SIC
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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
GKR71/08 GeneSiC Semiconductor GKR71/08 12.4659
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud GKR71 Standard Do-5 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,5 V @ 60 a 10 mA @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 95a - - -
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1186R Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor MBR300150CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1227 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR300150 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 150a 880 mv @ 150 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA60035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60035RL - - -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 300a 600 mv @ 300 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR70DR05 GeneSiC Semiconductor FR70DR05 17.7855
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR70DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70a - - -
S12DR GeneSiC Semiconductor S12DR 4.2345
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S12D Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S12DRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a - - -
S85B GeneSiC Semiconductor S85B 11.8980
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S85BGN Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 85 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 180 ° C. 85a - - -
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3879 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1087 Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,4 V @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
GKR130/04 GeneSiC Semiconductor GKR130/04 35.2590
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud GKR130 Standard DO-205AA (DO-8) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,5 V @ 60 a 22 mA @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 165a - - -
MBRT60060R GeneSiC Semiconductor MBRT60060R 140.2020
RFQ
 ECAD 5079 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT60060 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60060Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 300a 800 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J 108.0300
RFQ
 ECAD 1567 0.00000000 Genesic Semiconductor G2R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca G2R120 Sicfet (Silziumkarbid) To-263-7 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G2R120MT33J Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 3300 v 35a 20V 156mohm @ 20a, 20V - - - 145 NC @ 20 V +25 V, -10 V 3706 PF @ 1000 V. - - - - - -
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 - - -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) SOT-227 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 10 - - - 1200 V 160a (TC) - - - 10Mohm @ 100a - - - - - - 14400 PF @ 800 V - - - 535W (TC)
MBRTA80030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80030RL - - -
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 400a 580 mv @ 400 a 3 ma @ 30 v -40 ° C ~ 100 ° C.
MBR500100CT GeneSiC Semiconductor MBR500100CT - - -
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR500100CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 250a 880 mv @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A150 46.9860
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X060 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 150 v 60a 880 mv @ 60 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C.
DB156G GeneSiC Semiconductor DB156G 0,2325
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) DB156 Standard Db Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) DB156GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1,5 a 5 µa @ 800 V 1,5 a Einphase 800 V
1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-ga - - -
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-257-3 1N8026 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-257 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 2,5 a 0 ns 10 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 250 ° C. 8a 237pf @ 1v, 1 MHz
DB151G GeneSiC Semiconductor DB151G 0,2325
RFQ
 ECAD 1447 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) DB151 Standard Db Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) DB151GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1,5 a 5 µa @ 50 V 1,5 a Einphase 50 v
MBRT40020 GeneSiC Semiconductor MBRT40020 118.4160
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT40020gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 200a 750 mv @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR6A02 GeneSiC Semiconductor FR6A02 7.1300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR6A02GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,4 V @ 6 a 200 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
MURF10010 GeneSiC Semiconductor Murf10010 - - -
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Murf10010gn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 50a 1,3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor MBR20030Ctr 90.1380
RFQ
 ECAD 2533 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR20030 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1023 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 200a (DC) 650 mv @ 100 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR6030 GeneSiC Semiconductor MBR6030 20.2695
RFQ
 ECAD 6336 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6030gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
MBR30045CTR GeneSiC Semiconductor MBR30045Ctr 94.5030
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR30045 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR30045Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 45 V 150a 650 mv @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA30040 GeneSiC Semiconductor Murta30040 159.9075
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 150a 1,3 V @ 150 a 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR40040CTR GeneSiC Semiconductor MUR40040CTR 132.0780
RFQ
 ECAD 1374 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur40040 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur40040Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 400 V 200a 1,3 V @ 125 a 150 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA500120 GeneSiC Semiconductor Murta500120 174.1546
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 250a 2,6 V @ 250 a 25 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR30020CT GeneSiC Semiconductor MBR30020CT 94.5030
RFQ
 ECAD 4698 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR30020 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR30020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 150a 650 mv @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT60035RL GeneSiC Semiconductor MBRT60035RL - - -
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 300a 600 mv @ 300 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU6B GeneSiC Semiconductor GBU6B 1.5300
RFQ
 ECAD 382 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU6 Standard GBU Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 a 5 µa @ 100 V. 6 a Einphase 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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