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Diskette HalblerProdukte (2160)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MBR2X050A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A200 43.6545
RFQ
 ECAD 4119 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X050 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1299 Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 200 v 100a 920 mv @ 50 a 3 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GBPC3501W GeneSiC Semiconductor GBPC3501W 2.8650
RFQ
 ECAD 5121 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC3501 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) GBPC3501WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 100 V. 35 a Einphase 100 v
MBRF12020R GeneSiC Semiconductor MBRF12020R - - -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 20 v 60a 700 mv @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H 5.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 GD05mps SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GD05MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1700 v 1,8 V @ 5 a 0 ns 20 µa @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a 361PF @ 1V, 1 MHz
150KR40A GeneSiC Semiconductor 150KR40A 35.5695
RFQ
 ECAD 5407 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,33 V @ 150 a 35 mA @ 400 V -40 ° C ~ 200 ° C. 150a - - -
FST16035L GeneSiC Semiconductor FST16035L - - -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-249ab Schottky To-249ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 80a 600 mv @ 80 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR2510 GeneSiC Semiconductor Mur2510 10.1910
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1099 Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a - - -
MBR7530R GeneSiC Semiconductor MBR7530R 21.9195
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR7530 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR7530Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 750 mV @ 75 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
MBRF30040 GeneSiC Semiconductor MBRF30040 - - -
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab MBRF3004 Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 150a 700 mV @ 150 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA300140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300140AD 113.5544
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA300 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 300a 1,1 V @ 300 a 20 µa @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR2X100A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A04 52,2000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Mur2x100 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1313 Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 400 V 100a 1,3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR12040 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1024 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 120a (DC) 650 mV @ 120 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR16BR02 GeneSiC Semiconductor FR16BR02 8.5020
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR16BR02GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 900 mv @ 16 a 200 ns 25 µa @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
MSRT150140AD GeneSiC Semiconductor MSRT150140AD 71.6012
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT150 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 150a 1,1 V @ 150 a 10 µa @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT100160AD GeneSiC Semiconductor MSRT100160AD 54.0272
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT100 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 100a 1,1 V @ 100 a 10 µa @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-ga - - -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) K. Loch To-257-3 Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) To-257 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) 1242-1150 Ear99 8541.29.0095 10 - - - 650 V 15a (TC) (155 ° C) - - - 105mohm @ 15a - - - - - - 1534 PF @ 35 V - - - 172W (TC)
MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor MBR40045Ctr 98.8155
RFQ
 ECAD 6210 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR40045 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR40045Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 45 V 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
UFT10010 GeneSiC Semiconductor UFT10010 - - -
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-249ab Standard To-249ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 50a 1 V @ 50 a 60 ns 25 µa @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 16.5525
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Nicht für Designs K. Loch To-247-3 GC2X20 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1337 Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 90a (DC) 1,8 V @ 20 a 0 ns 18 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
2N7635-GA GeneSiC Semiconductor 2N7635-ga - - -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) K. Loch To-257-3 Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) To-257 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) 1242-1146 Ear99 8541.29.0095 10 - - - 650 V 4a (TC) (165 ° C) - - - 415Mohm @ 4a - - - - - - 324 PF @ 35 V - - - 47W (TC)
MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A06 47.1200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Mur2x060 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1311 Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 600 V 60a 1,5 V @ 60 a 90 ns 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
1N4595R GeneSiC Semiconductor 1N4595R 35.5695
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1N4595R Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,5 V @ 150 a 4 ma @ 1200 v -60 ° C ~ 200 ° C. 150a - - -
S6QR GeneSiC Semiconductor S6qr 3.8625
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S6Q Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,1 V @ 6 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 6a - - -
MBRF500150R GeneSiC Semiconductor MBRF500150R - - -
RFQ
 ECAD 9365 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 150 v 250a 880 mv @ 250 a 1 mA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT60020L GeneSiC Semiconductor MBRT60020L - - -
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 300a 580 mv @ 300 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR60080CTR GeneSiC Semiconductor MBR60080Ctr 129.3585
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR60080 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR60080Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 300a 880 mv @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X050A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A080 43.6545
RFQ
 ECAD 5522 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X050 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 80 v 50a 840 mv @ 50 a 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C.
S40GR GeneSiC Semiconductor S40gr 6.3770
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S40G Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S40grgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 190 ° C. 40a - - -
1N3673A GeneSiC Semiconductor 1N3673a 4.2345
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3673 Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1109 Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H 10.4700
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GD30MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,8 V @ 30 a 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 55a 1101PF @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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