SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Anzahl der Scrs, Dioden Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
TD500N12KOFHPSA2 Infineon Technologies TD500N12KOFHPSA2 338.6100
RFQ
ECAD 2312 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul TD500N12 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2 300 ma 1,8 kv 900 a 2,2 v 17000a @ 50Hz 250 Ma 500 a 1 SCR, 1 Diode
IRL8113L Infineon Technologies IRL8113L - - -
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRL8113L Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 105a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 21a, 10V 2,25 V @ 250 ähm 35 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2840 PF @ 15 V - - - 110W (TC)
IRF3710L Infineon Technologies IRF3710L - - -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF3710L Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 57a (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10V 4v @ 250 ähm 130 nc @ 10 v ± 20 V 3130 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
SPP21N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPP21N50C3HKSA1 - - -
RFQ
ECAD 2699 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Spp21n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 560 V 21a (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10V 3,9 V @ 1ma 95 NC @ 10 V ± 20 V 2400 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
IRFI520N Infineon Technologies Irfi520n - - -
RFQ
ECAD 7202 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *Irfi520n Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 7.6a (TC) 10V 200mohm @ 4.3a, 10V 4v @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 20 V 330 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
IRFR3710ZTRR Infineon Technologies IRFR3710ZTRR - - -
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001575918 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 42a (TC) 10V 18mohm @ 33a, 10V 4v @ 250 ähm 100 nc @ 10 v ± 20 V 2930 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
IRF9953PBF Infineon Technologies IRF9953PBF - - -
RFQ
ECAD 8936 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF995 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001565680 Ear99 8541.29.0095 95 2 p-kanal (dual) 30V 2.3a 250 MOHM @ 1A, 10V 1V @ 250 ähm 12nc @ 10v 190pf @ 15V - - -
IRF3709PBF Infineon Technologies IRF3709PBF - - -
RFQ
ECAD 8735 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 30 v 90a (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 41 NC @ 5 V. ± 20 V 2672 PF @ 16 V - - - 3.1W (TA), 120W (TC)
IRF7457PBF Infineon Technologies IRF7457PBF - - -
RFQ
ECAD 8610 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001570360 Ear99 8541.29.0095 95 N-Kanal 20 v 15a (ta) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 42 NC @ 4,5 V. ± 20 V 3100 PF @ 10 V - - - 2,5 W (TA)
IRL3303STRR Infineon Technologies IRL3303Strr - - -
RFQ
ECAD 9885 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 38a (TC) 4,5 V, 10 V. 26mohm @ 20a, 10V 1V @ 250 ähm 26 NC @ 4,5 V. ± 16 v 870 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 68W (TC)
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 - - -
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SPD30N MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-11 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 6.7mohm @ 30a, 10V 2v @ 85 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 2530 PF @ 25 V. - - - 136W (TC)
94-3316 Infineon Technologies 94-3316 - - -
RFQ
ECAD 3726 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa Irll014 MOSFET (Metalloxid) SOT-223 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 80 N-Kanal 55 v 2a (ta) 140Mohm @ 2a, 10V 2v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V 230 PF @ 25 V. - - -
BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR133SH6327XTSA1 0,4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR133 250 MW Pg-sot363-po Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 130 MHz 10kohm 10kohm
TT240N32KOFHPSA1 Infineon Technologies TT240N32KOFHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul Tt240n Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2 300 ma 3,2 kv 700 a 1,5 v 6100a @ 50Hz 250 Ma 446 a 2 SCRS
IRL3202STRR Infineon Technologies IRL3202Strr - - -
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 20 v 48a (TC) 4,5 V, 7V 16mohm @ 29a, 7V 700 MV @ 250 um (min) 43 NC @ 4,5 V. ± 10 V 2000 PF @ 15 V - - - 69W (TC)
IRLR8503TRL Infineon Technologies IRLR8503TRL - - -
