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Diskette Halbeiterprodukte (16626)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung Gewinnen Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Reverse Recovery Time (TRR) Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BC817UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies BC817UPNE6327HTSA1 0,5000
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 ECAD 216 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 BC817 330 MW PG-SC74-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN, PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 170 MHz
IPI80N06S3-07 Infineon Technologies IPI80N06S3-07 - - -
RFQ
 ECAD 7265 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Ipi80n MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 55 v 80A (TC) 10V 6,8 MOHM @ 51A, 10V 4 V @ 80 µA 170 nc @ 10 v ± 20 V 7768 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
IRLR2703TRL Infineon Technologies IRLR2703TRL - - -
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 ECAD 2925 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 23a (TC) 4 V, 10V 45mohm @ 14a, 10V 1V @ 250 ähm 15 NC @ 4,5 V ± 16 v 450 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
FP75R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4B86BPSA1 277.7253
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 ECAD 8923 0.00000000 Infineon -technologien Econopim ™ 2 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 20 MW DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER AG-ECONO2B - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,15 V @ 15V, 75A 1 Ma Ja 4.3 NF @ 25 V
IKCM15F60GAXKMA1 Infineon Technologies IKCM15F60GAXKMA1 14.2700
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 ECAD 320 0.00000000 Infineon -technologien Cipos ™ Rohr Aktiv K. Loch 24-Powerdip-Modul (1.028 ", 26,10 mm) IGBT Ikcm15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 14 3 Phase 15 a 600 V 2000VRMs
IPT65R033G7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R033G7XTMA1 19.6600
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 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C7 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn IPT65R033 MOSFET (Metalloxid) PG-HSOF-8-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 650 V 69a (TC) 10V 33mohm @ 28.9a, 10V 4V @ 1,44 Ma 110 nc @ 10 v ± 20 V 5000 PF @ 400 V - - - 391W (TC)
IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies IRFS7437TRLPBF 2.1200
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 ECAD 8 0.00000000 Infineon -technologien HEXFET®, Strongirfet ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRFS7437 MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 195a (TC) 6 V, 10V 1,8 MOHM @ 100A, 10V 3,9 V @ 150 ähm 225 NC @ 10 V ± 20 V 7330 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
IPI70N04S307AKSA1 Infineon Technologies IPI70N04S307AKSA1 - - -
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 ECAD 9352 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Ipi70n MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 40 v 80A (TC) 10V 6,5 MOHM @ 70A, 10V 4 V @ 50 µA 40 nc @ 10 v ± 20 V 2700 PF @ 25 V. - - - 79W (TC)
IRFU1010ZPBF Infineon Technologies IRFU1010ZPBF - - -
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 ECAD 2678 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) Ipak (to-251aa) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 55 v 42a (TC) 10V 7,5 MOHM @ 42A, 10V 4 V @ 100 µA 95 NC @ 10 V ± 20 V 2840 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
IRFSL33N15D Infineon Technologies IRFSL33N15D - - -
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 ECAD 5995 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRFSL33N15D Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 33a (TC) 10V 56mohm @ 20a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 90 nc @ 10 v ± 30 v 2020 PF @ 25 V - - - 3,8 W (TA), 170 W (TC)
IPD105N04LGBTMA1 Infineon Technologies IPD105N04LGBTMA1 - - -
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 ECAD 9631 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd105n MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 10,5 MOHM @ 40A, 10V 2 V @ 14 µA 23 NC @ 10 V ± 20 V 1900 PF @ 20 V - - - 42W (TC)
IPP11N03LA Infineon Technologies IPP11N03LA - - -
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 ECAD 2288 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ip11n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 25 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 11,5 MOHM @ 30a, 10V 2 V @ 20 µA 11 NC @ 5 V ± 20 V 1358 PF @ 15 V - - - 52W (TC)
SPP06N80C3XK Infineon Technologies Spp06n80c3xk - - -
RFQ
 ECAD 8833 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Spp06n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen SP000013366 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 800 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 3,8a, 10 V 3,9 V @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 785 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
BCX5216H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5216H6327XTSA1 0,1920
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 ECAD 5339 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX5216 2 w Pg-sot89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 125 MHz
BFP405E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP405E6327BTSA1 - - -
