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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
FR12B02 GeneSiC Semiconductor FR12B02 8.2245
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR12B02GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 800 mV @ 12 a 200 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
MUR30020CT GeneSiC Semiconductor MUR30020CT 118.4160
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur30020 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR30020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 150a 1,3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT30020R GeneSiC Semiconductor MBRT30020R 107.3070
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT30020 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT30020Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 20 v 150a 750 MV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR75100 GeneSiC Semiconductor MBR75100 20.8845
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR75100GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 840 mv @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
FST6335M GeneSiC Semiconductor Fst6335m - - -
RFQ
 ECAD 1926 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 30a 700 mv @ 30 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURT40040 GeneSiC Semiconductor Murt40040 132.0780
RFQ
 ECAD 5904 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1081 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 200a 1,35 V @ 200 a 180 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF10020R GeneSiC Semiconductor Murf10020r - - -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Murf10020rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 50a 1,3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA60030 GeneSiC Semiconductor MBRTA60030 - - -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 300a 700 mv @ 300 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR12JR05 GeneSiC Semiconductor FR12JR05 6.8085
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR12JR05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 - - -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 300A (DC) 650 mv @ 300 a 10 mA @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MURT30010 GeneSiC Semiconductor Murt30010 118.4160
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt30010gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 150a 1,3 V @ 150 a 100 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR70BR02 GeneSiC Semiconductor FR70BR02 17.7855
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR70BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,4 V @ 70 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70a - - -
MBR8020 GeneSiC Semiconductor MBR8020 21.1680
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR8020gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 750 mV @ 80 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 80a - - -
MBRF30060R GeneSiC Semiconductor MBRF30060R - - -
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab MBRF3006 Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 150a 750 MV @ 150 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA80020 GeneSiC Semiconductor MBRTA80020 - - -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 400a 720 MV @ 400 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20035CT GeneSiC Semiconductor MBR20035CT 90.1380
RFQ
 ECAD 5331 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR20035 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR20035CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 200a (DC) 650 mv @ 100 a 5 ma @ 20 v
1N3766R GeneSiC Semiconductor 1N3766R 6.2320
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3766R Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3766Rgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
MBRT300100R GeneSiC Semiconductor MBRT300100R 107.3070
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT300100 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT300100Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 150a 880 mv @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FST12020 GeneSiC Semiconductor FST12020 70.4280
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-249ab Schottky To-249ab Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Fst12020gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 120a (DC) 650 mV @ 120 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GKR26/08 GeneSiC Semiconductor GKR26/08 - - -
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 5 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,55 V @ 60 a 4 ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 25a - - -
MBR8045R GeneSiC Semiconductor MBR8045R 25.9300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR8045 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 650 mv @ 80 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C. 80a - - -
MBRH20040 GeneSiC Semiconductor MBRH20040 70.0545
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRH20040GN Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a - - -
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB GB01SLT12 SIC (Silicon Carbide) Schottky SMB (Do-214AA) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 1 a 0 ns 10 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2.5a 69PF @ 1V, 1 MHz
MBRH20045RL GeneSiC Semiconductor MBRH20045RL - - -
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Schottky, Umgekehrte Polarität D-67 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 600 mv @ 200 a 5 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200a - - -
MURT40020R GeneSiC Semiconductor Murt40020r 132.0780
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Murt40020 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt40020rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 200a 1,3 V @ 200 a 125 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR12060CT GeneSiC Semiconductor MBR12060CT 68.8455
RFQ
 ECAD 9223 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR12060 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1084 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 120a (DC) 750 mV @ 60 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR30060CT GeneSiC Semiconductor MBR30060CT 94.5030
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR30060 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR30060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 150a 750 MV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GKR130/16 GeneSiC Semiconductor GKR130/16 35.6397
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud GKR130 Standard DO-205AA (DO-8) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,5 V @ 60 a 22 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C. 165a - - -
MBR40080CTR GeneSiC Semiconductor MBR40080Ctr 98.8155
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR40080 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR40080Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR85BR05 GeneSiC Semiconductor FR85BR05 24.1260
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR85BR05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,4 V @ 85 a 500 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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