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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
MURTA50040 GeneSiC Semiconductor Murta50040 174.1546
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murta50040gn Ear99 8541.10.0080 24 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 250a 1,5 V @ 250 a 150 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR20B02 GeneSiC Semiconductor FR20B02 9.0510
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR20B02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µa @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 20a - - -
FR85JR02 GeneSiC Semiconductor FR85JR02 27.9100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,4 V @ 85 a 250 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
MBRH20035R GeneSiC Semiconductor MBRH20035R 70.0545
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH20035 Schottky, Umgekehrte Polarität D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRH20035Rgn Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a - - -
1N3890R GeneSiC Semiconductor 1N3890R 6.8085
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3890R Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3890Rgn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor MBR300100CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR300100 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR300100Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 150a 840 mv @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 G3R450 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R450MT17D Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1700 v 9a (TC) 15 v 585mohm @ 4a, 15 V 2,7 V @ 2MA 18 NC @ 15 V ± 15 V 454 PF @ 1000 V - - - 88W (TC)
MBRT600100 GeneSiC Semiconductor MBRT600100 140.2020
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT600100GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 300a 880 mv @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FST16080 GeneSiC Semiconductor FST16080 75.1110
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-249ab Schottky To-249ab Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FST16080GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 160a (DC) 880 mv @ 160 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA30060AD GeneSiC Semiconductor MSRTA30060AD 113.5544
RFQ
 ECAD 3266 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA300 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 600 V 300a 1,1 V @ 300 a 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT20080AD GeneSiC Semiconductor MSRT20080AD 80.4872
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 800 V 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH240150R GeneSiC Semiconductor MBRH240150R 76.4925
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH240150 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 880 mv @ 240 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 240a - - -
GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E 1.5400
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 2 a 0 ns 5 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 73PF @ 1V, 1MHz
FST8335M GeneSiC Semiconductor Fst8335m - - -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m Herunterladen 1 (unbegrenzt) Fst8335mgn Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 80A (DC) 650 mv @ 80 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 - - -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 300a 920 MV @ 300 a 4 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT12030 GeneSiC Semiconductor MBRT12030 75.1110
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT12030gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURH7040R GeneSiC Semiconductor Murh7040r 49.5120
RFQ
 ECAD 1317 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MURH7040 Standard D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 70 a 90 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 155 ° C. 70a - - -
1N5827R GeneSiC Semiconductor 1N5827R 13.3005
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N5827R Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N5827Rgn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 470 mv @ 15 a 10 mA @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 15a - - -
S300GR GeneSiC Semiconductor S300gr 63.8625
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S300 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S300grgn Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,2 V @ 300 a 10 µa @ 100 V. -60 ° C ~ 200 ° C. 300a - - -
1N3883 GeneSiC Semiconductor 1N3883 7.1300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3883 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1002 Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
FR12GR05 GeneSiC Semiconductor FR12GR05 6.8085
RFQ
 ECAD 5856 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR12GR05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-ga - - -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-276aa Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) To-276 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) 1242-1151 Ear99 8541.29.0095 10 - - - 650 V 16a (TC) (155 ° C) - - - 105mohm @ 16a - - - - - - 1534 PF @ 35 V - - - 330W (TC)
MBRT12035 GeneSiC Semiconductor MBRT12035 75.1110
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT12035GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR8035R GeneSiC Semiconductor MBR8035R 22.1985
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR8035 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR8035Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 750 mV @ 80 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C. 80a - - -
MBRF120150R GeneSiC Semiconductor MBRF120150R - - -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 150 v 60a 880 mv @ 60 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF20035 GeneSiC Semiconductor MBRF20035 - - -
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 100a 700 mV @ 100 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR85B02 GeneSiC Semiconductor FR85B02 23.1210
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR85B02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,4 V @ 85 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
MBRT400150 GeneSiC Semiconductor MBRT400150 118.4160
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 200a 880 mv @ 200 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT30080R GeneSiC Semiconductor MBRT30080R - - -
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT30080Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 150a 880 mv @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR40030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40030Ctrl - - -
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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