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 ECAD 8574 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFP405 75 MW Pg-sot343-3d Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 23 dB 5v 25ma Npn 60 @ 5ma, 4V 25ghz 1,25 dB bei 1,8 GHz
IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies IPP055N03LGXKSA1 1.2900
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 ECAD 3070 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP055 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 5,5 MOHM @ 30a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 31 NC @ 10 V ± 20 V 3200 PF @ 15 V - - - 68W (TC)
IRF7306QTRPBF Infineon Technologies IRF7306QTRPBF - - -
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 ECAD 9083 0.00000000 Infineon -technologien - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF73 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 30V 3.6a 100MOHM @ 1,8a, 10 V. 1V @ 250 ähm 25nc @ 10v 440pf @ 25v - - -
IRLZ34NSTRR Infineon Technologies Irlz34nstrr - - -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q971401 Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 30a (TC) 4 V, 10V 35mohm @ 16a, 10V 2v @ 250 ähm 25 NC @ 5 V ± 16 v 880 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 68W (TC)
IPD60R950C6 Infineon Technologies IPD60R950C6 - - -
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 ECAD 8733 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C6 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd60r MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 4.4a (TC) 10V 950MOHM @ 1,5A, 10V 3,5 V @ 130 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 280 PF @ 100 V - - - 37W (TC)
IRL3705NSTRL Infineon Technologies IRL3705nstrl - - -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001571922 Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 89a (TC) 4 V, 10V 10Mohm @ 46a, 10V 2v @ 250 ähm 98 NC @ 5 V. ± 16 v 3600 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 170 W (TC)
IRFR5505TRR Infineon Technologies IRFR5505TRR - - -
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 ECAD 9969 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 55 v 18a (TC) 10V 110MOHM @ 9.6a, 10V 4v @ 250 ähm 32 NC @ 10 V ± 20 V 650 PF @ 25 V. - - - 57W (TC)
IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies IPLU300N04S41R1XTMA1 5.7000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn IPLU300 MOSFET (Metalloxid) PG-HSOF-8-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 300A (TC) 10V 1,15 MOHM @ 100A, 10 V 4V @ 125 ähm 151 NC @ 10 V ± 20 V 12090 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
TT170N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TT170N14KOFHPSA1 - - -
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 ECAD 5700 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul TT170N14 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 3 300 ma 1,4 kv 350 a 2 v 5200a @ 50Hz 200 ma 223 a 2 SCRS
IRGS4610DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4610DTRRPBF - - -
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 77 w D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001533042 Ear99 8541.29.0095 800 400 V, 6A, 47OHM, 15 V. 74 ns - - - 600 V 16 a 18 a 2v @ 15V, 6a 56 µJ (EIN), 122 µJ (AUS) 13 NC 27ns/75ns
IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQDH35N03LM5CGATMA1 3.9700
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 ECAD 7676 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 5 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-Powertdfn Iqdh35 MOSFET (Metalloxid) PG-TTFN-9-U02 - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 5.000 N-Kanal 30 v 66A (TA), 700A (TC) 4,5 V, 10 V. 0,35 MOHM @ 50A, 10 V. 2V @ 1,46 mA 197 NC @ 10 V ± 20 V 18000 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 278W (TC)
IRL1004 Infineon Technologies IRL1004 - - -
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRL1004 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 130a (TC) 4,5 V, 10 V. 6,5 MOHM @ 78A, 10V 1V @ 250 ähm 100 NC @ 4,5 V. ± 16 v 5330 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
BCR162E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR162E6327HTSA1 - - -
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 ECAD 6456 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCR162 200 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 20 @ 5ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
IRLZ44NSTRR Infineon Technologies Irlz44nstrr - - -
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 47a (TC) 4 V, 10V 22mohm @ 25a, 10V 2v @ 250 ähm 48 nc @ 5 v ± 16 v 1700 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 110 W (TC)
IRFS31N20DPBF Infineon Technologies IRFS31N20DPBF - - -
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 ECAD 3194 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 31a (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 107 NC @ 10 V ± 30 v 2370 PF @ 25 V. - - - 3.1W (TA), 200W (TC)
IPB136N08N3 G Infineon Technologies IPB136N08N3 g - - -
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 ECAD 2427 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB136N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 80 v 45a (TC) 6 V, 10V 13,6 MOHM @ 45A, 10V 3,5 V @ 33 µA 25 NC @ 10 V ± 20 V 1730 PF @ 40 V - - - 79W (TC)
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    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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