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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
GBPC1504W GeneSiC Semiconductor GBPC1504W 2.4180
RFQ
 ECAD 1714 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC1504 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) GBPC1504WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 400 V 15 a Einphase 400 V
KBP204G GeneSiC Semiconductor KBP204G 0,2280
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP204 Standard KBP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) KBP204GGS Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 2 a 10 µa @ 400 V 2 a Einphase 400 V
GBPC1510W GeneSiC Semiconductor GBPC1510W 2.4180
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC1510 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) GBPC1510WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 a 5 µA @ 1000 V 15 a Einphase 1 kv
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R - - -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C.
G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D 4.7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 G3R350 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R350MT12D Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 11a (TC) 15 v 420mohm @ 4a, 15V 2,69V @ 2MA 12 NC @ 15 V ± 15 V 334 PF @ 800 V - - - 74W (TC)
FR40B02 GeneSiC Semiconductor FR40B02 12.8985
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR40B02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 40a - - -
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060Ctr 68.8455
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR12060 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1083 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 120a (DC) 750 mV @ 60 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA300 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 300a 1,2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3892 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1035 Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
FST8360SM GeneSiC Semiconductor FST8360SM - - -
RFQ
 ECAD 2491 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3SM Schottky D61-3SM Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen FST8360SMGN Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 80A (DC) 750 mV @ 80 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBL08 GeneSiC Semiconductor Gbl08 0,4230
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, gbl Standard Gbl - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Gbl08gn Ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 2 a 10 µa @ 800 V 4 a Einphase 800 V
GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N 40.4900
RFQ
 ECAD 585 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GD2X SIC (Silicon Carbide) Schottky SOT-227 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 1242-GD2X60MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 2 Unabhängig 650 V 70a (DC) 1,8 V @ 60 a 0 ns 10 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
S25JR GeneSiC Semiconductor S25JR 5.2485
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S25J Standard, Umgekehrte Polarität - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S25JRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 25 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 25a - - -
MBRH15040L GeneSiC Semiconductor MBRH15040L - - -
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Schottky D-67 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 600 mv @ 150 a 5 ma @ 40 v 150a - - -
S300ZR GeneSiC Semiconductor S300ZR 85.3080
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S300 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S300ZRgn Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2000 v 1,2 V @ 300 a 10 µa @ 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C. 300a - - -
MBRT12040 GeneSiC Semiconductor MBRT12040 75.1110
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT12040GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR60030CTL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTL - - -
RFQ
 ECAD 3097 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 300a 580 mv @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR2X060A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A02 47.1200
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Mur2x060 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1309 Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 200 v 60a 1 V @ 60 a 75 ns 25 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 175 ° C.
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor MUR10060CT - - -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR10060CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 50a 1,7 V @ 50 a 110 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X120A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A180 51.8535
RFQ
 ECAD 7514 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2x120 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 180 v 120a 920 MV @ 120 a 3 ma @ 180 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA80045 GeneSiC Semiconductor MBRTA80045 - - -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 400a 720 MV @ 400 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S400YR GeneSiC Semiconductor S400y 92.3505
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S400 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S400yrn Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,2 V @ 400 a 10 µa @ 50 V -60 ° C ~ 200 ° C. 400a - - -
MBRF50040 GeneSiC Semiconductor MBRF50040 - - -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC5008W GeneSiC Semiconductor GBPC5008W 4.0155
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC5008 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 a 5 µa @ 800 V 50 a Einphase 800 V
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR16JR05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
S400KR GeneSiC Semiconductor S400KR 88.0320
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S400 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S400KRgn Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,2 V @ 400 a 10 µa @ 50 V -60 ° C ~ 200 ° C. 400a - - -
MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor MBR60030Ctr 129.3585
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR60030 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR60030Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3768R GeneSiC Semiconductor 1N3768R 10.1200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3768R Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1021 Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 135.8600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GB2X100 SIC (Silicon Carbide) Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1341 Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 2 Unabhängig 1200 V 185a (DC) 1,8 V @ 100 a 0 ns 80 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
FR16J02 GeneSiC Semiconductor FR16J02 8.1330
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR16J02GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 900 mv @ 16 a 250 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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