Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Struktur | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Anzahl der Scrs, Dioden | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRTA60040RL | - - - | ![]() | 1763 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 300a | 600 mv @ 300 a | 5 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murta60060 | 188.1435 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Murta60060gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 300a | 1,7 V @ 300 a | 280 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR12080Ctr | 68.8455 | ![]() | 2403 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Twin Tower | MBR12080 | Schottky | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR12080Ctrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 120a (DC) | 840 mv @ 60 a | 3 ma @ 20 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GC15MPS12-220 | 5.3610 | ![]() | 8973 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | Sic Schottky MPS ™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | GC15MPS12 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1242-1335 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 15 a | 0 ns | 14 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 82a | 1089PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MSRT150140A | 38.5632 | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MSRT150 | Standard | Drei -Turf | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1400 v | 150a | 1,2 V @ 150 a | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25MR | 5.2485 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | S25m | Standard, Umgekehrte Polarität | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S25MRgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 25 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
1N1206a | 4.2345 | ![]() | 1852 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1206 | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1079 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 12 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT60035R | 140.2020 | ![]() | 7746 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MBRT60035 | Schottky | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBRT60035Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 35 V | 300a | 750 MV @ 300 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murf20040r | - - - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | Standard | To-244ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | Murf20040Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 400 V | 100a | 1,3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR7540R | 21.9195 | ![]() | 7687 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR7540 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR7540Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 650 mv @ 75 a | 5 ma @ 20 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA50020 | - - - | ![]() | 9010 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 20 v | 250a | 700 mV @ 250 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR6060 | 20.2695 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR6060 | Schottky | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR6060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 60 a | 5 ma @ 20 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF40060 | - - - | ![]() | 7203 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | Schottky | To-244ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 200a | 750 mv @ 200 a | 1 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murt10005r | - - - | ![]() | 8967 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Murt10005Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 v | 50a | 1,3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST16040L | - - - | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-249ab | Schottky | To-249ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 80a | 600 mv @ 80 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30035Ctrl | - - - | ![]() | 2690 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Twin Tower | Schottky | Twin Tower | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 35 V | 150a | 600 mv @ 150 a | 3 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | G3R45MT17D | 32.7300 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | G3R ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | G3R45 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-G3R45MT17D | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1700 v | 61a (TC) | 15 v | 58mohm @ 40a, 15V | 2,7 V @ 8ma | 182 NC @ 15 V | ± 15 V | 4523 PF @ 1000 V | - - - | 438W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | KBPM2005G | - - - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | Standard | Kbpm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | KBPM2005GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 50 V | 2 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murt30020 | 118.4160 | ![]() | 1294 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Murt30020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 150a | 1,3 V @ 150 a | 100 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBL410G | 0,5385 | ![]() | 2270 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbl | KBL410 | Standard | Kbl | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | KBL410GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR60020CT | 129.3585 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Twin Tower | MBR60020 | Schottky | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR60020CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 20 v | 300a | 750 MV @ 300 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR12BR02 | 9.2235 | ![]() | 3680 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR12BR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 12 a | 200 ns | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT400200 | 118.4160 | ![]() | 7929 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 200a | 920 MV @ 200 a | 1 ma @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S16DR | 4.5900 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | S16D | Standard, Umgekehrte Polarität | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S16DRgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 16 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S16K | 4.5900 | ![]() | 6123 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S16KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 16 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GB05SLT12-220 | - - - | ![]() | 1262 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | GB05SLT12 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 2 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 260pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR6J05 | 4.9020 | ![]() | 7258 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR6J05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,4 V @ 6 a | 500 ns | 25 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X060A100 | 46.9860 | ![]() | 5960 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | MBR2X060 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 100 v | 60a | 840 mv @ 60 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
GA060th65-227sp | 2.0000 | ![]() | 7997 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | GA060 | Einzel | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 6,5 kV | 104 a | - - - | 100 ma | 60 a | 1 scr | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3892R | 9.3600 | ![]() | 494 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3892R | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1092 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 12 a | 200 ns | 25 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus