SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MBRTA60040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60040RL - - -
RFQ
ECAD 1763 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 300a 600 mv @ 300 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor Murta60060 188.1435
RFQ
ECAD 8869 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murta60060gn Ear99 8541.10.0080 24 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 300a 1,7 V @ 300 a 280 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor MBR12080Ctr 68.8455
RFQ
ECAD 2403 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR12080 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR12080Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 120a (DC) 840 mv @ 60 a 3 ma @ 20 v
GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220 5.3610
RFQ
ECAD 8973 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 GC15MPS12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1335 Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 15 a 0 ns 14 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 82a 1089PF @ 1V, 1 MHz
MSRT150140A GeneSiC Semiconductor MSRT150140A 38.5632
RFQ
ECAD 8008 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT150 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1400 v 150a 1,2 V @ 150 a 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S25MR GeneSiC Semiconductor S25MR 5.2485
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S25m Standard, Umgekehrte Polarität - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S25MRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,1 V @ 25 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 25a - - -
1N1206A GeneSiC Semiconductor 1N1206a 4.2345
RFQ
ECAD 1852 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N1206 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1079 Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor MBRT60035R 140.2020
RFQ
ECAD 7746 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT60035 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60035Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF20040R GeneSiC Semiconductor Murf20040r - - -
RFQ
ECAD 4729 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Murf20040Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 400 V 100a 1,3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR7540R GeneSiC Semiconductor MBR7540R 21.9195
RFQ
ECAD 7687 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR7540 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR7540Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 650 mv @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 - - -
RFQ
ECAD 9010 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 250a 700 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR6060 GeneSiC Semiconductor MBR6060 20.2695
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR6060 Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6060GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 750 mV @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
MBRF40060 GeneSiC Semiconductor MBRF40060 - - -
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 200a 750 mv @ 200 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURT10005R GeneSiC Semiconductor Murt10005r - - -
RFQ
ECAD 8967 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt10005Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 50a 1,3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FST16040L GeneSiC Semiconductor FST16040L - - -
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-249ab Schottky To-249ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 80a 600 mv @ 80 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR30035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30035Ctrl - - -
RFQ
ECAD 2690 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 150a 600 mv @ 150 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D 32.7300
RFQ
ECAD 4427 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 G3R45 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R45MT17D Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1700 v 61a (TC) 15 v 58mohm @ 40a, 15V 2,7 V @ 8ma 182 NC @ 15 V ± 15 V 4523 PF @ 1000 V - - - 438W (TC)
KBPM2005G GeneSiC Semiconductor KBPM2005G - - -
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbpm Standard Kbpm Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen KBPM2005GGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 a 5 µa @ 50 V 2 a Einphase 50 v
MURT30020 GeneSiC Semiconductor Murt30020 118.4160
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt30020gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 150a 1,3 V @ 150 a 100 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBL410G GeneSiC Semiconductor KBL410G 0,5385
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbl KBL410 Standard Kbl Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) KBL410GGN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 a Einphase 1 kv
MBR60020CT GeneSiC Semiconductor MBR60020CT 129.3585
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR60020 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR60020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR12BR02 GeneSiC Semiconductor FR12BR02 9.2235
RFQ
ECAD 3680 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR12BR02GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 800 mV @ 12 a 200 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
MBRT400200 GeneSiC Semiconductor MBRT400200 118.4160
RFQ
ECAD 7929 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 200a 920 MV @ 200 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S16DR GeneSiC Semiconductor S16DR 4.5900
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S16D Standard, Umgekehrte Polarität - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S16DRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 16 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a - - -
S16K GeneSiC Semiconductor S16K 4.5900
RFQ
ECAD 6123 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S16KGN Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 16 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a - - -
GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-220 - - -
RFQ
ECAD 1262 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-220-2 GB05SLT12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 260pf @ 1V, 1 MHz
FR6J05 GeneSiC Semiconductor FR6J05 4.9020
RFQ
ECAD 7258 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR6J05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,4 V @ 6 a 500 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
MBR2X060A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A100 46.9860
RFQ
ECAD 5960 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X060 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060th65-227sp 2.0000
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul GA060 Einzel Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.30.0080 10 6,5 kV 104 a - - - 100 ma 60 a 1 scr
1N3892R GeneSiC Semiconductor 1N3892R 9.3600
RFQ
ECAD 494 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3892R Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1092 Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus