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Diskette Halbeiterprodukte (16626)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPS60R1K5ceakma1 | 0,3086 |  | 7334 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IPS60R1 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 600 V | 5a (TJ) | 10V | 1,5OHM @ 1,1a, 10V | 3,5 V @ 90 ähm | 9.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 100 V | - - - | 49W (TC) | ||||||||||||||
 | Irll014ntr | - - - | | 1154 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001558818 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 2a (ta) | 4 V, 10V | 140Mohm @ 2a, 10V | 2v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 16 v | 230 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||
 | IRFP7537PBF | 3.5000 | | 366 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP7537 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 172a (TC) | 6 V, 10V | 3,3 MOHM @ 100A, 10V | 3,7 V @ 150 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 7020 PF @ 25 V | - - - | 230W (TC) | ||||||||||||||
 | IRGB14C40LPBF | - - - | | 7476 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Logik | 125 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | - - - | 430 v | 20 a | 1,75 V @ 5v, 14a | - - - | 27 NC | 900 ns/6 µs | |||||||||||||||||
 | IPG20N06S3L-23 | - - - | | 6688 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Ipg20n | MOSFET (Metalloxid) | 45W | PG-TDSON-8-4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000396304 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 55 v | 20a | 23mohm @ 16a, 10V | 2,2 V @ 20 ähm | 42nc @ 10v | 2950pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||
 | IRLI530NPBF | - - - | | 6365 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab Full-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 12a (TC) | 4 V, 10V | 100mohm @ 9a, 10V | 2v @ 250 ähm | 34 NC @ 5 V. | ± 16 v | 800 PF @ 25 V. | - - - | 41W (TC) | |||||||||||||||
 | IRF6775MTR1PBF | - - - | | 5439 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DirectFet ™ Isometrische MZ | MOSFET (Metalloxid) | DirectFet ™ MZ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 150 v | 4,9a (TA), 28a (TC) | 10V | 56mohm @ 5.6a, 10V | 5 V @ 100 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1411 PF @ 25 V. | - - - | 2,8 W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRF2804STRL7PP | 3.6300 | | 800 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB | IRF2804 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak (7-Lead) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 160a (TC) | 10V | 1,6 MOHM @ 160A, 10V | 4v @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 6930 PF @ 25 V. | - - - | 330W (TC) | ||||||||||||||
 | BSP129H6327XTSA1 | 0,8700 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SIPMOS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BSP129 | MOSFET (Metalloxid) | PG-SOT223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 240 V | 350 Ma (TA) | 0V, 10V | 6OHM @ 350 mA, 10V | 1V @ 108 ähm | 5.7 NC @ 5 V. | ± 20 V | 108 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 1,8W (TA) | ||||||||||||||
 | IRFS3507 | - - - | | 7504 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFS3507 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 75 V | 97a (TC) | 10V | 8,8 MOHM @ 58A, 10V | 4 V @ 100 µA | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 3540 PF @ 50 V | - - - | 190W (TC) | ||||||||||||||
 | IPDQ65R099CFD7XTMA1 | 6.3700 | | 2327 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 22-Powerbsop-Modul | IPDQ65 | MOSFET (Metalloxid) | PG-HDSOP-22-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 750 | N-Kanal | 650 V | 29a (TC) | 10V | 99mohm @ 9.7a, 10V | 4,5 v Bei 480 ua | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1942 PF @ 400 V | - - - | 186W (TC) | ||||||||||||||||
| IMIC50V01X6SA1 | - - - | | 3746 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Tablett | Aktiv | IMIC50 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001291750 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR2405TRR | - - - | | 3423 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR2405 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 55 v | 56a (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2430 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | ||||||||||||||
 | IPN50R1K4CEATMA1 | 0,6700 | | 3453 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IPN50R1 | MOSFET (Metalloxid) | PG-SOT223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 4.8a (TC) | 13V | 1,4OHM @ 900 mA, 13V | 3,5 V @ 70 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 178 PF @ 100 v | - - - | 5W (TC) | ||||||||||||||
 | Buz73a | - - - | | 4687 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SIPMOS® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 5.5a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 4,5A, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||||
