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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MBRF20035 GeneSiC Semiconductor MBRF20035 - - -
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 100a 700 mV @ 100 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR85B02 GeneSiC Semiconductor FR85B02 23.1210
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR85B02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,4 V @ 85 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
MBRT400150 GeneSiC Semiconductor MBRT400150 118.4160
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 200a 880 mv @ 200 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S70BR GeneSiC Semiconductor S70BR 9.8985
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S70B Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S70BRGN Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 70 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 180 ° C. 70a - - -
MBR8035 GeneSiC Semiconductor MBR8035 21.1680
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR8035GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 750 mV @ 80 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C. 80a - - -
MBRTA80045L GeneSiC Semiconductor MBRTA80045L - - -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 400a 600 mv @ 400 a 6 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR7520 GeneSiC Semiconductor MBR7520 20.8845
RFQ
 ECAD 2371 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR7520gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 650 mv @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A200 59.6700
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X160 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 200 v 160a 920 MV @ 160 a 3 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C.
FR16J05 GeneSiC Semiconductor FR16J05 8.1330
RFQ
 ECAD 7962 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR16J05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
MSRT200100A GeneSiC Semiconductor MSRT200100A 48.2040
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1000 v 200a (DC) 1,2 V @ 200 a 10 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MURF20060 GeneSiC Semiconductor Murf20060 - - -
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Murf20060gn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 100a 1,7 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5832 GeneSiC Semiconductor 1N5832 18.7230
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N5832 Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N5832gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 520 mv @ 40 a 20 mA @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C. 40a - - -
FST16020L GeneSiC Semiconductor FST16020L - - -
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-249ab Schottky To-249ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 80a 600 mv @ 80 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 - - -
RFQ
 ECAD 1823 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) To-247ab Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 - - - 1200 V 100a (TC) - - - 25mohm @ 50a - - - - - - 7209 PF @ 800 V - - - 583W (TC)
MBR2X100A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A200 50.2485
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X100 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 200 v 100a 920 mv @ 100 a 3 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRT12030R GeneSiC Semiconductor MBRT12030R 62.6320
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT12030 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT12030Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4595 GeneSiC Semiconductor 1N4595 35.5695
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1N4595 Standard DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N4595gn Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,5 V @ 150 a 4 ma @ 1200 v -60 ° C ~ 200 ° C. 150a - - -
1N2130AR GeneSiC Semiconductor 1n2130ar 11.7300
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1n2130ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1041 Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 150 v 1,1 V @ 60 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a - - -
MBR6040 GeneSiC Semiconductor MBR6040 20.2695
RFQ
 ECAD 7704 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR604 Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6040GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
FR85G02 GeneSiC Semiconductor FR85G02 26.8800
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1077 Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 85 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
MBRTA60060R GeneSiC Semiconductor MBRTA60060R - - -
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF30010 GeneSiC Semiconductor Murf30010 - - -
RFQ
 ECAD 9707 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC3504W GeneSiC Semiconductor GBPC3504W 4.6200
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC3504 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1294 Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 400 V 35 a Einphase 400 V
MBR12020CT GeneSiC Semiconductor MBR12020ct 68.8455
RFQ
 ECAD 2134 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR12020 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1069 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 120a (DC) 650 mV @ 120 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N1199A GeneSiC Semiconductor 1N1199a 4.2345
RFQ
 ECAD 3670 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N1199 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1029 Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
MBRTA50060R GeneSiC Semiconductor MBRTA50060R - - -
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D 5.4400
RFQ
 ECAD 717 0.00000000 Genesic Semiconductor G2R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 G2R1000 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G2R1000MT17D Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1700 v 5a (TC) 20V 1,2OHM @ 2a, 20V 5,5 V @ 500 ähm 11 NC @ 20 V +25 V, -10 V 111 PF @ 1000 V - - - 44W (TC)
GBU4K GeneSiC Semiconductor GBU4K 0,4725
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU4 Standard GBU Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) GBU4KGN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 800 V 4 a Einphase 800 V
GBPC1506T GeneSiC Semiconductor GBPC1506T 2.4180
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC GBPC1506 Standard GBPC Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 600 V 15 a Einphase 600 V
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT06-214 - - -
RFQ
 ECAD 4548 0.00000000 Genesic Semiconductor * Band & Rollen (TR) Veraltet GB02SLT06 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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