RFQ
ECAD 2045 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 44a (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 20 NC @ 5 V ± 20 V 1650 PF @ 25 V. - - - 62W (TC)
94-2113 Infineon Technologies 94-2113 - - -
RFQ
ECAD 6420 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRL2203 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 116a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 60a, 10V 3v @ 250 ähm 60 NC @ 4,5 V. ± 16 v 3290 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 180 W (TC)
SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies Spp17n80c3xksa1 5.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Spp17n80 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 17a (TC) 10V 290MOHM @ 11A, 10V 3,9 V @ 1ma 177 NC @ 10 V ± 20 V 2320 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
IRFZ44VSTRR Infineon Technologies Irfz44vstrr - - -
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 55a (TC) 10V 16,5 MOHM @ 31A, 10V 4v @ 250 ähm 67 NC @ 10 V ± 20 V 1812 PF @ 25 V. - - - 115W (TC)
IRL3715ZLPBF Infineon Technologies IRL3715ZLPBF - - -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 20 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 15a, 10V 2,55 V @ 250 ähm 11 NC @ 4,5 V. ± 20 V 870 PF @ 10 V - - - 45W (TC)
IRF7534D1TR Infineon Technologies IRF7534D1TR - - -
RFQ
ECAD 7119 0.00000000 Infineon -technologien Fetky ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) Micro8 ™ Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 20 v 4.3a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 55mohm @ 4,3a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 15 NC @ 5 V ± 12 V 1066 PF @ 10 V. Schottky Diode (Isolier) 1,25W (TA)
IRFU3418PBF Infineon Technologies IRFU3418PBF - - -
RFQ
ECAD 7533 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) Ipak (to-251aa) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRFU3418PBF Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 80 v 70a (TC) 10V 14mohm @ 18a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 94 NC @ 10 V ± 20 V 3510 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 140 W (TC)
IRF7103Q Infineon Technologies IRF7103Q - - -
RFQ
ECAD 3804 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF71 MOSFET (Metalloxid) 2.4W 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 95 2 n-kanal (dual) 50V 3a 130Mohm @ 3a, 10V 3v @ 250 ähm 15nc @ 10v 255PF @ 25V - - -
IRFZ48NLPBF Infineon Technologies IRFZ48NLPBF - - -
RFQ
ECAD 4972 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 64a (TC) 10V 14mohm @ 32a, 10V 4v @ 250 ähm 81 NC @ 10 V ± 20 V 1970 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 130 W (TC)
IRFI9Z24N Infineon Technologies Irfi9z24n - - -
RFQ
ECAD 4880 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220ab Full-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 55 v 9,5a (TC) 10V 175mohm @ 5.4a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 29W (TC)
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R600P7Sauma1 0,8800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P7 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd60r MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 6a (TC) 10V 600MOHM @ 1,7a, 10V 4 V @ 80 µA 9 NC @ 10 V. ± 20 V 363 PF @ 400 V - - - 30W (TC)
IRF7324 Infineon Technologies IRF7324 - - -
RFQ
ECAD 7125 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF732 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF7324 Ear99 8541.29.0095 95 2 p-kanal (dual) 20V 9a 18mohm @ 9a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 63nc @ 5v 2940PF @ 15V Logikpegel -tor
IRF9956TRPBF Infineon Technologies IRF9956TRPBF 0,7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF995 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 30V 3.5a 100mohm @ 2,2a, 10 V 1V @ 250 ähm 14nc @ 10v 190pf @ 15V Logikpegel -tor
IRLR7833TRRPBF Infineon Technologies IRLR7833TRRPBF - - -
RFQ
ECAD 6987 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001573116 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 140a (TC) 4,5 V, 10 V. 4,5 MOHM @ 15a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 50 NC @ 4,5 V. ± 20 V 4010 PF @ 15 V - - - 140W (TC)
IRF7457TRPBF Infineon Technologies IRF7457TRPBF - - -
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 20 v 15a (ta) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 42 NC @ 4,5 V. ± 20 V 3100 PF @ 10 V - - - 2,5 W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus