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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MBRT600200R GeneSiC Semiconductor MBRT600200R 140.2020
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT600200 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 300a 920 MV @ 300 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor Murta60040 188.1435
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murta60040gn Ear99 8541.10.0080 24 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 300a 1,5 V @ 300 a 220 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA600150R GeneSiC Semiconductor MBRTA600150R - - -
RFQ
 ECAD 7109 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 150 v 300a 880 mv @ 300 a 4 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S40JR GeneSiC Semiconductor S40JR 6.3770
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S40J Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S40JRgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 190 ° C. 40a - - -
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT60080 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60080Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 300a 880 mv @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR3520 GeneSiC Semiconductor MBR3520 14.3280
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Schottky Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR3520gn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 680 mv @ 35 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 35a - - -
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC5010 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 a 5 µA @ 1000 V 50 a Einphase 1 kv
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0,7425
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, BR-6 Standard BR-6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) BR68gn Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 800 V 6 a Einphase 800 V
MBRT30040RL GeneSiC Semiconductor MBRT30040RL - - -
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 150a 600 mv @ 150 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor MBR20035Ctr 90.1380
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR20035 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR20035Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 200a (DC) 650 mv @ 100 a 5 ma @ 20 v
MSRTA300140D GeneSiC Semiconductor MSRTA300140D 159.9075
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Modul MSRTA300 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-MSRTA300140D Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 300a 1,1 V @ 300 a 20 µa @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU4G GeneSiC Semiconductor Gbu4g 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU4 Standard GBU Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 400 V 4 a Einphase 400 V
GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H 11.8000
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GD15MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1700 v 1,8 V @ 15 a 0 ns 20 µa @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 36a 1082pf @ 1V, 1 MHz
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D 17.3000
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 GD2X SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GD2X30MPS12D Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 55a (DC) 1,8 V @ 30 a 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020Ctrl - - -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 20 v 300a 580 mv @ 300 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D 6.5200
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 G3R160 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R160MT12D Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 22a (TC) 15 v 192mohm @ 10a, 15V 2,69v @ 5ma 28 NC @ 15 V ± 15 V 730 PF @ 800 V - - - 123W (TC)
MBRT12020 GeneSiC Semiconductor MBRT12020 75.1110
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT12020gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT40045DL GeneSiC Semiconductor MBRT40045DL 88.1588
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT40045 Schottky Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 45 V 200a (DC) 580 mv @ 200 a 5 ma @ 45 V -40 ° C ~ 100 ° C.
MUR2X030A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A10 - - -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Standard SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1307 Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1000 v 30a 2,35 V @ 30 a 85 ns 25 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J 17.9800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca G3R40 Sicfet (Silziumkarbid) To-263-7 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R40MT12J Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1200 V 75a (TC) 15 v 48mohm @ 35a, 15V 2,69 V @ 10 mA 106 NC @ 15 V ± 15 V 2929 PF @ 800 V - - - 374W (TC)
FR16K05 GeneSiC Semiconductor FR16K05 8.2245
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
MUR7040R GeneSiC Semiconductor Mur7040r 17.7855
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MUR7040 Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur7040rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 70a - - -
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184ar 6.3770
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1184ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N1184Argn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 40a - - -
MURF40010 GeneSiC Semiconductor Murf40010 - - -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 200a 1 V @ 200 a 150 ns 25 µa @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR40GR02 GeneSiC Semiconductor FR40GR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6032 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1054 Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 40a - - -
MURT30005R GeneSiC Semiconductor Murt30005r - - -
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt30005Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 150a 1,3 V @ 150 a 100 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3208 Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3208gn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,5 V @ 15 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
FR30A02 GeneSiC Semiconductor Fr30a02 10.4070
RFQ
 ECAD 1833 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Fr30a02gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a - - -
GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 1.3770
RFQ
 ECAD 2249 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 GC02MPS12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1323 Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 2 a 0 ns 2 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 127pf @ 1V, 1 MHz
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor Mur30060ctr 118.4160
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur30060 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur30060Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 600 V 150a 1,7 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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