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Diskette Halbeiterprodukte (16626)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Struktur	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Strom - Hold (ih) (max)	Testedingung	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Staat	Strom - Auf Status (It (RMS)) (max)	Spannung - Gate Trigger (VGT) (max)	Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM)	Strom - Gate Trigger (IGT) (max)	Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Anzahl der Scrs, Dioden	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BCR 158T E6327	- - -	RFQ	4802	Infineon -technologien	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic		Oberflächenhalterung	SC-75, SOT-416	BCR 158			250 MW			PG-SC-75	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																																		50 v	100 ma						100NA (ICBO)	PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	200 MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
IDK05G120C5XTMA1	5.4100	RFQ	603	Infineon -technologien	Coolsic ™+	Band & Rollen (TR)	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	IDK05G120		SIC (Silicon Carbide) Schottky				PG-to263-2-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.000		Keine Erholungszeit> 500 mA (IO)																						1200 V		1,8 V @ 5 a		33 µa @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	19.1a	301pf @ 1V, 1 MHz
IRLR8729TRLPBF	- - -	RFQ	4139	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	IRLR8729		MOSFET (Metalloxid)				D-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001552874	Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal				30 v	58a (TC)	4,5 V, 10 V.	8,9mohm @ 25a, 10V	2,35 V @ 25 µA	16 NC @ 4,5 V	± 20 V	1350 PF @ 15 V	- - -	55W (TC)
BFN 24 E6327	0,0700	RFQ	3849	Infineon -technologien	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				360 MW			PG-SOT23-3-1	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	3.000																																		250 V	200 ma						100NA (ICBO)		400mv @ 2MA, 20 mA	40 @ 30 ma, 10V	70 MHz
IRF6668TR1	- - -	RFQ	6736	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	DirectFet ™ Isometrische MZ			MOSFET (Metalloxid)				DirectFet ™ MZ	Herunterladen	Rohs Nick Konform	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal				80 v	55a (TC)	10V	15mohm @ 12a, 10V	4,9 V @ 100 µA	31 NC @ 10 V	± 20 V	1320 PF @ 25 V.	- - -	2,8 W (TA), 89W (TC)
BAV74	0,0400	RFQ	58	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BAV74		Standard				SOT-23-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit																					1 Paar Gemeinsamer Kathode	50 v	200 ma	1 V @ 100 mA	4 ns	100 na @ 50 V	150 ° C (max)
IRF520NSPBF	- - -	RFQ	7146	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Abgebrochen bei Sic		Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)				D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal				100 v	9.7a (TC)	10V	200mohm @ 5.7a, 10V	4v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 20 V	330 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 48W (TC)
IRGP4262D-EPBF	- - -	RFQ	2908	Infineon -technologien	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		250 w			To-247ad	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001549768	Ear99	8541.29.0095	25					400 V, 24a, 10ohm, 15 V.																						170 ns						- - -	650 V	60 a	96 a	2,1 V @ 15V, 24a	520 µJ (EIN), 240 µJ (AUS)	70 nc	24ns/73ns
IDW30S120FKSA1	- - -	RFQ	6351	Infineon -technologien	Coolsic ™+	Rohr	Veraltet		K. Loch	To-247-3			SIC (Silicon Carbide) Schottky				PG-to247-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	240		Keine Erholungszeit> 500 mA (IO)																					1 Paar Gemeinsamer Kathode	1200 V	15a (DC)	1,8 V @ 30 a		305 µa @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
IPT65R195G7XTMA1	3.9400	RFQ	1	Infineon -technologien	Coolmos ™ C7	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerfn	IPT65R195		MOSFET (Metalloxid)				PG-HSOF-8-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000			N-Kanal				650 V	14a (TC)	10V	195mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 240 ähm	20 nc @ 10 v	± 20 V	996 PF @ 400 V	- - -	97W (TC)
IRFU3707ZPBF	- - -	RFQ	2810	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)				Ipak (to-251aa)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	75			N-Kanal				30 v	56a (TC)	4,5 V, 10 V.	9,5 MOHM @ 15a, 10V	2,25 V @ 25 µA	14 NC @ 4,5 V.	± 20 V	1150 PF @ 15 V	- - -	50W (TC)
IRF7493TRPBF	1.6900	RFQ	6197	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IRF7493		MOSFET (Metalloxid)				8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	4.000			N-Kanal				80 v	9,3a (TC)	10V	15mohm @ 5.6a, 10V	4v @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 20 V	1510 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TC)
IRFZ48NLPBF	- - -	RFQ	4972	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)				To-262	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal				55 v	64a (TC)	10V	14mohm @ 32a, 10V	4v @ 250 ähm	81 NC @ 10 V	± 20 V	1970 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 130 W (TC)
SPD06N60C3BTMA1	- - -	RFQ	4377	Infineon -technologien	Coolmos ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	SPD06N		MOSFET (Metalloxid)				PG-to252-3-11	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal				650 V	6.2a (TC)	10V	750 MOHM @ 3,9a, 10V	3,9 V @ 260 ähm	31 NC @ 10 V	± 20 V	620 PF @ 25 V.	- - -	74W (TC)
