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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Max Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Ausfluss @ if, f
KBPC35005W GeneSiC Semiconductor KBPC35005W 2.4720
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, kbpc-w KBPC35005 Standard KBPC-W Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 50 V 35 a Einphase 50 v
MBR60030CT GeneSiC Semiconductor MBR60030CT 129.3585
RFQ
 ECAD 8524 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR60030 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR60030CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor Fr30BR02 10.5930
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Fr30BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a - - -
GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220 349,8000
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Axial GA01PNS80 - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1259 Ear99 8541.10.0080 10 2 a 4PF @ 1000V, 1 MHz Pin - Single 8000 v - - -
GKN130/08 GeneSiC Semiconductor GKN130/08 35.0777
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud GKN130 Standard DO-205AA (DO-8) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,5 V @ 60 a 22 mA @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 165a - - -
MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor MSRT200160AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT600150 GeneSiC Semiconductor MBRT600150 140.2020
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 300a 880 mv @ 300 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor MBR300100CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR300100 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR300100CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 150a 840 mv @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N6096 GeneSiC Semiconductor 1N6096 14.0145
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N6096 Schottky Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N6096gn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 580 mv @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 25a - - -
MBR50045CT GeneSiC Semiconductor MBR50045CT - - -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURH7005 GeneSiC Semiconductor Murh7005 - - -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Standard D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 70a - - -
MBRT30060R GeneSiC Semiconductor MBRT30060R 107.3070
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT30060 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT30060Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 150a 800 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT60045 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60045Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 45 V 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FST10060 GeneSiC Semiconductor FST10060 65.6445
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-249ab Schottky To-249ab Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Fst10060gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 100a 750 mV @ 100 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X080A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 53.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X080 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1302 Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 100 v 80a 840 mv @ 80 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRT20045 GeneSiC Semiconductor MBRT20045 98.8155
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT20045GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 100a 750 mV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60045GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF50035R GeneSiC Semiconductor MBRF50035R - - -
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FST8340M GeneSiC Semiconductor Fst8340m - - -
RFQ
 ECAD 6819 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m Herunterladen 1 (unbegrenzt) Fst8340mgn Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 80A (DC) 650 mv @ 80 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU6A GeneSiC Semiconductor Gbu6a 0,5385
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU6 Standard GBU Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Gbu6agn Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 a 5 µa @ 50 V 6 a Einphase 50 v
GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263 53.7500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca - - - GA20SICP12 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1194 Ear99 8541.29.0095 50 - - - 20 a 1,2 kv - - -
MBRTA800200 GeneSiC Semiconductor MBRTA800200 - - -
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 400a 920 MV @ 400 a 5 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3293A GeneSiC Semiconductor 1N3293a 33.5805
RFQ
 ECAD 2493 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1N3293 Standard DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3293AGN Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,5 V @ 100 a 17 Ma @ 600 V -40 ° C ~ 200 ° C. 100a - - -
MSRT200100D GeneSiC Semiconductor MSRT200100D 110.1030
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-MSRT200100D Ear99 8541.10.0080 40 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1000 v 200a 1,2 V @ 200 a 10 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3291A GeneSiC Semiconductor 1N3291a 33.5805
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1N3291 Standard DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3291AGN Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,5 V @ 100 a 24 mA @ 400 V -40 ° C ~ 200 ° C. 100a - - -
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 200a (DC) 1,2 V @ 200 a 10 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C.
G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J 12.9800
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 Genesic Semiconductor G3R ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca G3R160 Sicfet (Silziumkarbid) To-263-7 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-G3R160MT17J Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1700 v 22a (TC) 15 v 208mohm @ 12a, 15V 2,7 V @ 5ma 51 NC @ 15 V ± 15 V 1272 PF @ 1000 V - - - 187W (TC)
MURF30005R GeneSiC Semiconductor Murf30005r - - -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF300200R GeneSiC Semiconductor MBRF300200R - - -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab MBRF3002 Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 150a 920 MV @ 150 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA600150 GeneSiC Semiconductor MBRTA600150 - - -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 300a 880 mv @ 300 a 4 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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