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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
GKN26/04 GeneSiC Semiconductor GKN26/04 - - -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 5 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,55 V @ 60 a 4 ma @ 400 v -40 ° C ~ 180 ° C. 25a - - -
GKN240/14 GeneSiC Semiconductor GKN240/14 59.1766
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud GKN240 Standard DO-205AB (DO-9) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,4 V @ 60 a 60 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 320a - - -
MBR3520R GeneSiC Semiconductor MBR3520R 15.1785
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud MBR3520 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR3520Rgn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 680 mv @ 35 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 35a - - -
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1n5830r 14.8695
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1n5830r Schottky, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N5830Rgn Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 25 v 580 mv @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C. 25a - - -
MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120A 60.2552
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA400120 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 400A (DC) 1,2 V @ 400 a 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1000 v 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 3.1200
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 GC08MPS12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 8 a 0 ns 7 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 40a 545PF @ 1V, 1 MHz
MURT40020 GeneSiC Semiconductor Murt40020 132.0780
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt40020gn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 200a 1,3 V @ 200 a 125 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR6040R GeneSiC Semiconductor MBR6040R 21.3105
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR604 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6040Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
S300DR GeneSiC Semiconductor S300DR 63.8625
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S300 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S300drgn Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,2 V @ 300 a 10 µa @ 100 V. -60 ° C ~ 200 ° C. 300a - - -
1N2138AR GeneSiC Semiconductor 1n2138ar 11.7300
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1n2138ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1072 Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 60 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a - - -
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR30M05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1 V @ 30 a 500 ns 25 µa @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a - - -
GBPC3508T GeneSiC Semiconductor GBPC3508T 2.8650
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC GBPC3508 Standard GBPC Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 800 V 35 a Einphase 800 V
MBR2X100A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A180 55.4800
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X100 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1303 Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 180 v 100a 920 mv @ 100 a 3 ma @ 180 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA60060 GeneSiC Semiconductor MBRTA60060 - - -
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPC5006T GeneSiC Semiconductor KBPC5006T 2.5875
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, KBPC-T KBPC5006 Standard KBPC Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 25 a 5 µa @ 600 V 50 a Einphase 600 V
KBP206G GeneSiC Semiconductor KBP206G 0,2280
RFQ
 ECAD 5933 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP206 Standard KBP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) KBP206GGS Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 2 a 10 µa @ 600 V 2 a Einphase 600 V
MBR30080CT GeneSiC Semiconductor MBR30080CT 94.5030
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR30080 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR30080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 150a 840 mv @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT30035RL GeneSiC Semiconductor MBRT30035RL - - -
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 150a 600 mv @ 150 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT15080AD GeneSiC Semiconductor MSRT15080AD 71.6012
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT150 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 800 V 150a 1,1 V @ 150 a 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor MSRT20060AD 80.4872
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT200 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 600 V 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR120200CT GeneSiC Semiconductor MBR120200CT - - -
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 60a 920 mv @ 60 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor MUR10005CT - - -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR10005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 50a 1,3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPM308G GeneSiC Semiconductor KBPM308G - - -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbpm Standard Kbpm Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen KBPM308GGN Ear99 8541.10.0080 900 1,1 V @ 3 a 5 µa @ 50 V 3 a Einphase 800 V
1N3881 GeneSiC Semiconductor 1N3881 7.1300
RFQ
 ECAD 573 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3881 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1070 Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,4 V @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
1N1183 GeneSiC Semiconductor 1N1183 7.4730
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1183 Standard DO-203AB Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N1183gn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS - - -
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet SCHAUBENHAUTERUNG SOT-227-4 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1133 Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 100 v 200a (DC) 950 mv @ 100 a 10 µa @ 80 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MBRF120150 GeneSiC Semiconductor MBRF120150 - - -
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 60a 880 mv @ 60 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA60020 GeneSiC Semiconductor Murta60020 188.1435
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murta60020gn Ear99 8541.10.0080 24 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 300a 1,3 V @ 300 a 200 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR40010CTR GeneSiC Semiconductor Mur40010Ctr 132.0780
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur40010 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur40010Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 200a 1,3 V @ 125 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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