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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET DATENBLATT ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
FR16J02 GeneSiC Semiconductor FR16J02 8.1330
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR16J02GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 900 mv @ 16 a 250 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
MBRH12045R GeneSiC Semiconductor MBRH12045R 60.0375
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 Half-Pak MBRH12045 Schottky, Umgekehrte Polarität D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 700 mv @ 120 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C. 120a - - -
MBR120200CT GeneSiC Semiconductor MBR120200CT - - -
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 60a 920 mv @ 60 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X050A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A100 43.6545
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X050 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 100 v 50a 840 mv @ 50 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA50060A GeneSiC Semiconductor MSRTA50060A 101.4000
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA50060 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 500A (DC) 1,2 V @ 500 a 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor MSRT20060AD 80.4872
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 600 V 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor MUR10005CT - - -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR10005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 50a 1,3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W10m - - -
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4-Zirkular, wom Standard Wom Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2W10mgn Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 a 10 µa @ 1000 V 2 a Einphase 1 kv
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R - - -
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab MBRF3008 Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 150a 840 mv @ 150 a 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor M3P75A-100 - - -
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 5-SMD-Modul Standard 5-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 1,15 V @ 75 a 10 µa @ 1000 V 75 a DRIPHASE 1 kv
FR85D05 GeneSiC Semiconductor FR85D05 23.1210
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR85D05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,4 V @ 85 a 500 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120A 60.2552
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA400120 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 400A (DC) 1,2 V @ 400 a 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBJ20K GeneSiC Semiconductor GBJ20K 0,9120
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ20 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-GBJ20K Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 10 a 5 µa @ 800 V 20 a Einphase 800 V
GKN240/14 GeneSiC Semiconductor GKN240/14 59.1766
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud GKN240 Standard DO-205AB (DO-9) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,4 V @ 60 a 60 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 320a - - -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1n2133ar 8.9025
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1n2133ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N2133Argn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 300 V 1,1 V @ 60 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a - - -
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L - - -
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 200a 600 mv @ 200 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR6040R GeneSiC Semiconductor MBR6040R 21.3105
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR604 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6040Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
MBR60035CT GeneSiC Semiconductor MBR60035CT 129.3585
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR60035 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR60035CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1n5830r 14.8695
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1n5830r Schottky, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N5830Rgn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 25 v 580 mv @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 25a - - -
MBR3520R GeneSiC Semiconductor MBR3520R 15.1785
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud MBR3520 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR3520Rgn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 680 mv @ 35 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 35a - - -
FR6K05 GeneSiC Semiconductor FR6K05 5.0745
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR6K05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,4 V @ 6 a 500 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor M3P75A-80 - - -
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 5-SMD-Modul Standard 5-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 10 µa @ 800 V 75 a DRIPHASE 800 V
S300DR GeneSiC Semiconductor S300DR 63.8625
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S300 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S300drgn Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,2 V @ 300 a 10 µa @ 100 V. -60 ° C ~ 200 ° C. 300a - - -
MBR2X120A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A100 51.8535
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2x120 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 100 v 120a 840 mv @ 120 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N 24.2385
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GD2X SIC (Silicon Carbide) Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GD2X30MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 2 Unabhängig 650 V 42a (DC) -55 ° C ~ 175 ° C.
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR30M05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1 V @ 30 a 500 ns 25 µa @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a - - -
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1000 v 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1N4590R Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N4590Rgn Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,5 V @ 150 a 9 mA @ 400 V -60 ° C ~ 200 ° C. 150a - - -
MURT40020 GeneSiC Semiconductor Murt40020 132.0780
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt40020gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 200a 1,3 V @ 200 a 125 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N2138AR GeneSiC Semiconductor 1n2138ar 11.7300
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1n2138ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1072 Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 60 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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