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Diskette Halbeiterprodukte (16626)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Max Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss @ if, f Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
SIGC05T60SNCX7SA2 Infineon Technologies SIGC05T60SNCX7SA2 - - -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc05 Standard Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 400 V, 4A, 67OHM, 15 V. Npt 600 V 4 a 12 a 2,5 V @ 15V, 4a - - - 22ns/264ns
SIGC06T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC06T60EX7SA1 - - -
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc06 Standard Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 600 V 10 a 30 a 1,9 V @ 15V, 10a - - - - - -
SIGC76T60R3EX7SA1 Infineon Technologies SIGC76T60R3EX7SA1 - - -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc76 Standard Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 600 V 150 a 450 a 1,9 V @ 15V, 150a - - - - - -
IRGC4067EFX7SA1 Infineon Technologies IRGC4067EFX7SA1 - - -
RFQ
 ECAD 3834 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv - - - Oberflächenhalterung Sterben IRGC4067 Standard Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - - - - 600 V 240 a - - - - - - - - -
IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA126N10NM3SXKSA1 1.8500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA126 MOSFET (Metalloxid) PG-to220 Full Pack Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 39a (TC) 6 V, 10V 12,6 MOHM @ 39A, 10V 3,5 V @ 46 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 2500 PF @ 50 V - - - 33W (TC)
AIGB30N65F5ATMA1 Infineon Technologies AIGB30N65F5ATMA1 3.8600
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab AIGB30 Standard PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 - - - Npt 650 V 30 a - - - - - - - - -
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies IPA083N10NM5SXKSA1 1.9300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 5 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA083 MOSFET (Metalloxid) PG-to220 Full Pack Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 100 v 50a (TC) 6 V, 10V 8.3mohm @ 25a, 10V 3,8 V @ 49 ähm 40 nc @ 10 v ± 20 V 2700 PF @ 50 V - - - 36W (TC)
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Infineon Technologies F3L200R07W2S5FB11BOMA1 98.4400
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul F3L200 20 MW Standard Ag-Easy2b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 650 V 95 a 1,38 V @ 15V, 100a 1 Ma Ja 14.3 NF @ 25 V.
FR900R12IP4DBPSA1 Infineon Technologies FR900R12IP4DBPSA1 1.0000
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 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™ 2 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FR900R12 20 MW Standard Ag-prime3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Doppelbremse Chopper TRABENFELD STOPP 1200 V 900 a 2.05 V @ 15V, 900A 5 Ma Ja 54 NF @ 25 V.
IPA50R280E6 Infineon Technologies IPA50R280E6 0,9400
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 ECAD 349 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-IPA50R280E6 349
IPQC60R017S7XTMA1 Infineon Technologies IPQC60R017S7XTMA1 18.4700
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ S7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 22-Powerbsop-Modul MOSFET (Metalloxid) PG-HDSOP-22 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 750 N-Kanal 600 V 30a (TC) 12V 17mohm @ 29a, 12V 4,5 V @ 1,89 Ma 196 NC @ 12 V ± 20 V 7370 PF @ 300 V - - - 500W (TC)
IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies IRF9540NSTRLPBF 2.4900
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 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRF9540 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 P-Kanal 100 v 23a (TC) 10V 117mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V 1450 PF @ 25 V. - - - 3.1W (TA), 110W (TC)
FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies FF225R12ME4PBPSA1 177.1167
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF225R12 20 MW Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 450 a 2,15 V @ 15V, 225a 3 ma Ja 13 NF @ 25 V
IPI05CN10N G Infineon Technologies Ipi05cn10n g - - -
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa IPI05C MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 100 v 100a (TC) 10V 5.4mohm @ 100a, 10V 4v @ 250 ähm 181 NC @ 10 V. ± 20 V 12000 PF @ 50 V - - - 300 W (TC)
IRFR7540TRPBF Infineon Technologies IRFR7540TRPBF 1.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Strongirfet ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRFR7540 MOSFET (Metalloxid) D-Pak (to-252aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 90a (TC) 6 V, 10V 4,8 MOHM @ 66A, 10V 3,7 V @ 100 µA 130 nc @ 10 v ± 20 V 4360 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
IPI65R280C6 Infineon Technologies IPI65R280C6 1.0700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos C6 ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) PG-TO262-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 650 V 13,8a (TC) 10V 280 MOHM @ 4,4a, 10V 3,5 V @ 440 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 950 PF @ 100 V - - - 104W (TC)
AIMZHN120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZHN120R030M1TXKSA1 27.5217
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-IMZHN120R030M1TXKSA1 240
IRFC4010EB Infineon Technologies IRFC4010EB - - -
RFQ
 ECAD 8307 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Veraltet Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1
BBY5806WE6327BTSA1 Infineon Technologies BBY5806WE6327BTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BBY58 Pg-SOT323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 5.5PF @ 6v, 1 MHz 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 10 v 3.5 C1/C4 - - -
BB639CE7908HTSA1 Infineon Technologies BB639CE7908HTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 3671 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BB639 PG-SOD323-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 2.75PF @ 28V, 1 MHz Einzel 30 v 15.3 C1/C28 - - -
BBY 51-02W E6327 Infineon Technologies BBY 51-02W E6327 - - -
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-80 BBY 51 SCD-80 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 3.7pf @ 4V, 1 MHz Einzel 7 v 2.2 C1/C4 - - -
BBY5302LE6327XTMA1 Infineon Technologies BBY5302LE6327XTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-882 BBY53 PG-TSLP-2-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 15.000 3.1pf @ 3v, 1 MHz Einzel 6 v 2.6 C1/C3 - - -
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies IKW50N65ET7XKSA1 6.3400
RFQ
 ECAD 8024 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Trenchstop ™ Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IKW50N65 Standard 273 w PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 50A, 9OHM, 15 V. 93 ns TRABENFELD STOPP 650 V 50 a 150 a 1,65 V @ 15V, 50a 1,2mj (EIN), 850 µJ (AUS) 290 nc 26ns/350ns
BAR64-03W Infineon Technologies BAR64-03W - - -
RFQ
 ECAD 2905 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1
BAT15-099R Infineon Technologies Bat15-099r 1.0000
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) To-253-4, to-253aa Pg-SOT143 Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 110 Ma 100 MW 0,5PF @ 0V, 1 MHz Schottky - 2 Paar Common Cathode 4V - - -
IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies IPD30N03S2L07ATMA1 - - -
RFQ
 ECAD 1531 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd30n MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-11 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 6.7mohm @ 30a, 10V 2v @ 85 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 1900 PF @ 25 V. - - - 136W (TC)
BBY 65-02V E6327 Infineon Technologies BBY 65-02V E6327 - - -
RFQ
 ECAD 9454 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BBY 65 PG-SC79-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 2.8pf @ 4,7 V, 1 MHz Einzel 15 v 10.9 C0.3/C4.7 - - -
BAR6302WH6327 Infineon Technologies BAR6302WH6327 - - -
RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) SC-80 SCD-80 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 100 ma 250 MW 0,3PF @ 5V, 1 MHz Pin - Single 50V 1ohm @ 10 mA, 100 MHz
IPB80N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPB80N03S4L02ATMA1 1.5551
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB80N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 2,4mohm @ 80a, 10V 2,2 V @ 90 ähm 140 nc @ 10 v ± 16 v 9750 PF @ 25 V. - - - 136W (TC)
D5810N04TVFXPSA1 Infineon Technologies D5810N04TVFXPSA1 410.4450
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Lets Kaufen Klemmen Do-200AC, K-Puk D5810N04 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 100 mA @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 5800a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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