IRL540NL	- - -	RFQ	8042	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)				To-262	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	*IRL540NL	Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal				100 v	36a (TC)	4 V, 10V	44mohm @ 18a, 10V	2v @ 250 ähm	74 NC @ 5 V.	± 16 v	1800 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 140 W (TC)
IPP65R225C7XKSA1	3.0200	RFQ	47	Infineon -technologien	Coolmos ™ C7	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	IPP65R225		MOSFET (Metalloxid)				PG-to220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal				650 V	11a (TC)	10V	225mohm @ 4,8a, 10V	4V @ 240 ähm	20 nc @ 10 v	± 20 V	996 PF @ 400 V	- - -	63W (TC)
Irf9z24ns	- - -	RFQ	9808	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)				D2pak	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	*Irf9z24ns	Ear99	8541.29.0095	50			P-Kanal				55 v	12a (TC)	10V	175mohm @ 7.2a, 10V	4v @ 250 ähm	19 NC @ 10 V	± 20 V	350 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 45W (TC)
IRll2703TRPBF	- - -	RFQ	3246	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			MOSFET (Metalloxid)				SOT-223	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal				30 v	3.9a (TA)	4 V, 10V	45mohm @ 3,9a, 10V	2,4 V @ 250 ähm	14 NC @ 5 V	± 16 v	530 PF @ 25 V.	- - -	1W (TA)
IPB80P04P407ATMA2	2.8000	RFQ	1	Infineon -technologien	Optimos ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	IPB80p		MOSFET (Metalloxid)				PG-to263-3-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000			P-Kanal				40 v	80A (TC)	10V	7.4mohm @ 80A, 10V	4 V @ 150 ähm	89 NC @ 10 V	± 20 V	6085 PF @ 25 V.	- - -	88W (TC)
BSP316PE6327	- - -	RFQ	3865	Infineon -technologien	SIPMOS®	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			MOSFET (Metalloxid)				PG-SOT223-4	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000			P-Kanal				100 v	680 Ma (TA)	4,5 V, 10 V.	1,8OHM @ 680 mA, 10V	2v @ 170 µA	6.4 NC @ 10 V	± 20 V	146 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA)
IPI06N03LA	- - -	RFQ	9726	Infineon -technologien	Optimos ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	Ipi06n		MOSFET (Metalloxid)				PG-to262-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	500			N-Kanal				25 v	50a (TC)	4,5 V, 10 V.	6.2mohm @ 30a, 10V	2 V @ 40 µA	22 NC @ 5 V	± 20 V	2653 PF @ 15 V	- - -	83W (TC)
IRFR3706	- - -	RFQ	1890	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)				D-Pak	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	*IRFR3706	Ear99	8541.29.0095	75			N-Kanal				20 v	75a (TC)	2,8 V, 10 V.	9mohm @ 15a, 10V	2v @ 250 ähm	35 NC @ 4,5 V.	± 12 V	2410 PF @ 10 V	- - -	88W (TC)
IRF7325	- - -	RFQ	6236	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IRF732		MOSFET (Metalloxid)	2W			8-so	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	95	2 p-kanal (dual)						12V	7.8a		24MOHM @ 7,8a, 4,5 V.	900 MV @ 250 ähm	33nc @ 4,5V		2020pf @ 10v	Logikpegel -tor
IRF7604TR	- - -	RFQ	8032	Infineon -technologien	- - -	Klebeband (CT) Schneiden	Veraltet		Oberflächenhalterung	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)				Micro8 ™	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	4.000			P-Kanal				20 v	3.6a (TA)		90 MOHM @ 2,4a, 4,5 V.	700 MV @ 250 um (min)	20 NC @ 4,5 V.		590 PF @ 15 V	- - -
ISC0803NLSATMA1	1.2800	RFQ	4	Infineon -technologien	Optimos ™ 5	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	ISC0803n		MOSFET (Metalloxid)				PG-TDSON-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5.000			N-Kanal				100 v	8,8a (TA), 37A (TC)	4,5 V, 10 V.	16,9 MOHM @ 20A, 10V	2,3 V @ 18 ähm	15 NC @ 10 V	± 20 V	1000 PF @ 50 V	- - -	2,5 W (TA), 43W (TC)
DF450R12N2E4pb11bpsa1	169.0850	RFQ	4719	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Lets Kaufen	- - -	- - -	- - -	DF450					- - -	- - -	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001664370		0000.00.0000	10	- - -																																- - -				- - -
IRG4PSH71UDPBF	- - -	RFQ	4618	Infineon -technologien	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-274aa		Standard		350 w			Super-247 ™ (to-274aa)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25					960 V, 70a, 5ohm, 15 V.																						110 ns						- - -	1200 V	99 a	200 a	2,7 V @ 15V, 70a	8,8mj (Ein), 9,4mj (AUS)	380 nc	46ns/250ns
DT61N16KOFKHPSA1	- - -	RFQ	6070	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet	125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul					Serienverbindung - SCR/Diode			Herunterladen		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	15				200 ma													1,6 kv	120 a	1,4 v	1550a @ 50Hz	120 Ma	76 a										1 SCR, 1 Diode
BFR193WH6327	- - -	RFQ	1154	Infineon -technologien	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323				580 MW			PG-SOT323-3-1	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000						16 dB																												12V	80 Ma							Npn		70 @ 30ma, 8v	8GHz			1 db ~ 1,6 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz
DD175N34KHPSA1	304.1000	RFQ	3	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv		Chassis -berg	Modul	DD175N34		Standard				Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)																					1 Paar Serie Verbindung	3400 v	223a	2.05 V @ 600 a		20 mA @ 3400 V	-40 ° C ~ 150 ° C.

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette Halbeiterprodukte (16626)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²