohm @ 16a, 10V 2,1 V @ 35 ähm 13nc @ 4,5V 1350pf @ 13v Logikpegel -tor
IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD08SG60CXTMA2 5.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IDD08SG60 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 2,1 V @ 8 a 0 ns 70 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 240pf @ 1V, 1 MHz
IPA60R600P7 Infineon Technologies IPA60R600P7 - - -
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
SMBT3906E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBT3906E6327HTSA1 0,3700
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MBT3906 330 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma 50na (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
IRLBA1304 Infineon Technologies IRLBA1304 - - -
RFQ
ECAD 3020 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-273aa IRLBA130 MOSFET (Metalloxid) Super-220 ™ (to-273aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRLBA1304 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 185a (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 110a, 10V 1V @ 250 ähm 140 NC @ 4,5 V. ± 16 v 7660 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IRFHM8334TRPBF Infineon Technologies IRFHM8334TRPBF - - -
RFQ
ECAD 9763 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (3,3x3,3), Power33 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 30 v 13a (ta) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 20a, 10V 2,35 V @ 25 µA 15 NC @ 10 V ± 20 V 1180 PF @ 10 V - - - 2,7W (TA), 28W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus