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Diskette Halbeiterprodukte (16626)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S5L7R4ATMA1 0,9500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn IPZ40N04 MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 7.4mohm @ 20a, 10V 2 V @ 10 µA 17 NC @ 10 V ± 16 v 920 PF @ 25 V. - - - 34W (TC)
IPZ60R070P6FKSA1 Infineon Technologies IPZ60R070P6FKSA1 6.9163
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P6 Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 IPZ60R070 MOSFET (Metalloxid) PG-to247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240 N-Kanal 600 V 53,5a (TC) 10V 70 MOHM @ 20.6A, 10V 4,5 V @ 1,72 mA 100 nc @ 10 v ± 20 V 4750 PF @ 100 V - - - 391W (TC)
IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ65R065C7XKSA1 11.9900
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 IPZ65R065 MOSFET (Metalloxid) PG-to247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 33a (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10V 4v @ 850 ähm 64 NC @ 10 V ± 20 V 3020 PF @ 400 V - - - 171W (TC)
PTFB093608FVV2R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB093608FVV2R250XTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 Infineon -technologien * Band & Rollen (TR) Veraltet Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000997836 Ear99 8541.29.0095 250
PTFB093608SVV2R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB093608SVV2R250XTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 2694 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 65 V Oberflächenhalterung H-37275G-6/2 PTFB093608 920 MHz ~ 960 MHz Ldmos H-37275G-6/2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000957080 Ear99 8541.29.0095 250 - - - 360W 20db - - -
PTVA123501ECV2XWSA1 Infineon Technologies PTVA123501ECV2XWSA1 - - -
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet 105 V Oberflächenhalterung 2-Flatpack, Flossen-Leads 1,2 GHz ~ 1,4 GHz Ldmos H-36248-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001237182 Ear99 8541.29.0095 50 Dual 10 µA 350W 17db - - -
PTVA123501FCV1XWSA1 Infineon Technologies PTVA123501FCV1XWSA1 - - -
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet 105 V Oberflächenhalterung 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch 1,2 GHz ~ 1,4 GHz Ldmos H-37248-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001145562 Ear99 8541.29.0095 50 Dual 10 µA 350W 17db - - -
SN7002WH6433XTMA1 Infineon Technologies SN7002WH6433XTMA1 0,0551
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Infineon -technologien * Band & Rollen (TR) Nicht für Designs SN7002 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 4,5 V, 10 V. ± 20 V
BAS7002VH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS7002VH6327XTSA1 0,4800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 Bas7002 Schottky PG-SC79-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 70 V 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C (max) 70 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
BAT6402VH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6402VH6327XTSA1 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101, BAT64 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BAT6402 Schottky PG-SC79-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µa @ 30 V 150 ° C (max) 250 Ma 6PF @ 0V, 1 MHz
BCX5116H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5116H6327XTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX5116 2 w Pg-sot89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 125 MHz
BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies BF888H6327XTSA1 0,2385
RFQ
 ECAD 8925 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BF888 160 MW PG-SOT343-4-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 27 dB 4V 30 ma Npn 250 @ 25a, 3v 47 GHz 0,5 dB ~ 0,85 dB @ 1,8 GHz ~ 6 GHz
BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC034N06NSATMA1 1,9000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC034 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 100a (TC) 6 V, 10V 3.4mohm @ 50a, 10V 3,3 V @ 41 µA 41 nc @ 10 v ± 20 V 3000 PF @ 30 V - - - 2,5 W (TA), 74W (TC)
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC037N08NS5ATMA1 2.5400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC037 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 80 v 100a (TC) 6 V, 10V 3,7 MOHM @ 50A, 10V 3,8 V @ 72 µA 58 NC @ 10 V ± 20 V 4200 PF @ 40 V - - - 2,5 W (TA), 114W (TC)
BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC072N08NS5ATMA1 1.8300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC072 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 80 v 74a (TC) 6 V, 10V 7,2 MOHM @ 37A, 10 V. 3,8 V @ 36 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 2100 PF @ 40 V - - - 2,5 W (TA), 69W (TC)
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0924NDIATMA1 1.3500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC0924 MOSFET (Metalloxid) 1W PG-Tison-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 30V 17a, 32a 5mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 10nc @ 4,5 V 1160PF @ 15V Logikpegel -Tor, 4,5 V Auftwerk
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC110N15NS5ATMA1 3.4500
RFQ
 ECAD 7904 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC110 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 150 v 76a (TC) 8 V, 10V 11mohm @ 38a, 10V 4,6 V @ 91 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 2770 PF @ 75 V - - - 125W (TC)
BSL202SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL202SNH6327XTSA1 0,6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 BSL202 MOSFET (Metalloxid) PG-TSOP6-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 7.5a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 22mohm @ 7,5a, 4,5 V. 1,2 V @ 30 ähm 8.7 NC @ 10 V. ± 12 V 1147 PF @ 10 V - - - 2W (TA)
BSL207NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL207NH6327XTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 BSL207 MOSFET (Metalloxid) 500 MW PG-TSOP-6-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001100648 Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 2.1a 70 MOHM @ 2,1A, 4,5 V. 1,2 V @ 11 µA 2.1nc @ 4.5V 419PF @ 10V Logikpegel -Tor, 2,5 V.
