SIC
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Diskette HalblerProdukte (191)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
GSXF100A060S1-D3 SemiQ GSXF100A060S1-D3 - - -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Semiq - - - Rohr Veraltet Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXF100 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 600 V 100a 1,5 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1 29.3400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GCMX040 Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1560-GCMX040B120S1-E1 Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 1200 V 57a (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10 mA 121 NC @ 20 V +25 V, -10 V 3185 PF @ 1000 V - - - 242W (TC)
GSXD080A015S1-D3 SemiQ GSXD080A015S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD080 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 150 v 80a 880 mv @ 80 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD - - -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Semiq - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Standard 480 w To-264 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 25 600 V, 40a, 5ohm, 15 V. 200 ns TRABENFELD STOPP 1200 V 80 a 120 a 2,6 V @ 15V, 40a 5,3MJ (EIN), 1,1MJ (AUS) 480 nc 55ns/200 ns
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B - - -
RFQ
 ECAD 7087 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,65 V @ 20 a 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 1054pf @ 1V, 1 MHz
GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A 6.0000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 GP3D010 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,65 V @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 608PF @ 1V, 1 MHz
GP2D005A170B SemiQ GP2D005A170B - - -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1560-1038-5 Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1700 v 1,75 V @ 5 a 0 ns 10 µa @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 406PF @ 1V, 1 MHz
GP2D010A120A SemiQ GP2D010A120A - - -
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1560-1043-5 Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 635PF @ 1V, 1MHz
GSXD050A008S1-D3 SemiQ GSXD050A008S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD050 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 80 v 50a 840 mv @ 50 a 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C.
GSXD160A010S1-D3 SemiQ GSXD160A010S1-D3 45.3900
RFQ
 ECAD 4825 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD160 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 100 v 160a 840 mv @ 160 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GSXD050A012S1-D3 SemiQ GSXD050A012S1-D3 35.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD050 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 120 v 50a 880 mv @ 50 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GSXF100A120S1-D3 SemiQ GSXF100A120S1-D3 39.7100
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXF100 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1200 V 100a 2,35 V @ 100 a 125 ns 25 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U 10.1353
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 GP3D020 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 10a 1,65 V @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
GSXD050A020S1-D3 SemiQ GSXD050A020S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD050 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 200 v 50a 920 mv @ 50 a 3 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GHXS030A120S-D1 SemiQ GHXS030A120S-D1 - - -
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 Semiq - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Silziumcarbide Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 10 1,7 V @ 30 a 200 µA @ 1200 V 30 a Einphase 1,2 kv
GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1-E1 34.8800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GCMS040 Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1560-GCMS040B120S1-E1 Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 1200 V 57a (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10 mA 124 NC @ 20 V +25 V, -10 V 3110 PF @ 1000 V - - - 242W (TC)
GSID300A125S5C1 SemiQ GSID300A125S5C1 - - -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Semiq - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Gsid300 2500 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1560-1240 Ear99 8541.29.0095 10 3 Phase Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1250 V 600 a 2,4 V @ 15V, 300A 1 Ma Ja 30.8 NF @ 25 V.
GSXD120A012S1-D3 SemiQ GSXD120A012S1-D3 37.0575
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD120 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 120 v 120a 880 mv @ 120 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D 1.7953
RFQ
 ECAD 7548 0.00000000 Semiq - - - Band & Rollen (TR) Aktiv GP3D008 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 800 - - - 650 V - - - 8a - - -
GP2D030A120B SemiQ GP2D030A120B - - -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1560-1054-5 Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 30 a 0 ns 60 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 1905PF @ 1V, 1MHz
GSXD030A010S1-D3 SemiQ GSXD030A010S1-D3 27.7148
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD030 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 100 v 30a 840 mv @ 30 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A 1.8500
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 GP3D006 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2l Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,55 V @ 6 a 15 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 229PF @ 1V, 1 MHz
GSID100A120T2C1 SemiQ GSID100A120T2C1 - - -
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 Semiq AMP+™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul Gsid100 640 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 3 Drei -Phase -wechselrichter - - - 1200 V 200 a 2,1 V @ 15V, 100a 1 Ma Ja 13.7 NF @ 25 V.
GP2D010A120U SemiQ GP2D010A120U - - -
RFQ
 ECAD 3798 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 17a (DC) 1,8 V @ 5 a 10 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3 20.4600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GHXS010 SIC (Silicon Carbide) Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 10 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 600 V 10a 1,7 V @ 10 a 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B 2.7810
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Semiq AMP+™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 GP3D010 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1560-GP3D010A065B Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,6 V @ 10 a 0 ns 25 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 419PF @ 1V, 1 MHz
GSXD030A004S1-D3 SemiQ GSXD030A004S1-D3 - - -
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 Semiq - - - Rohr Veraltet Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD030 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 45 V 30a 700 mv @ 30 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GSXD030A008S1-D3 SemiQ GSXD030A008S1-D3 27.7148
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD030 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 80 v 30a 840 mv @ 30 a 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C.
GP3D050A060B SemiQ GP3D050A060B - - -
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Semiq * Rohr Aktiv GP3D050 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30
GSXD030A006S1-D3 SemiQ GSXD030A006S1-D3 27.7148
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Semiq - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GSXD030 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 13 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 60 v 30a 750 mv @ 30 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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