SIC
close

Diskette Halbeiterprodukte (16626)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) RAUSCHFIGUR Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
FS820R08A6P2BPSA1 Infineon Technologies FS820R08A6P2BPSA1 682,5000
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 Infineon -technologien Hybridpack ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS820R08 714 w Standard Ag-Hybridd-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 750 V 820 a 1,35 V @ 15V, 450a 1 Ma Ja 80 NF @ 50 V
SPB160N04S2L03DTMA1 Infineon Technologies SPB160N04S2L03DTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 5329 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) SPB160N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-7-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 40 v 160a (TC) 10V 2,7 MOHM @ 80A, 10V 2v @ 250 ähm 230 NC @ 10 V. ± 20 V 8000 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R2K0P7SATMA1 0,6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P7 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa IPN70R2 MOSFET (Metalloxid) Pg-SOT223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 700 V 3a (TC) 10V 2OHM @ 500 mA, 10V 3,5 V @ 30 ähm 3,8 NC @ 10 V. ± 16 v 130 PF @ 400 V - - - 6W (TC)
IPA60R060C7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R060C7XKSA1 6.1961
RFQ
 ECAD 7355 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA60R060 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 600 V 16a (TC) 10V 60mohm @ 15.9a, 10V 4V @ 800 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 2850 PF @ 400 V - - - 34W (TC)
IRLZ44ZS Infineon Technologies Irlz44zs - - -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *Irlz44zs Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 51a (TC) 4,5 V, 10 V. 13,5 MOHM @ 31A, 10V 3v @ 250 ähm 36 NC @ 5 V. ± 16 v 1620 PF @ 25 V. - - - 80W (TC)
IRLML2502TR Infineon Technologies IRLML2502TR - - -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Infineon -technologien - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) MICRO3 ™/SOT-23 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 4.2a (TA) 45mohm @ 4,2a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 12 NC @ 5 V 740 PF @ 15 V - - -
BSS139 E6906 Infineon Technologies BSS139 E6906 - - -
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) Pg-SOT23 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 250 V 100 mA (ta) 0V, 10V 14ohm @ 0,1 mA, 10 V. 1 V @ 56 µA 3,5 NC @ 5 V. ± 20 V 76 PF @ 25 V. Depletion -modus 360 MW (TA)
IPI25N06S3-25 Infineon Technologies IPI25N06S3-25 - - -
RFQ
 ECAD 6941 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Ipi25n MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 25a (TC) 10V 25.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 20 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 1862 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
IPP06CN10N G Infineon Technologies Ipp06cn10n g - - -
RFQ
 ECAD 5218 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP06C MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 100 v 100a (TC) 10V 6,5 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 180 ähm 139 NC @ 10 V ± 20 V 9200 PF @ 50 V - - - 214W (TC)
BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies BFP620H7764XTSA1 0,7200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFP620 185 MW Pg-sot343-3d Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 21.5db 2,8 v 80 Ma Npn 110 @ 50 Ma, 1,5 V. 65 GHz 0,7 db ~ 1,3 db bei 1,8 GHz ~ 6 GHz
IDP06E60 Infineon Technologies Idp06e60 - - -
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Idp06 Standard PG-to220-2-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 6 a 70 ns 50 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 14.7a - - -
IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF013N04NF2SATMA1 2.7500
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Infineon -technologien Strongirfet ™ 2 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) IPF013 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-7-U02 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 40a (TA), 232a (TC) 6 V, 10V 1,35 MOHM @ 100A, 10 V. 3,4 V @ 126 ähm 159 NC @ 10 V ± 20 V 7500 PF @ 20 V - - - 3,8 W (TA), 188W (TC)
TT215N18KOFHPSA1 Infineon Technologies TT215N18kofHPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8944 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul TT215N18 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 3 300 ma 1,8 kv 2 v 7000a @ 50Hz 200 ma 215 a 2 SCRS
BAS70-04WE6327 Infineon Technologies BAS70-04WE6327 0,2400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bas70 Schottky PG-SOT323-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C.
