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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
1N5827 GeneSiC Semiconductor 1N5827 12.4155
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N5827 Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N5827gn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 470 mv @ 15 a 10 mA @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 15a - - -
DB106G GeneSiC Semiconductor DB106G 0,1980
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) DB106 Standard Db Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) DB106GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 800 V 1 a Einphase 800 V
MURTA600120R GeneSiC Semiconductor Murta600120r 207.4171
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Murta600120 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 1200 V 300a 2,6 V @ 300 a 25 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DB105G GeneSiC Semiconductor DB105G 0,1980
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) DB105 Standard Db Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) DB105GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 600 V 1 a Einphase 600 V
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor MBR300200CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR300200 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 150a 920 MV @ 150 a 3 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A060 48.6255
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X080 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 60 v 80a 750 mV @ 80 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 - - -
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Veraltet K. Loch To-247-2 GC50MPS12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1340 Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 50 a 0 ns 40 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 212a 3263PF @ 1V, 1 MHz
GBPC5008T GeneSiC Semiconductor GBPC5008T 4.0155
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC GBPC5008 Standard GBPC Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 a 5 µa @ 800 V 50 a Einphase 800 V
GBPC1501W GeneSiC Semiconductor GBPC1501W 2.4180
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC1501 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) GBPC1501WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 100 V. 15 a Einphase 100 v
KBPC5006W GeneSiC Semiconductor KBPC5006W 2.5875
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, kbpc-w KBPC5006 Standard KBPC-W Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 25 a 5 µa @ 600 V 50 a Einphase 600 V
GBPC25005T GeneSiC Semiconductor GBPC25005T 2.5335
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC GBPC25005 Standard GBPC Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 50 V 25 a Einphase 50 v
MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A120 51.8535
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2x120 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 120 v 120a 880 mv @ 120 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C.
KBL406G GeneSiC Semiconductor KBL406G 0,5385
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbl KBL406 Standard Kbl Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) KBL406GGN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 600 V 4 a Einphase 600 V
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor MBR200100CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR200100 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR200100Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 200a (DC) 840 mv @ 100 a 5 ma @ 20 v
MBRF50045R GeneSiC Semiconductor MBRF50045R - - -
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 45 V 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURT20020 GeneSiC Semiconductor Murt20020 104.4930
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt20020gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF20005R GeneSiC Semiconductor Murf20005r - - -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Murf20005Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPC5001W GeneSiC Semiconductor KBPC5001W 2.5875
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, kbpc-w KBPC5001 Standard KBPC-W Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 25 a 5 µa @ 100 V. 50 a Einphase 100 v
MURF20010 GeneSiC Semiconductor Murf20010 - - -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Murf20010gn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UFT14010 GeneSiC Semiconductor UFT14010 - - -
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-249ab Standard To-249ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 70a 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR40020CTL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTL - - -
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
KBL603G GeneSiC Semiconductor KBL603G - - -
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbl Standard Kbl Herunterladen 1 (unbegrenzt) KBL603GGN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 a 5 µa @ 200 V. 6 a Einphase 200 v
FR12M05 GeneSiC Semiconductor FR12M05 6.9975
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
1N1190R GeneSiC Semiconductor 1N1190R 6.2320
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1190R Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1030 Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
GBPC5006W GeneSiC Semiconductor GBPC5006W 4.0155
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC5006 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 a 5 µa @ 600 V 50 a Einphase 600 V
KBPC1504W GeneSiC Semiconductor KBPC1504W 2.1795
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, kbpc-w KBPC1504 Standard KBPC-W Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 400 V 15 a Einphase 400 V
KBPC50005W GeneSiC Semiconductor KBPC50005W 2.5875
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, kbpc-w KBPC50005 Standard KBPC-W Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 25 a 5 µa @ 50 V 50 a Einphase 50 v
KBJ2506G GeneSiC Semiconductor KBJ2506G 0,8955
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBJ KBJ2506 Standard KBJ Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) KBJ2506GGN Ear99 8541.10.0080 250 1,05 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 V 25 a Einphase 600 V
GBPC50005W GeneSiC Semiconductor GBPC50005W 4.0155
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC50005 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 a 5 µa @ 50 V 50 a Einphase 50 v
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor MUR20020CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur20020 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR20020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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