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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor Murta60060 188.1435
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murta60060gn Ear99 8541.10.0080 24 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 300a 1,7 V @ 300 a 280 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor MBR12080Ctr 68.8455
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR12080 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR12080Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 120a (DC) 840 mv @ 60 a 3 ma @ 20 v
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor MBRT60035R 140.2020
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT60035 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60035Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220 5.3610
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 GC15MPS12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1335 Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 15 a 0 ns 14 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 82a 1089PF @ 1V, 1 MHz
MSRT150140A GeneSiC Semiconductor MSRT150140A 38.5632
RFQ
 ECAD 8008 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT150 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1400 v 150a 1,2 V @ 150 a 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR7540R GeneSiC Semiconductor MBR7540R 21.9195
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR7540 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR7540Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 650 mv @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 - - -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 250a 700 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF20040R GeneSiC Semiconductor Murf20040r - - -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Murf20040Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 400 V 100a 1,3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S25MR GeneSiC Semiconductor S25MR 5.2485
RFQ
 ECAD 4469 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S25m Standard, Umgekehrte Polarität - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S25MRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,1 V @ 25 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 25a - - -
MBRH15030RL GeneSiC Semiconductor MBRH15030RL - - -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Schottky, Umgekehrte Polarität D-67 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 3 ma @ 30 v 150a - - -
MBRH120150R GeneSiC Semiconductor MBRH120150R 60.0375
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH120150 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 880 mv @ 120 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120a - - -
S40VR GeneSiC Semiconductor S40VR 6.3770
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S40V Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S40VRgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 160 ° C. 40a - - -
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor MUR30010CT 118.4160
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur30010 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR30010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 150a 1,3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 - - -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) SOT-227 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 1242-1314 Ear99 8541.29.0095 10 - - - 1700 v 160a (TC) - - - 10Mohm @ 100a - - - - - - 14400 PF @ 800 V - - - 535W (TC)
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D 17.4200
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 G3R40 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R40MT12D Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 71a (TC) 15 v 48mohm @ 35a, 15V 2,69 V @ 10 mA 106 NC @ 15 V ± 15 V 2929 PF @ 800 V - - - 333W (TC)
W04M GeneSiC Semiconductor W04m - - -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4-Zirkular, wom Standard Wom Herunterladen 1 (unbegrenzt) W04mgn Ear99 8541.10.0080 1.000 1 V @ 1 a 10 µa @ 400 V 1,5 a Einphase 400 V
MBR30040CTR GeneSiC Semiconductor MBR30040Ctr 94.5030
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR30040 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR30040Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 150a 650 mv @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF40040 GeneSiC Semiconductor Murf40040 - - -
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 200a 1,3 V @ 200 a 180 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor Mur2x030a04 36.7500
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Mur2x030 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 400 V 30a 1,3 V @ 30 a 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBRF40060 GeneSiC Semiconductor MBRF40060 - - -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 200a 750 mv @ 200 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N1206A GeneSiC Semiconductor 1N1206a 4.2345
RFQ
 ECAD 1852 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N1206 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1079 Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-220 - - -
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-220-2 GB05SLT12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 260pf @ 1V, 1 MHz
FR6J05 GeneSiC Semiconductor FR6J05 4.9020
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR6J05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,4 V @ 6 a 500 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
MBRT400200 GeneSiC Semiconductor MBRT400200 118.4160
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 200a 920 MV @ 200 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S16DR GeneSiC Semiconductor S16DR 4.5900
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S16D Standard, Umgekehrte Polarität - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S16DRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 16 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a - - -
MBR6060 GeneSiC Semiconductor MBR6060 20.2695
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR6060 Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6060GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 750 mV @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
MURT10005R GeneSiC Semiconductor Murt10005r - - -
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt10005Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 50a 1,3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR50040CTR GeneSiC Semiconductor MBR50040Ctr - - -
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR50040Ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT120100R GeneSiC Semiconductor MBRT120100R 75.1110
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT120100 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT120100RGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF400200R GeneSiC Semiconductor MBRF400200R - - -
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 200a 920 MV @ 200 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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