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Diskette Halbeiterprodukte (16626)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
IRF7204TR Infineon Technologies IRF7204TR - - -
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 Infineon -technologien - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 20 v 5.3a (ta) 60mohm @ 5.3a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 25 NC @ 10 V 860 PF @ 10 V - - -
SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Spp06n80c3xksa1 2.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Spp06n80 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 3,8a, 10 V 3,9 V @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 785 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
IRFR5410TRPBF Infineon Technologies IRFR5410TRPBF 1.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRFR5410 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 100 v 13a (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4v @ 250 ähm 58 NC @ 10 V ± 20 V 760 PF @ 25 V. - - - 66W (TC)
IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies IRF630NSTRLPBF 1.6400
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Irf630 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 200 v 9,3a (TC) 10V 300mohm @ 5.4a, 10V 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 575 PF @ 25 V. - - - 82W (TC)
IRLR2703TRPBF Infineon Technologies IRLR2703TRPBF 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRLR2703 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 23a (TC) 4 V, 10V 45mohm @ 14a, 10V 1V @ 250 ähm 15 NC @ 4,5 V ± 16 v 450 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
SPD06N80C3BTMA1 Infineon Technologies SPD06N80C3BTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 1861 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SPD06N MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-11 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 800 V 6a (ta) 10V 900mohm @ 3,8a, 10 V 3,9 V @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 785 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
IRF7807VD1TRPBF Infineon Technologies IRF7807VD1TRPBF - - -
RFQ
 ECAD 1120 0.00000000 Infineon -technologien Fetky ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 30 v 8.3a (ta) 4,5 v 25mohm @ 7a, 4,5 V. 3v @ 250 ähm 14 NC @ 4,5 V. ± 20 V Schottky Diode (Isolier) 2,5 W (TA)
IFCM30U65GDXKMA1 Infineon Technologies IFCM30U65GDXKMA1 14.9714
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 Infineon -technologien Cipos ™ Rohr Aktiv K. Loch 24-Powerdip-Modul (1.028 ", 26,10 mm) IGBT IFCM30 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 280 3 Phase 30 a 650 V 2000VRMs
BC817-16B5000 Infineon Technologies BC817-16B5000 0,0200
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 500 MW Pg-SOT23 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 170 MHz
IRFL024Z Infineon Technologies IRFL024Z - - -
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 80 N-Kanal 55 v 5.1a (ta) 10V 57,5 MOHM @ 3,1a, 10 V 4v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 20 V 340 PF @ 25 V. - - - 1W (TA)
IRF7703TR Infineon Technologies IRF7703TR - - -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-tssop Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 40 v 6a (ta) 4,5 V, 10 V. 28mohm @ 6a, 10V 3v @ 250 ähm 62 NC @ 4,5 V ± 20 V 5220 PF @ 25 V. - - - 1,5 W (TA)
IRF7495PBF Infineon Technologies IRF7495PBF - - -
RFQ
 ECAD 7674 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 95 N-Kanal 100 v 7.3a (ta) 10V 22mohm @ 4.4a, 10V 4v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 20 V 1530 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
IRL3103LPBF Infineon Technologies IRL3103LPBF - - -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 64a (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 34a, 10V 1V @ 250 ähm 33 NC @ 4,5 V. ± 16 v 1650 PF @ 25 V. - - - 94W (TC)
IRFR9120NTRL Infineon Technologies IRFR9120NTRL - - -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRFR9120 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 100 v 6.6a (TC) 10V 480MOHM @ 3,9a, 10V 4v @ 250 ähm 27 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
SPB100N03S2-03 Infineon Technologies SPB100N03S2-03 - - -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SPB100N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 30 v 100a (TC) 10V 3mohm @ 80a, 10V 4v @ 250 ähm 150 NC @ 10 V. ± 20 V 7020 PF @ 25 V - - - 300 W (TC)
IRFR120Z Infineon Technologies IRFR120Z - - -
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRFR120Z Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 100 v 8.7a (TC) 10V 190mohm @ 5.2a, 10V 4v @ 250 ähm 10 nc @ 10 v ± 20 V 310 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
IRFSL23N20D Infineon Technologies IRFSL23N20D - - -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRFSL23N20D Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 24a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 86 NC @ 10 V ± 30 v 1960 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 170 W (TC)
IRLR2908PBF Infineon Technologies IRLR2908PBF - - -
RFQ
 ECAD 2507 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 80 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 28mohm @ 23a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 33 NC @ 4,5 V. ± 16 v 1890 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
IPC60R075CPX1SA1 Infineon Technologies IPC60R075CPX1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv IPC60 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000926270 0000.00.0000 1 - - -
64-4092PBF Infineon Technologies 64-4092PBF - - -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa IRLU2705 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 55 v 28a (TC) 4 V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2v @ 250 ähm 25 NC @ 5 V ± 16 v 880 PF @ 25 V. - - - 68W (TC)
IRLI520NPBF Infineon Technologies IRLI520NPBF - - -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220ab Full-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 100 v 8.1a (TC) 4 V, 10V 180mohm @ 6a, 10V 2v @ 250 ähm 20 NC @ 5 V ± 16 v 440 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR148E6433HTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 Kohms 47 Kohms
IRLU024ZPBF Infineon Technologies IRLU024ZPBF - - -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 55 v 16a (TC) 4,5 V, 10 V. 58mohm @ 9.6a, 10V 3v @ 250 ähm 9.9 NC @ 5 V. ± 16 v 380 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
SN7002W L6327 Infineon Technologies SN7002W L6327 - - -
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 SN7002W MOSFET (Metalloxid) Pg-SOT323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 230 Ma (TA) 4,5 V, 10 V. 5ohm @ 230 mA, 10V 1,8 V @ 26 ähm 1,5 NC @ 10 V. ± 20 V 45 PF @ 25 V. - - - 500 MW (TA)
IRF2804STRR Infineon Technologies IRF2804strr - - -
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 75a (TC) 10V 2mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 240 nc @ 10 v ± 20 V 6450 PF @ 25 V. - - - 330W (TC)
IRF5802 Infineon Technologies IRF5802 - - -
RFQ
 ECAD 1440 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) Micro6 ™ (TSOP-6) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 N-Kanal 150 v 900 mA (TA) 10V 1,2OHM @ 540 mA, 10V 5,5 V @ 250 ähm 6,8 nc @ 10 v ± 30 v 88 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
IRF3711STRLPBF Infineon Technologies IRF3711StrlPBF - - -
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 20 v 110a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 44 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2980 PF @ 10 V - - - 3.1W (TA), 120W (TC)
IRF3707ZCSPBF Infineon Technologies IRF3707ZCSPBF - - -
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF3707ZCSPBF Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 59a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,5 MOHM @ 21A, 10V 2,25 V @ 25 µA 15 NC @ 4,5 V ± 20 V 1210 PF @ 15 V - - - 57W (TC)
IRF7509TR Infineon Technologies IRF7509TR - - -
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) IRF7509 MOSFET (Metalloxid) 1.25W Micro8 ™ Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N und p-kanal 30V 2.7a, 2a 110 MOHM @ 1,4a, 10V 1V @ 250 ähm 12nc @ 10v 210pf @ 25v Logikpegel -tor
IRF3710ZLPBF Infineon Technologies IRF3710ZLPBF - - -
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 100 v 59a (TC) 10V 18mohm @ 35a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V 2900 PF @ 25 V. - - - 160W (TC)
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