BFP 196R E6501 Infineon Technologies BFP 196R E6501 - - -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BFP 196 700 MW PG-SOT-143-3D Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 10,5 dB ~ 16,5 dB 12V 150 Ma Npn 70 @ 50 Ma, 8 V 7,5 GHz 1,3 db ~ 2,3 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz
ACCESSORY31873NOSA1 Infineon Technologies Accessoire31873nosa1 - - -
RFQ
 ECAD 6165 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Accessoire3 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 1
IRGP4630D-EPBF Infineon Technologies IRGP4630D-EPBF - - -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 206 w To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 400 V, 18a, 22ohm, 15 V. 100 ns - - - 600 V 47 a 54 a 1,95 V @ 15V, 18a 95 µJ (EIN), 350 µJ (AUS) 35 NC 40ns/105ns
IRF7495PBF Infineon Technologies IRF7495PBF - - -
RFQ
 ECAD 7674 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 95 N-Kanal 100 v 7.3a (ta) 10V 22mohm @ 4.4a, 10V 4v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 20 V 1530 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
BCR 101T E6327 Infineon Technologies BCR 101T E6327 - - -
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 BCR 101 250 MW PG-SC75-3D Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 50 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 100 Kohms 100 Kohms
IGC99T120T8RQX1SA1 Infineon Technologies IGC99T120T8RQX1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben IGC99T120 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a 300 a 2,42 V @ 15V, 100a - - - - - -
IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R180P7XKSA1 2.8400
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP60R180 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001606038 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 18a (TC) 10V 180 MOHM @ 5.6A, 10V 4 V @ 280 µA 25 NC @ 10 V ± 20 V 1081 PF @ 400 V - - - 72W (TC)
IRFH5302DTR2PBF Infineon Technologies IRFH5302DTR2PBF - - -
RFQ
 ECAD 3611 0.00000000 Infineon -technologien - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PQFN (5x6) Single -Statempel Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 30 v 29a (TA), 100A (TC) 2,5 MOHM @ 50A, 10V 2,35 V @ 100 µA 55 NC @ 10 V 3635 PF @ 25 V. - - -
IRFP4232PBF Infineon Technologies IRFP4232PBF - - -
RFQ
 ECAD 5091 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Tasche Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 250 V 60a (TC) 10V 35.7mohm @ 42a, 10V 5 V @ 250 ähm 240 nc @ 10 v ± 20 V 7290 PF @ 25 V. - - - 430W (TC)
IDH12SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH12SG60CXKSA2 6.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 IDH12SG60 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 2,1 V @ 12 a 0 ns 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 310pf @ 1V, 1 MHz
IPD60R450E6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R450E6ATMA1 - - -
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ E6 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd60r MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 9.2a (TC) 10V 450MOHM @ 3.4a, 10V 3,5 V @ 280 ähm 28 NC @ 10 V ± 20 V 620 PF @ 100 V - - - 74W (TC)
IRF1312PBF Infineon Technologies IRF1312PBF - - -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 80 v 95a (TC) 10V 10MOHM @ 57A, 10V 5,5 V @ 250 ähm 140 nc @ 10 v ± 20 V 5450 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 210 W (TC)
IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R099C6XKSA1 4.8603
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Lets Kaufen -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA60R099 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 37,9a (TC) 10V 99mohm @ 18.1a, 10V 3,5 V @ 1,21 Ma 119 NC @ 10 V ± 20 V 2660 PF @ 100 V - - - 35W (TC)
IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R125CFD7XKSA1 5.0500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Ipa60r MOSFET (Metalloxid) PG-to220 Full Pack Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 11a (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4,5 v Bei 390 ähm 36 NC @ 10 V ± 20 V 1503 PF @ 400 V - - - 32W (TC)
PTFA212401E V4 R250 Infineon Technologies PTFA212401E V4 R250 - - -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg H-36260-2 PTFA212401 2.14 GHz Ldmos H-36260-2 Herunterladen 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 250 10 µA 1.6 a 50W 15.8db - - - 30 v
IRF5803 Infineon Technologies IRF5803 - - -
RFQ
 ECAD 1599 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) Micro6 ™ (TSOP-6) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 P-Kanal 40 v 3.4a (TA) 4,5 V, 10 V. 112mohm @ 3.4a, 10V 3v @ 250 ähm 37 NC @ 10 V. ± 20 V 1110 PF @ 25 V - - - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen