SIC
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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Klebeband (CT) Schneiden Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,35 V @ 4 a 0 ns 5 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 11a 186PF @ 1V, 1 MHz
1N2128AR GeneSiC Semiconductor 1n2128ar 8.9025
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1n2128ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N2128Argn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,1 V @ 60 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a - - -
MBRT50030 GeneSiC Semiconductor MBRT50030 - - -
RFQ
 ECAD 4648 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT50030gn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S320JR GeneSiC Semiconductor S320JR 62.2080
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S320 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S320JRgn Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 300 a 10 µa @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C. 320a - - -
MBRF600100 GeneSiC Semiconductor MBRF600100 - - -
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 250a 840 mv @ 250 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA60035L GeneSiC Semiconductor MBRTA60035L - - -
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 300a 600 mv @ 300 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GKN130/16 GeneSiC Semiconductor GKN130/16 35.3677
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud GKN130 Standard DO-205AA (DO-8) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,5 V @ 60 a 22 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C. 165a - - -
1N1202A GeneSiC Semiconductor 1N1202A 4.2345
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N1202 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1042 Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 10.7600
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB GAP3SLT33 SIC (Silicon Carbide) Schottky Do-214aa Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 3300 v 2,2 V @ 300 mA 0 ns 10 µA @ 3300 V -55 ° C ~ 175 ° C. 300 ma 42pf @ 1v, 1 MHz
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT25080 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 800 V 250a (DC) 1,2 V @ 250 a 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor MUR10040CT 75.1110
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MUR10040 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR10040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 50a 1,3 V @ 50 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N8035-GA GeneSiC Semiconductor 1N8035-ga - - -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-276aa 1N8035 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-276 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,5 V @ 15 a 0 ns 5 µa @ 650 V -55 ° C ~ 250 ° C. 14.6a 1107PF @ 1V, 1 MHz
MBRTA80035R GeneSiC Semiconductor MBRTA80035R - - -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 400a 720 MV @ 400 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR30KR05 GeneSiC Semiconductor FR30KR05 10.5930
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR30KR05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1 V @ 30 a 500 ns 25 µa @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a - - -
MBRH240200 GeneSiC Semiconductor MBRH240200 76.4925
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 920 MV @ 240 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C. 240a - - -
MURT10005 GeneSiC Semiconductor Murt10005 - - -
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt10005gn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 50a 1,3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S70D GeneSiC Semiconductor S70D 9.8985
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S70Dgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 70 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 180 ° C. 70a - - -
MBR6035R GeneSiC Semiconductor MBR6035R 21.3105
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR6035 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6035Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
MSRTA30060D GeneSiC Semiconductor Msrta30060d 159.9075
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Modul MSRTA300 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-msrta30060d Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 600 V 300a 1,1 V @ 300 a 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220 - - -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 GB02SLT12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 138PF @ 1V, 1 MHz
MBRTA800100 GeneSiC Semiconductor MBRTA800100 - - -
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 400a 840 mv @ 400 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU6M GeneSiC Semiconductor GBU6M 0,5385
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU6 Standard GBU Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Gbu6mgn Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 a 5 µA @ 1000 V 6 a Einphase 1 kv
150K100A GeneSiC Semiconductor 150K100A 35.5695
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 150K100 Standard DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 150K100AGN Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,33 V @ 150 a 24 mA @ 1000 v -40 ° C ~ 200 ° C. 150a - - -
MURT40005R GeneSiC Semiconductor Murt40005r - - -
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt40005Rgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 200a 1,3 V @ 200 a 125 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E 3.8000
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 10 a 0 ns 5 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 29a 367PF @ 1V, 1MHz
MBRF60030R GeneSiC Semiconductor MBRF60030R - - -
RFQ
 ECAD 1325 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 300A (DC) 650 mv @ 300 a 10 mA @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C.
1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-ga - - -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-257-3 1N8030 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-257 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,39 V @ 750 mA 0 ns 5 µa @ 650 V -55 ° C ~ 250 ° C. 750 Ma 76PF @ 1V, 1 MHz
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR8060GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 750 mV @ 80 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 80a - - -
1N4588 GeneSiC Semiconductor 1N4588 35.5695
RFQ
 ECAD 3219 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1N4588 Standard DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N4588gn Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,5 V @ 150 a 9,5 mA @ 200 V. -60 ° C ~ 200 ° C. 150a - - -
1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-ga - - -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-257-3 1N8024 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-257 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,74 V @ 750 mA 0 ns 10 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 250 ° C. 750 Ma 66PF @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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