IKW40N65F5AXKSA1 Infineon Technologies IKW40N65F5AXKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 9294 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Trenchstop ™ Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ikw40n Standard 250 w PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001187508 Ear99 8541.29.0095 240 400 V, 20a, 15ohm, 15 V. 73 ns Graben 650 V 74 a 120 a 2,1 V @ 15V, 40a 350 µJ (EIN), 100 µJ (AUS) 95 NC 19ns/165ns
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKW50N65ES5XKSA1 7.5300
RFQ
 ECAD 7548 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IKW50N65 Standard 274 w PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 50a, 8,2 Ohm, 15 V. 70 ns Graben 650 V 80 a 200 a 1,7 V @ 15V, 50a 1,23 MJ (EIN), 550 µJ (AUS) 120 NC 20ns/127ns
IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies IPA083N10N5XKSA1 2.4200
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA083 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 44a (TC) 6 V, 10V 8.3mohm @ 44a, 10V 3,8 V @ 49 ähm 37 NC @ 10 V. ± 20 V 2730 PF @ 50 V - - - 36W (TC)
IPA60R180C7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R180C7XKSA1 3.3800
RFQ
 ECAD 434 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Ipa60r MOSFET (Metalloxid) PG-to220 Full Pack Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 9a (TC) 10V 180 MOHM @ 5.3A, 10V 4v @ 260 ähm 24 nc @ 10 v ± 20 V 1080 PF @ 400 V - - - 29W (TC)
IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies IPA65R045C7XKSA1 14.6900
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA65R045 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 18a (TC) 10V 45mohm @ 24.9a, 10V 4V @ 1,25 mA 93 NC @ 10 V ± 20 V 4340 PF @ 400 V - - - 35W (TC)
IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPA65R065C7XKSA1 10.2700
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA65R065 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 650 V 15a (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10V 4v @ 850 ähm 64 NC @ 10 V ± 20 V 3020 PF @ 400 V - - - 34W (TC)
IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPB120N04S4L02ATMA1 3.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB120 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 40 v 120a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,7 MOHM @ 100A, 10V 2,2 V @ 110 ähm 190 nc @ 10 v +20V, -16v 14560 PF @ 25 V. - - - 158W (TC)
IPB120N08S403ATMA1 Infineon Technologies IPB120N08S403ATMA1 6.1900
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB120 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 80 v 120a (TC) 10V 2,5 MOHM @ 100A, 10V 4 V @ 223 µA 167 NC @ 10 V ± 20 V 11550 PF @ 25 V. - - - 278W (TC)
IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies IPB120N08S404ATMA1 4.1300
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB120 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 80 v 120a (TC) 10V 4.1MOHM @ 100a, 10V 4V @ 120 ua 95 NC @ 10 V ± 20 V 6450 PF @ 25 V. - - - 179W (TC)
IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies IPB120P04P404ATMA1 3.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB120 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 40 v 120a (TC) 10V 3,5 MOHM @ 100A, 10 V 4V @ 340 ua 205 NC @ 10 V ± 20 V 14790 PF @ 25 V. - - - 136W (TC)
IPB140N08S404ATMA1 Infineon Technologies IPB140N08S404ATMA1 - - -
RFQ
 ECAD 5051 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) IPB140 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-7-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 80 v 140a (TC) 10V 4,2 Mohm @ 100a, 10 V 4 V @ 100 µA 80 nc @ 10 v ± 20 V 5500 PF @ 25 V. - - - 161W (TC)
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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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