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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
MBRT40045R GeneSiC Semiconductor MBRT40045R 118.4160
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT40045 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1001 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 45 V 200a 750 mv @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3209 GeneSiC Semiconductor 1N3209 7.0650
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3209 Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3209gn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,5 V @ 15 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220 4.2323
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Nicht für Designs K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1325 Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 5 a 0 ns 4 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 29a 359PF @ 1V, 1 MHz
MBRF500100R GeneSiC Semiconductor MBRF500100R - - -
RFQ
 ECAD 5177 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 250a 840 mv @ 250 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR50035CTR GeneSiC Semiconductor MBR50035Ctr - - -
RFQ
 ECAD 7735 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR50035Ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT40045 GeneSiC Semiconductor MBRT40045 121.6500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1059 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 200a 750 mv @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5834 GeneSiC Semiconductor 1N5834 18.7230
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N5834 Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N5834gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 590 mv @ 40 a 20 mA @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C. 40a - - -
MBRH15045L GeneSiC Semiconductor MBRH15045L - - -
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Schottky D-67 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 600 mv @ 150 a 5 ma @ 45 V 150a - - -
MURTA20020 GeneSiC Semiconductor Murta20020 145.3229
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 100a 1,3 V @ 100 a 25 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor MBR120150Ctr - - -
RFQ
 ECAD 8794 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 150 v 60a 880 mv @ 60 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X060A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A060 46.9860
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X060 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 60 v 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GKN71/14 GeneSiC Semiconductor GKN71/14 12.5767
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud GKN71 Standard Do-5 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,5 V @ 60 a 10 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 95a - - -
MSRTA200160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200160AD 142.3575
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA200 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH20035RL GeneSiC Semiconductor MBRH20035RL - - -
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Schottky, Umgekehrte Polarität D-67 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 600 mv @ 200 a 3 ma @ 200 v 200a - - -
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor MUR20005CT - - -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR20005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURH10020R GeneSiC Semiconductor MURH10020R 49.5120
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MURH10020 Standard, Umgekehrte Polarität D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MURH10020Rgn Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V 100a - - -
MBRF12060R GeneSiC Semiconductor MBRF12060R - - -
RFQ
 ECAD 3060 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH120150R GeneSiC Semiconductor MBRH120150R 60.0375
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH120150 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 880 mv @ 120 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120a - - -
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor MUR30010CT 118.4160
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur30010 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR30010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 150a 1,3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D 17.4200
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 G3R40 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R40MT12D Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 71a (TC) 15 v 48mohm @ 35a, 15V 2,69 V @ 10 mA 106 NC @ 15 V ± 15 V 2929 PF @ 800 V - - - 333W (TC)
MBRH15030RL GeneSiC Semiconductor MBRH15030RL - - -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Schottky, Umgekehrte Polarität D-67 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 3 ma @ 30 v 150a - - -
S40VR GeneSiC Semiconductor S40VR 6.3770
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S40V Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S40VRgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 160 ° C. 40a - - -
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 - - -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) SOT-227 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 1242-1314 Ear99 8541.29.0095 10 - - - 1700 v 160a (TC) - - - 10Mohm @ 100a - - - - - - 14400 PF @ 800 V - - - 535W (TC)
MURTA40040R GeneSiC Semiconductor Murta40040r 159.9075
RFQ
 ECAD 2911 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Murta40040 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 400 V 200a 1,3 V @ 200 a 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH24060R GeneSiC Semiconductor MBRH24060R 76.4925
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH24060 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 780 mv @ 240 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C. 240a - - -
GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A 5.4000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GD30MPS06A Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 0 ns 175 ° C. 30a - - -
FR12B05 GeneSiC Semiconductor FR12B05 6.7605
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR12B05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
MUR40060CT GeneSiC Semiconductor MUR40060CT 132.0780
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur40060 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 200a 1,3 V @ 125 a 180 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3297AR GeneSiC Semiconductor 1N3297ar 33.8130
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1N3297ar Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3297Argn Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,5 V @ 100 a 7 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 200 ° C. 100a - - -
FR12JR02 GeneSiC Semiconductor FR12JR02 9.2235
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 800 mV @ 12 a 250 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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