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Diskette Halbeiterprodukte (16626)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FF600R17KF6CB2NOSA1 | - - - |  | 1801 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 4800 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Unabhängig | - - - | 1700 v | 3,1 V @ 15V, 600A | 5 Ma | NEIN | 40 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||
| FZ1200R12KF5NDSA1 | - - - | | 5038 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Tablett | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000551100 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ1200R12KL4CNOSA1 | - - - | | 8633 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 7800 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000014916 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzelschalter | - - - | 1200 V | 1900 a | 2,6 V @ 15V, 1,2ka | 5 Ma | NEIN | 90 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||
| FZ1200R17KE3B2NOSA1 | - - - | | 8392 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 8950 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000100600 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzelschalter | - - - | 1700 v | 1900 a | 2,45 V @ 15V, 1,2 ka | 5 Ma | NEIN | 110 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||
 | FZ1600R17KE3B2NOSA1 | - - - | | 3038 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 10500 w | Standard | A-IHV130-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzelschalter | - - - | 1700 v | 2400 a | 2,45 V @ 15V, 1,6 ka | 5 Ma | NEIN | 145 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||
 | DF80R12W2H3FB11BPSA1 | 94.6200 | | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 2 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DF80R12 | 20 MW | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 20 a | 1,7 V @ 15V, 20a | 1 Ma | Ja | 2,35 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||
 | F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | 112.0500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 2 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | F43L50 | 20 MW | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 650 V | 50 a | 1,8 V @ 15V, 50a | 1 Ma | Ja | 3.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 | 94.6200 | | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | EasyPack ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS3L30 | 20 MW | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 650 V | 30 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 1 Ma | Ja | 1,65 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||
 | IPD50R280CEAUMA1 | 1.7600 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD50R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 13a (ta) | 13V | 280mohm @ 4.2a, 13V | 3,5 V @ 350 ähm | 32.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 773 PF @ 100 V | - - - | 119W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPD50R500CEAUMA1 | 1.0100 | | 26 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD50R500 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 7.6a (TC) | 13V | 500MOHM @ 2,3a, 13V | 3,5 V bei 200 µA | 18.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 433 PF @ 100 V | - - - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | 0,7200 | | 18 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ipd60r | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,1a, 10V | 3,5 V @ 90 ähm | 9.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 100 V | - - - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPN50R3K0CEATMA1 | 0,5000 | | 2062 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IPN50R3 | MOSFET (Metalloxid) | PG-SOT223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 2.6a (TC) | 13V | 3OHM @ 400 mA, 13V | 3,5 V @ 30 ähm | 4,3 nc @ 10 v | ± 20 V | 84 PF @ 100 V | - - - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | 0,7500 | | 2709 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IPN60R1 | MOSFET (Metalloxid) | PG-SOT223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 6.8a (TC) | 10V | 1OHM @ 1,5a, 10V | 3,5 V @ 130 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 280 PF @ 100 V | - - - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPU60R3K4ceakma1 | - - - | | 3149 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IPU60R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 600 V | 2.6a (TJ) | 10V | 3,4OHM @ 500 mA, 10 V. | 3,5 V @ 40 ähm | 4,6 nc @ 10 v | ± 20 V | 93 PF @ 100 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||
 | FS50R07W1E3B11ABOMA1 | 45.1600 | | 20 | 0.00000000 | Infineon -technologien | EasyPack ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS50R07 | 205 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000865118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 50 µA | Ja | 3.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| FS600R07A2E3B31BOSA1 | - - - | | 7249 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Tablett | Veraltet | FS600R07 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDB15E60ATMA1 | 0,8040 | | 9130 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDB15 | Standard | PG-to263-3-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 15 a | 87 ns | 50 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 29.2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| IPD65R600C6ATMA1 | - - - | | 3997 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD65R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-313 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001121530 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10 V. | 3,5 V @ 210 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 440 PF @ 100 V | - - - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPI50R350CPXKSA1 | - - - | | 7407 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IPI50R350 | MOSFET (Metalloxid) | PG-TO262-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000680736 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 10a (TC) | 10V | 350MOHM @ 5.6a, 10V | 3,5 V @ 370 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1020 PF @ 100 V | - - - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPP50R250CPXKSA1 | 1.8880 | | 4408 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IPP50R250 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 250 MOHM @ 7.8a, 10V | 3,5 V @ 520 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1420 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SPD02N50C3BTMA1 | - - - | | 5255 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SPD02N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-311 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 1,8a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 3,9 V @ 80 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 190 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
| SPD04N60C3ATMA1 | 1.9900 | | 9264 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SPD04N60 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 4,5a (TC) | 10V | 950 MOHM @ 2,8a, 10V | 3,9 V @ 200 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SPP06N60C3XKSA1 | - - - | | 5420 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp06n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000681028 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 750 MOHM @ 3,9a, 10V | 3,9 V @ 260 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SPP07N60S5XKSA1 | - - - | | 1722 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp07n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000681034 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600MOHM @ 4.6a, 10V | 5,5 V @ 350 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 970 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||
| SPP15N60CFDXKSA1 | 3.2127 | | 6385 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp15n60 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 13,4a (TC) | 10V | 330mohm @ 9.4a, 10V | 5 V @ 750 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 1820 PF @ 25 V. | - - - | 156W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BSC020N03LSGATMA2 | - - - | | 3687 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | BSC020 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000959514 | 0000.00.0000 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC03S2N03LX3MA1 | 0,3144 | | 2088 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Sipc03 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000014961 | 0000.00.0000 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD70N12S3L12ATMA1 | - - - | | 2365 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD70 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 120 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 70A, 10V | 2,4 V @ 83 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 5550 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPP70N12S3L12AKSA1 | - - - | | 3089 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IPP70N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 120 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12.1mohm @ 70a, 10V | 2,4 V @ 83 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 5550 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPG20N04S409ATMA1 | - - - | | 8611 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Ipg20n | MOSFET (Metalloxid) | 54W (TC) | PG-TDSON-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20A (TC) | 8.6mohm @ 17a, 10V | 4 V @ 22 µA | 28nc @ 10v | 2250pf @ 25v | - - - |
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