 | ISC045N03L5SATMA1 | 0,6000 | | 18 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | ISC045 | MOSFET (Metalloxid) | PG-TDSON-8-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (TA), 63a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 30a, 10V | 2v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 870 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||
| IPD50N06S409ATMA1 | - - - | | 5659 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD50 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 34 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 3785 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | ||||||||||||||
 | IPA60R280P7SXKSA1 | 1.5800 | | 480 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ P7 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | IPA60R280 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-FP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 3,8a, 10 V | 4v @ 190 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 761 PF @ 400 V | - - - | 24W (TC) | ||||||||||||||
 | ISC0703NLSATMA1 | 1.0900 | | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ 5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | ISC0703n | MOSFET (Metalloxid) | PG-TDSON-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 13a (ta), 57a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,9 MOHM @ 32A, 10V | 2,3 V @ 15 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 30 V | - - - | 3W (TA), 44W (TC) | ||||||||||||||
 | IRF6655TRPBF | - - - | | 2710 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DirectFet ™ isometrische sh | MOSFET (Metalloxid) | DirectFet ™ Sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-Kanal | 100 v | 4.2a (TA), 19A (TC) | 10V | 62mohm @ 5a, 10V | 4,8 V @ 25 ähm | 11.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 2,2 W (TA), 42 W (TC) | |||||||||||||||
| IPC218N04N3X7SA1 | 1.8480 | | 1655 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ 3 | Schüttgut | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | IPC218 | MOSFET (Metalloxid) | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001155550 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 40 v | - - - | 10V | 50mohm @ 2a, 10V | 4 V @ 200 µA | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | 2.6600 | | 500 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IPP77N06 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 77a (TC) | 10V | 12mohm @ 38a, 10V | 4V @ 93 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1770 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TC) | ||||||||||||||
| IRG4PH30KPBF | - - - | | 5269 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG4PH30 | Standard | 100 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 960 V, 10a, 23 Ohm, 15 V | - - - | 1200 V | 20 a | 40 a | 4,2 V @ 15V, 10a | 640 µJ (EIN), 920 µJ (AUS) | 53 NC | 28ns/200ns | |||||||||||||||
| BSZ0803LSATMA1 | 0,5836 | | 2334 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ 5 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | BSZ0803 | MOSFET (Metalloxid) | Pg-tdson-8 fl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 9A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 23 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 50 V | - - - | 2.1W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||
 | IRF3711ZCL | - - - | | 9668 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF3711ZCL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 92a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 15a, 10V | 2.45 V @ 250 ähm | 24 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2150 PF @ 10 V | - - - | 79W (TC) | ||||||||||||||
 | IRLML2502TR | - - - | | 7768 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | MICRO3 ™/SOT-23 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4.2a (TA) | 45mohm @ 4,2a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | 740 PF @ 15 V | - - - | |||||||||||||||||||
| IPD70N10S3L12ATMA1 | 2.6300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD70 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 70A, 10V | 2,4 V @ 83 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 5550 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||||||||
 | IPU80R2K0P7AKMA1 | 1.1100 | | 4726 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ P7 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IPU80R2 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 800 V | 3a (TC) | 10V | 2OHM @ 940 mA, 10V | 3,5 V @ 50 µA | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 175 PF @ 500 V | - - - | 24W (TC) | ||||||||||||||
| Auirf3710z | - - - | | 7681 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 59a (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 25 V. | - - - | 160W (TC) | ||||||||||||||||
| IMT65R030M1HXUMA1 | 20.6300 | | 7590 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Powerfn | Sicfet (Silziumkarbid) | PG-HSOF-8-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | - - - | 650 V | - - - | 18V | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - |
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